【技术实现步骤摘要】
一种声表面波谐振器及包含该声表面波谐振器的滤波器
[0001]本申请涉及微电子器件制备
,具体而言,涉及一种生表面波谐振器及包含该声表面波谐振器的滤波器。
技术介绍
[0002]作为搭载于便携式电话机等通信设备中的RF(Radio Frequency,射频)电路的带通滤波器、双工器,利用了声表面波(SAW:Surface Acoustic Wave) 的声表面波滤波器已被实用化。
[0003]作为声表面波滤波器,已知有将多个声表面波谐振器串联以及并联地交替连接形成了梯型滤波器的结构。在上述梯型滤波器中,对于声表面波谐振器利用具有一对梳齿电极(以下,也称为
″
IDT(Inter Digital Transducer,叉指换能器)电极
″
)的单端口型的谐振器。在相关技术中,作为由输入电力引起的机械应力容易集中的谐振器,利用了多个声表面波谐振器被串联连接的结构。换言之,上述谐振器被分割为多个声表面波谐振器。相关技术中通过对集中施加于上述谐振器的机械应力进行分散,由此抑制迁移来谋求耐 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器,所述声表面波谐振器包括:压电膜层及形成于所述压电膜层上的电极,其特征在于,所述电极上形成有均热层,所述均热层至少部分覆设于所述电极上。2.如权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述均热层为石墨烯层。3.如权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述均热层的厚度为20纳米~100微米。4.如权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述压电膜层设置于衬底之上,所述压电膜层包括压电单晶,和/或,所述衬底材质为碳化硅、金刚石、类金刚石、蓝宝石、石英、硅或氮化铝中的一种或几种的组合。5.如权利要求4所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述压电膜层的厚度为20微米至300微米,和/或,所述衬底的厚度为100微米~300微米。6.如权利要求5所述的声表面波谐振器,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛玉娇,
申请(专利权)人:嘉兴宏蓝电子技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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