存储器及其电源电压产生电路制造技术

本申请公开了一种存储器及其电源电压产生电路，电源电压产生电路包括：电压缓冲单元，接收第一参考电压信号和反馈信号以产生相应的控制信号，并藉由控制信号而产生电源电压信号，其中，反馈信号是基于电源电压信号而产生的反馈信号；瞬态响应单元，接收第二参考电压信号和反馈信号以产生相应的响应信号，其中，瞬态响应单元连接电压缓冲单元的输出端以藉由响应信号而调整电源电压信号，从而使得电源电压信号的电压值被快速调整至预设的电压值。上述方案，能够提高电压缓冲单元的瞬态响应速度，降低电源电压信号的波动，提高电源电压产生电路的性能。生电路的性能。生电路的性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其电源电压产生电路


[0001]本申请涉及存储器
，特别是涉及一种存储器及其电源电压产生电路。

技术介绍

[0002]存储器设置有电压缓冲器，电压缓冲器用于为存储器的内部电路提供稳定的电压。其中电压缓冲器设置有负反馈环路，由于负反馈环路可能产生振荡，通常采用频率补偿技术保证电压的稳定性，但频率补偿技术会导致负反馈环路的延迟变大，从而造成在存储器的内部电路功耗变化时电压出现较大的波动。

技术实现思路

[0003]本申请至少提供一种电源电压产生电路及其方法、存储器。
[0004]本申请第一方面提供了一种电源电压产生电路，包括：
[0005]电压缓冲单元，接收第一参考电压信号和反馈信号以产生相应的控制信号，并藉由所述控制信号而产生电源电压信号，其中，所述反馈信号是基于所述电源电压信号而产生的反馈信号；
[0006]瞬态响应单元，接收第二参考电压信号和所述反馈信号以产生相应的响应信号，其中，所述瞬态响应单元连接所述电压缓冲单元的输出端以藉由所述响应信号而调整所述电源电压信号，从而使得所述电源电压信号的电压值被快速调整至预设的电压值。
[0007]其中，所述瞬态响应单元包括：
[0008]比较器，其第一输入端接收所述第二参考电压信号，其第二输入端接收所述反馈信号；
[0009]第一驱动管，其控制端连接所述比较器的输出端，其第一通路端接收基准电压，其第二通路端连接所述电压缓冲单元的输出端以输出所述响应信号。
[0010]其中，所述电压缓冲单元包括：
[0011]运算放大器，其第一输入端接收所述第一基准电压信号，其第二输入端接收所述反馈信号，其输出端输出所述控制信号；
[0012]第二驱动管，其控制端连接所述运算放大器的输出端，其第一通路端接收所述基准电压；
[0013]电阻网络，其第一端连接所述第二驱动管的第二通路端，其第二端接地，其中所述电阻网络的第一端与所述第二驱动管的第二通路端之间的节点作为所述电源电压产生电路的输出端以输出所述电源电压信号，且连接至所述运算放大器的第二输入端和所述瞬态响应单元；
[0014]第一电容，其第一端连接所述第二驱动管的第二通路端和所述第一驱动管的第二通路端之间的节点，其第二端接地。
[0015]其中，所述电阻网络包括反馈电阻，其中，所述反馈电阻的第一端连接所述第二驱动管的第二通路端，其第二端接地；所述反馈电阻的第一端与所述第二驱动管的第二通路
端之间的节点作为反馈点，以使所述电源电压信号作为所述反馈信号；
[0016]所述比较器的第二输入端连接所述第一驱动管的第二通路端以接收所述反馈信号。
[0017]其中，所述预设的电压值等于所述第一参考电压信号的电压值。
[0018]其中，所述电阻网络包括串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻，其中，所述第一反馈电阻的第一端连接所述第二驱动管的第二通路端，而所述第一反馈电阻的第二端连接所述第二反馈电阻的第一端，而所述第二反馈电阻的第二端接地；所述第一反馈电阻的第一端与所述第二驱动管的第二通路端之间的第一节点作为所述电压缓冲单元的输出端以输出所述电源电压信号，而所述第一反馈电阻的第二端与所述第二反馈电阻的第一端之间的第二节点作为反馈点以产生基于所述电源电压信号的所述反馈信号。
[0019]其中，所述比较器的第二输入端连接所述第二节点以接收所述反馈信号，所述第一驱动管的第二通路端连接所述第一节点以输出所述响应信号。
[0020]其中，所述瞬态响应单元还包括：
[0021]第三反馈电阻，其第一端连接所述第一驱动管的第二通路端；
[0022]第四反馈电阻，其第一端连接所述第三反馈电阻的第二端和所述比较器的第二输入端，其第二端接地；
[0023]其中，所述第三反馈电阻的电阻值和所述第四反馈电阻的电阻值之间的比值等于所述第一反馈电阻的电阻值和所述第二反馈电阻的电阻值之间的比值；所述第三反馈电阻的第一端与所述第一驱动管的第二通路端之间的第三节点连接所述第一节点以输出所述响应信号，而所述第三反馈电阻的第二端与所述第四反馈电阻的第一端之间的第四节点作为所述比较器的反馈点以产生与所述第二节点相同的反馈信号。
[0024]其中，所述第二参考电压信号的电压值小于所述第一参考电压信号的电压值，所述第一驱动管和所述第二驱动管为PMOS管。
[0025]本申请第二方面提供了一种存储器，包括上述的电源电压产生电路。
[0026]本申请的有益效果是：本申请的瞬态响应单元接收第二参考电压信号和所述反馈信号以产生相应的响应信号，其中，所述瞬态响应单元连接所述电压缓冲单元的输出端以藉由所述响应信号而调整所述电源电压信号，从而使得所述电源电压信号的电压值被快速调整至预设的电压值；瞬态响应单元通过响应信号调整电源电压信号，以使电源电压信号的电压值被快速调整至预设的电压值，能够提高电压缓冲单元的瞬态响应速度，降低电源电压信号的波动，提高电源电压产生电路的性能。
[0027]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本申请。
附图说明
[0028]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于说明本申请的技术方案。
[0029]图1是本申请电源电压产生电路一实施例的结构示意图；
[0030]图2是本申请电源电压产生电路一实施例的电路图；
[0031]图3是本申请电源电压产生电路另一实施例的电路图；
[0032]图4是图3中电源电压产生电路的时序示意图；
[0033]图5是图3中负载模型一实施例的电路图；
[0034]图6是图5中电源电压产生电路的仿真图；
[0035]图7是图3中负载模型另一实施例的电路图；
[0036]图8是图3中负载模型又一实施例的电路图；
[0037]图9是本申请电源电压产生电路又一实施例的电路图；
[0038]图10是本申请电源电压产生电路再一实施例的电路图；
[0039]图11是本申请存储器一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0041]请参阅图1-3，图1是本申请电源电压产生电路一实施例的结构示意图；图2是本申请电源电压产生电路一实施例的电路图；图3是本申请电源电压产生电路另一实施例的电路图。该电源电压产生电路10可以应用于存储器(图未示)，用于为存储器的内部电路供电，存储器可以包括Nand-flash芯片、EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源电压产生电路，其特征在于，包括：电压缓冲单元，接收第一参考电压信号和反馈信号以产生相应的控制信号，并藉由所述控制信号而产生电源电压信号，其中，所述反馈信号是基于所述电源电压信号而产生的反馈信号；瞬态响应单元，接收第二参考电压信号和所述反馈信号以产生相应的响应信号，其中，所述瞬态响应单元连接所述电压缓冲单元的输出端以藉由所述响应信号而调整所述电源电压信号，从而使得所述电源电压信号的电压值被快速调整至预设的电压值。2.根据权利要求1所述的电源电压产生电路，其特征在于，所述瞬态响应单元包括：比较器，其第一输入端接收所述第二参考电压信号，其第二输入端接收所述反馈信号；第一驱动管，其控制端连接所述比较器的输出端，其第一通路端接收基准电压，其第二通路端连接所述电压缓冲单元的输出端以输出所述响应信号。3.根据权利要求2所述的电源电压产生电路，其特征在于，所述电压缓冲单元包括：运算放大器，其第一输入端接收所述第一基准电压信号，其第二输入端接收所述反馈信号，其输出端输出所述控制信号；第二驱动管，其控制端连接所述运算放大器的输出端，其第一通路端接收所述基准电压；电阻网络，其第一端连接所述第二驱动管的第二通路端，其第二端接地，其中所述电阻网络的第一端与所述第二驱动管的第二通路端之间的节点作为所述电源电压产生电路的输出端以输出所述电源电压信号，且连接至所述运算放大器的第二输入端和所述瞬态响应单元；第一电容，其第一端连接所述第二驱动管的第二通路端和所述第一驱动管的第二通路端之间的节点，其第二端接地。4.根据权利要求3所述的电源电压产生电路，其特征在于，所述电阻网络包括反馈电阻，其中，所述反馈电阻的第一端连接所述第二驱动管的第二通路端，其第二端接地；所述反馈电阻的第一端与所述第二驱动管的第二通路端之间的节点作为反馈点，以使所述电源电压信号作为所述反馈信号。5.根据权利要求4所述的电源电压产生电路，其特征在于，所述比较器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱慧，赵前利，左平，张其营，
申请(专利权)人：上海江波龙微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：