一种带光耦隔离的MOS控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带光耦隔离的MOS控制电路，包括低压控制电路，高压驱动电路，MCU驱动单元和光耦隔离器，所述低压控制电路通过光耦隔离器连接高压驱动电路，所述低压控制电路接收MCU驱动单元驱动信号。本实用新型专利技术提供一种带光耦隔离的MOS控制电路，通过在分压电阻与光耦隔离器串联的电路中，在光耦隔离器次级的前端并联一个稳压管，通过分压电路得到的电压击穿相应电压等级的稳压管，当稳压管导通后可以旁路通过光耦隔离器的漏电流。通过此方法建立的驱动电压，当低压MCU发出指令控制光耦隔离器导通时，则之前通过稳压管稳压后建立的驱动电压则通过光耦隔离器去驱动功率器件N

【技术实现步骤摘要】
一种带光耦隔离的MOS控制电路


[0001]本技术涉及电子电路领域，尤其是涉及一种带光耦隔离的MOS控制电路。

技术介绍

[0002]现在大部分的家电产品都是通过交流市电通过整流得到约310V左右的直流高压，310V 的直流高压会用作开关电源的供电，也会用到其他如电机及UV灯等相关负载的供电。但开关电源的供电不能断，否则无法实现产品的智能控制。而产品又会有降低功耗的要求，则就会需要断开310V除开关电源以外的其他负载。此时就需要用到光耦来实现低压对高压端负载的控制，达到降低待机功耗的效果。功率器件N
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MOSFET的驱动需要考虑驱动电压问题，需要考虑驱动电压和系统电压工地问题。如果单独从开关电源出一个绕组做驱动使用，则会提高开关电压的功率，有可能需要增加变压器或开关芯片的功率，从而提高产品的成本。且驱动电源有可能会走很长的线到功率器件，这样也不利于PCB的布局。
[0003]例如，一种在中国专利文献上公开的“功率控制用驱动电路”，其公告号为“CN105099420A”，本专利技术涉及一种可使被控功率控制器件（MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带光耦隔离的MOS控制电路，其特征是，包括低压控制电路（1），高压驱动电路（2），MCU驱动单元和光耦隔离器，所述低压控制电路（1）通过光耦隔离器连接高压驱动电路（2），所述低压控制电路（1）接收MCU驱动单元驱动信号。2.根据权利要求1所述的一种带光耦隔离的MOS控制电路，其特征是，所述低压控制电路（1）包括电阻R35、电阻R37、电阻R39、三极管Q3，电阻R37第一端连接MCU驱动单元，电阻R37第二端分别连接三极管Q3的基极、电阻R39的第一端，电阻R39的第二端接地，三极管Q3的集电极连接光耦隔离器PC5发射极的负极，光耦隔离器PC5发射极正极连接电阻R35的第一端，电阻R35的第二端连接电源，三极管Q3的发射极接地。3.根据权利要求1所述的一种带光耦隔离的MOS控制电路，其特征是，所述高压驱动电路（2）包括电阻R33、电阻R34、电阻R38、电阻R40、稳压二极管D8、功率开关管Q5，电阻R33的第一端连接直流电压，电阻R34的第二端分别连接电阻R35的第一端，稳压二极管D8的负极，电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑剑锋，祝新军，朱明，
申请(专利权)人：杭州和而泰智能控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：