用于对直流变流器的次级侧进行操控的电路装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于对直流变流器的次级侧（20）的通过电流进行控制的电路装置（10），所述电路装置具有：能控制的开关元件（1），其具有第一接头（la）、第二接头（lc）和控制接头（lb）；与所述源接头（1a）和第二接头（1c）耦合的缓冲电路；以及调节电路（5），其被设立用于通过所述控制接头（lb）来控制所述能控制的开关元件（1）的关断时刻；其中所述调节电路（5）与所述缓冲电路电耦合并且被设立用于根据所述耦合的电参量来控制所述关断时刻。参量来控制所述关断时刻。参量来控制所述关断时刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对直流变流器的次级侧进行操控的电路装置和方法


[0001]本专利技术涉及一种用于对直流变流器的次级侧的通过电流进行控制的电路装置。

技术介绍

[0002]为了改善效率，在更高功率的直流变流器中经常使用所谓的同步整流器（SGR）。在此，例如通过能控制的开关元件、例如MOSFET晶体管来代替这样的变流器的输出端处的整流二极管。只要电流流经MOSFET晶体管的本征二极管，MOSFET晶体管的信道就被调节成主动的导通状态、也就是被接通，以便其导电。在此，导电信道的、与MOSFET晶体管的本征二极管相比更低的导通电压尤其对于具有低输出电压和高输出电流的直流变流器来说显著地减少了损耗。
[0003]为了使进一步的损耗最小化，在理想的情况下，MOSFET晶体管应当恰好在电流过零的时刻、尤其是当流经开关元件的电流的流动方向反转时用栅极上的控制信号来关断。由此，一方面能够使导电损耗最小化，此外能够显著地降低本征二极管的反向恢复损耗。在理想情况下，在关断时仅仅对开关元件的寄生电容进行充电，并且在电容中所储存的能量在接下来的接通过程中重又被回收。因此，开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于对直流变流器、尤其是同步整流器的次级侧（20）的通过电流进行控制的电路装置（10），具有：能控制的开关元件（1），其用于切换流经所述直流变流器的次级侧的通过电流，其具有第一接头（la）、第二接头（lc）和控制接头（lb）；与所述第一接头（1a）和第二接头（1c）电耦合的缓冲电路；以及调节电路（5），其被设立用于：借助于所述控制接头（lb）在一个时刻周期性地关断所述能控制的开关元件（1），其中所述时刻相对于初级侧的关断过程具有能预先给定的间隔，查明用于所述能控制的开关元件（1）的接下来的周期的得到优化的关断时刻，并且相应地借助于所述控制接头（lb）在接下来的周期中在得到优化的关断时刻关断能控制的开关元件（1），其特征在于，所述调节电路（5）与所述缓冲电路电耦合并且被设立用于根据所述缓冲电路的电参量来查明所述得到优化的关断时刻。2.根据权利要求1所述的电路装置（10），其特征在于，所述调节电路（5）通过在所述缓冲电路的储存元件上的电压分接头来检测在所述储存元件上的电压。3.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置（10），其特征在于，所述调节电路（5）被设立用于：在第一次关断所述能控制的开关元件（1）之后对在所述缓冲电路的储存元件上的第一电压进行第一次检测，为紧随此后的第二次关断来选择与第一关断时刻相比相对于与初级侧的关断过程的预先给定的间隔提前或推迟的关断时刻，在所选择的得到优化的关断时刻第二次关断所述能控制的开关元件（1）之后对在所述缓冲电路的储存元件上的第二电压进行第二次检测，查明在所述第一电压与所述第二电压之间的差，并且根据所查明的正的或负的差作为相对于最后的所查明的关断时刻提前或推迟的得到优化的关断时刻查明对紧随此后的周期来说得到优化的关断时刻。4.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置（10），其特征在于，所述调节电路（5）具有微控制器电路。5.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置（10），其特征在于，所述能控制的开关元件（1）的第一接头（la）与所述直流变流器的变压器的次级侧的绕组（6）的正电位接头（9）连接，并且所述缓冲电路与所述能控制的开关元件（1）的第一接头（la）、所述能控制的开关元件（1）的第二接头（lc）和所述变压器的次级侧的绕组（6）的负电位接头（11）电连接。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：