光电转换元件、光电转换元件模块、电子装置和电源模块制造方法及图纸

提供了一种光电转换元件，其包括：第一电极部；第二电极部；在第一电极部和第二电极部之间的电子传输部；吸光部；和空穴传输部，其中所述空穴传输部在通过发射具有532nm波长的激光而获得的拉曼光谱中具有在拉曼位移为1575cm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件、光电转换元件模块、电子装置和电源模块


[0001]本公开内容涉及光电转换元件、光电转换元件模块、电子装置和电源模块。

技术介绍

[0002]近年来，太阳能电池作为化石燃料的替代能源或作为应对全球变暖的措施变得越来越来越重要。太阳能电池和光电二极管是通过应用能够将光能转换为电能的光电转换元件而得到的。
[0003]近年来，室内型光电转换元件引起了人们的注意，其不仅在阳光下(直射光照度：约100,000lux)可获得高输出，而且在低照度(照度：20lux或更高但是1,000lux或更低)的光比如发光二极管(LED)或荧光灯下也可获得高输出。
[0004]作为室内型光电转换元件，除了非晶硅太阳能电池之外，还已知以染料敏化太阳能电池为代表的有机太阳能电池。通常，染料敏化太阳能电池由于包括电解质而存在诸如挥发、漏液的问题。然而，近年来开发了使用固体p型半导体材料代替电解质的固体染料敏化太阳能电池。例如，由于光电转换元件即使在非常微弱的光比如室内光(10lux至50lux)的照射下也能够获得良好的光电转换特性，已经提出了包括螺环
‑
OMeTAD作为有机空穴传输材料和添加氧化剂以将一部分有机空穴传输材料转化为自由基阳离子来提高电导率的技术(参见例如专利文献1)。
[0005]然而，当用高照度的光长时间连续照射包括固体P型半导体材料比如螺环
‑
OMeTAD的光电转换元件，引起耐久性问题；即，输出逐渐减少。不能说这样的光电转换元件具有实际使用所需的足够的耐久性。因此，期望具有更高耐久性的光电转换元件。
[0006]引用列表
[0007]专利文献
[0008][专利文献1]未审查日本专利申请公开号2016
‑
178102

技术实现思路

[0009]技术问题
[0010]本公开内容的目的在于提供一种光电转换元件，其能够在低照度的光下获得高输出并且具有即使当发射高照度的光时也能够长时间稳定地保持高输出的高耐久性。
[0011]技术方案
[0012]根据本公开内容的一个方面，一种光电转换元件，其包括：第一电极部；第二电极部；在第一电极部和第二电极部之间的电子传输部；吸光部；和空穴传输部。空穴传输部在通过发射具有532nm波长的激光而获得的拉曼光谱中具有在拉曼位移为1575cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰和在拉曼位移为1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰，并且具有0.80或更大的峰值强度比A/B。峰值强度比A/B由在1575cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度A和在1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度B获得。
[0013]本专利技术的有益效果
[0014]根据本公开内容，可以提供一种光电转换元件，该元件在低照度的光下可以获得高输出并且具有即使当发射高照度的光时也可以长时间稳定地保持高输出的高耐久性。
附图说明
[0015][图1]图1是通过测量本公开内容的空穴传输部和作为氧化剂的钴络合物粉末获得的拉曼光谱图。
[0016][图2]图2是表示本公开内容的光电转换元件的一个实例的示意图。
[0017][图3]图3是表示本公开内容的光电转换元件的另一个实例的示意图。
[0018][图4]图4是表示本公开内容的光电转换元件的另一个实例的示意图。
[0019][图5]图5是表示本公开内容的光电转换元件的另一个实例的示意图。
[0020][图6]图6是表示本公开内容的光电转换元件的另一个实例的示意图。
[0021][图7]图7是表示本公开内容的光电转换元件模块的一个实例的示意图。
[0022][图8]图8是表示本公开内容的光电转换元件模块的另一个实例的示意图。
[0023][图9]图9是从不同角度观察图6获得的示意图。
[0024][图10]图10是表示将鼠标用作电子装置的一个实例的示意图。
[0025][图11]图11是表示将光电转换元件安装在鼠标中的一个实例的示意图。
[0026][图12]图12是表示将个人计算机中使用的键盘用作电子装置的一个实例的示意图。
[0027][图13]图13是表示将光电转换元件安装在键盘中的一个实例的示意图。
[0028][图14]图14是表示将小型光电转换元件安装在键盘的一些键中的一个实例的示意图。
[0029][图15]图15是表示将传感器用作电子装置的一个实例的示意图。
[0030][图16]图16是表示将转台(turntable)用作电子装置的一个实例的示意图。
[0031][图17]图17是表示通过将本公开内容的光电转换元件和/或光电转换元件模块与配置为由通过光电转换元件和/或光电转换元件模块的光电转换产生的电力驱动的装置组合而获得的电子装置的一个实例的示意图。
[0032][图18]图18是表示将光电转换元件的电源IC并入图17中的装置的光电转换元件和电路之间的一个实例的示意图。
[0033][图19]图19是表示将电力存储装置并入图18中的装置的电源IC和电路之间的一个实例的示意图。
[0034][图20]图20是表示包括本公开内容的光电转换元件和/或光电转换元件模块和电源IC的电源模块的一个实例的示意图。
[0035][图21]图21是表示通过给图20的电源IC增加电力存储装置而获得的电源模块的一个实例的示意图。
具体实施方式
[0036](光电转换元件)
[0037]本公开内容的光电转换元件包括：第一电极部；第二电极部；在第一电极部和第二电极部之间的电子传输部；吸光部；和空穴传输部。空穴传输部在通过发射具有532nm波长
的激光而获得的拉曼光谱中具有在拉曼位移为1575cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰和在拉曼位移为1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰，并且具有0.80或更大的峰值强度比A/B。峰值强度比A/B由在1575cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度A和在1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度B获得。
[0038]光电转换元件是指能够将光能转换为电能的元件。
[0039]本公开内容的光电转换元件包括第一电极部、第二电极部、和在第一电极部和第二电极部之间的电子传输部、吸光部和空穴传输部，优选地包括基板和密封构件，并且如果需要进一步包括其他构件。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电转换元件，其包括：第一电极部；第二电极部；在所述第一电极部和所述第二电极部之间的电子传输部；吸光部；和空穴传输部，其中所述空穴传输部在通过发射具有532nm波长的激光而获得的拉曼光谱中具有在拉曼位移为1575cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰和在拉曼位移为1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰，并且具有0.80或更大的峰值强度比A/B，所述峰值强度比A/B由在1575cm
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±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度A和在1606cm
－1
±
10cm
－1
处达到最大值的峰的最大峰值强度B获得。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述峰值强度比A/B是0.90或更大。3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中所述空穴传输部包括至少空穴传输材料和氧化剂，并且所述空穴传输材料包括螺环结构。4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中所述氧化剂包括三价钴络合物。5.根据权利要求3或4所述的光电转换元件，其中所述空穴传输部进一步包括碱金属盐。6.根据权利要求3至5中任一项所述的光电转换元件，其中所述空穴传输部进一步包括具有吡啶环结构的化合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电转换元件，进一步包括设置在所述第一电极部和所述电子传输部之间的空穴阻挡部。8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电转换元件，其中所述光电转换元件包括配置为将所述空穴传输部与所述光电转换元件的外部环境屏蔽的密封构件。9.根据权利要求8所述的光电转换元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田元望，田中裕二，堀内保，兼为直道，井出陵宏，增田悦昌，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：