【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于发光二极管
,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(QLED,Quantum Dot Light
‑
Emitting Diodes)由于具有发射颜色可调、窄的半峰宽、溶液加工成本低、效率高和稳定性好等特点,因此近年来受到越来越多的关注,被认为是下一代显示和照明的最佳候选器件之一。目前,对材料和器件结构优化设计研究都集中在单色发光,复色发光主要通过三种方法实现,但存在发射光谱不稳定,启亮电压高亮度低,工作寿命短,串联器件结构复杂等一系列问题,具体如下:
[0003](1)通过将红、绿、蓝三基色(或者更多的颜色)其中的几种颜色按照不同的比例混合,制备单一的量子点发光层,实现复色发光。2015年,Heesun Yang和他的同事们报道了使用红、绿、蓝混合量子点制备的白光器件,这个白光器件具有峰值10.9%的外量子效率,在10V时亮度达到23352cd m
‑2的优异性能(K. ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管,其特征在于:所述量子点发光二极管包括依次层叠的第一阳极、第一发光单元、阴极、第二发光单元和第二阳极;所述第一发光单元与所述第二发光单元互为镜相结构,所述第一发光单元与所述第二发光单元共用所述阴极。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于:所述第一阳极与所述第二阳极形状相同,且纵向位置相互重叠。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于:所述第一发光单元包括依次层叠的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层和第一电子传输层;所述第二发光单元包括依次层叠的第二电子传输层、第二量子点发光层、第二空穴传输层和第二空穴注入层;所述阴极设于所述第一电子传输层和所述第二电子传输层之间。4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管,其特征在于:所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材料均选自聚3,4
‑
乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐、NiO、CuO、CuS、MoO3、2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲中的一种或几种;所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料均选自9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺、聚(9
‑
乙烯咔唑)、聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]、N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺、4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、4,4'
‑
环己基二[N,N
‑
二(4
‑
甲基苯基)苯胺]、4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS中的一种或几种;所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料均选自ZnO、ZnMgO、TiO2、8
‑
羟基喹啉铝、8
‑
羟基喹啉
‑
锂、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯、溴甲酚紫钠盐、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲罗啉、3
‑
(联苯
‑4‑
基)
‑5‑
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