【技术实现步骤摘要】
金属焊垫、薄膜晶体管阵列基板及显示面板
[0001]本技术属于器件工艺
,尤其涉及一种金属焊垫、薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
技术介绍
[0002]薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)阵列基板一般包括两种公共信号线,用于向显示区域加载公共电压信号。第一种公共信号线形成在像素区域,为了不影响显示,这种公共信号线的宽度很小;第二种公共信号线形成在像素区域外围的非显示区域,用于向某些像素区域辅助加载公共电压信号,以减小整个基板的信号延迟问题。为了减小传输电阻,这种公共信号线的宽度较大。在薄膜晶体管阵列基板的光刻工艺中,第二种公共信号线的制备会导致光刻胶容易脱落的问题。此问题发生在第一透明导电膜层和栅金属膜层的半曝光和显影工序之后,由于第二种公共信号线的宽度较大,导致其上方的光刻胶厚度也较大,显影液和刻蚀液容易在与第二种公共信号线相邻的像素区域聚集,由于像素区域的光刻胶厚度相对较薄,显影液的聚集会造成像素区域的光刻胶厚度均一性较差,在之后进行的多次光刻工艺中,像素区域的光刻胶容易脱落,造成像素或线不 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属焊垫,包括依序叠加的金属层、绝缘层以及导电玻璃层,其特征在于:所述导电玻璃层至少包括第一导电玻璃区和第二导电玻璃区,且所述第一导电玻璃区与所述第二导电玻璃区互不接触。2.如权利要求1所述的金属焊垫,其特征在于,所述导电玻璃层包括多个第一导电玻璃区和多个第二导电玻璃区,多个所述第一导电玻璃区和多个所述第二导电玻璃区相互平行且交替设置。3.如权利要求1所述的金属焊垫,其特征在于,所述第一导电玻璃区的面积小于所述第二导电玻璃区的面积。4.如权利要求2所述的金属焊垫,其特征在于,所述第一导电玻璃区与所述第二导电玻璃区之间的间隙的宽度范围为1
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10um。5.如权利要求1所述的金属焊垫,其特征在于,所述金属层包括多个金属条,多个金属条呈格子状结构。6.如权利要求1所述的金属焊垫,其特征在于,所述绝缘层包括多层绝缘材料层,多层所述绝缘材料层层叠设置。7.如权利要求6所述的金属焊垫,其特征在于,所述绝缘材料...
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