一种聚醚高聚物和抗反射涂层溶液及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体领域，涉及一种聚醚高聚物和抗反射涂层溶液及其制备方法。所述聚醚高聚物通过将四烷氧甲基甘脲中间体与二醇进行缩合反应得到，且所述聚醚高聚物的重均分子量为5000～20000g/mol。本发明专利技术通过在由四甲氧基甲基甘脲与二醇类化合物缩聚形成的聚醚主链上引入PGME链段，由此能够使所得聚醚高聚物本身的稳定性得以明显提升，由该聚醚高聚物与产酸剂和有机溶剂以及任选的表面活性剂组成的底部抗反射溶液以及相应的底部抗反射涂层的稳定性同样能够得以显著提升。稳定性同样能够得以显著提升。

【技术实现步骤摘要】
一种聚醚高聚物和抗反射涂层溶液及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，涉及一种聚醚高聚物和抗反射涂层溶液及其制备方法。

技术介绍

[0002]在刻蚀工艺中，底部抗反射涂层(BARC涂层)被用于制造微型的电子部件例如集成电路和计算机芯片。一般而言，在这些工艺中，首先将底部抗反射溶液涂覆在硅晶圆片表面，再烘干将底部抗反射溶液中的溶剂除去以形成BARC涂层，之后在BARC涂层上涂一层光刻胶，再烘干以将光刻胶中的溶剂除去以形成光刻胶层，最后再对烘培表面进行辐射曝光成像等操作。其中，辐射曝光使在硅晶圆片表面的涂覆层发生化学转化。目前在刻蚀工艺中普遍使用的辐射类型包括可见光、紫外光和X射线辐射。经辐射曝光之后，将涂有抗反射涂层的硅晶圆片用显影液进行处理，目的是为了将光刻胶的辐射曝光或未曝光的区域溶解并且除去。
[0003]此外，拥有高分辨率的深紫外(100～300nm)正性光刻胶和负性光刻胶被用于形成具有小于1/4微米几何结构的图像。微型化的显著进步主要是由于深紫外曝光技术(248nm和193nm下发出辐射的激光)。248nm的光刻胶通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚醚高聚物，其特征在于，所述聚醚高聚物通过将式(1)所示的四烷氧甲基甘脲中间体与式(2)所示的二醇进行缩合反应得到，且所述聚醚高聚物的重均分子量为5000～20000g/mol；式(1)中，R1、R2、R3和R4各自独立地为C1‑
C5的烷基；式(2)中，R5为C1‑
C
10
的亚烷基或C6‑
C
20
的亚芳基。2.根据权利要求1所述的聚醚高聚物，其特征在于，式(1)中，R1、R2、R3和R4各自独立地为C1‑
C3的烷基；式(2)中，R5为C3‑
C6的亚烷基或C6‑
C
10
的亚芳基。3.根据权利要求1所述的聚醚高聚物，其特征在于，所述二醇选自式(3)
‑
式(7)所示化合物中的至少一种：4.根据权利要求1～3中任意一项所述的聚醚高聚物，其特征在于，所述四烷氧甲基甘脲中间体与二醇的摩尔比为1:(0.2～0.8)。5.根据权利要求1～3中任意一项所述的聚醚高聚物，其特征在于，所述聚醚高聚物的多分散度为1.5～3。6.权利要求1～5中任意一项所述的聚醚高聚物的制备方法，其特征在于，该方法包括：S1、将式(3)所示的四烷氧甲基甘脲与式(4)所示的丙二醇单烷基醚进行缩聚反应，得到式(1)所示的四烷氧甲基甘脲中间体；S2、将所述四烷氧甲基甘脲中间体与式(2)所示的二醇进行缩合反应，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪枫，肖楠，王静，宋里千，毛鸿超，
申请(专利权)人：厦门恒坤新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：