本发明专利技术设置有：第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；以及第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路。所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠。包括所述像素电路的半导体层由绝缘层分割。在所述传感器像素的与光轴方向垂直的平面上的至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的连续区域的中心位置或分割所述半导体层的区域的中心位置对应于所述传感器像素的光学中心的位置的方式分割所述半导体层。置的方式分割所述半导体层。置的方式分割所述半导体层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
[0001]本公开涉及摄像装置。
技术介绍
[0002]通过引入小型化工艺和提高封装密度，已经实现了二维结构的摄像装置的每个像素的面积的小型化。近年来，为了实现摄像装置的进一步尺寸减小和更高的像素密度，已经开发了三维结构的摄像装置。该三维结构的摄像装置通过将例如包括多个传感器像素的半导体基板和包括信号处理电路的半导体基板彼此堆叠而构成，该信号处理电路对在每个传感器像素中获得的信号进行处理(参见专利文献1)。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本未审查专利申请公开第2010
‑
245506号
技术实现思路
[0006]三维结构的摄像装置在堆叠方向上具有复杂的结构，因此增加了在像装置内部的入射光的反射。反射的入射光泄漏到相邻像素(所谓的串扰)，从而会降低相邻像素的灵敏度。因此，期望考虑内部的入射光反射来研究摄像装置的结构。
[0007]因此，期望提供一种使内部的入射光反射可以均匀化的摄像装置。
[0008]根据本公开实施例的摄像装置包括：第一基板，其包括进行光电转换的传感器像素；第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；以及第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路。所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠。包括所述像素电路的半导体层由绝缘层分割。在所述传感器像素的与光轴方向垂直的平面上的至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的连续区域的中心位置或分割所述半导体层的区域的中心位置对应于所述传感器像素的光学中心的位置的方式分割所述半导体层。
[0009]根据本公开实施例的摄像装置包括：第一基板，其包括进行光电转换的传感器像素；第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；以及第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路。所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠。包括所述像素电路的半导体层由绝缘层分割。在所述传感器像素的与光轴方向垂直的平面上的至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的连续区域的中心位置或分割所述半导体层的区域的中心位置对应于所述传感器像素的光学中心的位置的方式分割所述半导体层。由此，根据本公开实施例的摄像装置可以例如使透过第一基板、在第二基板的半导体层和绝缘层处反射并且进入传感器像素的光的分布更加均匀化。
附图说明
[0010][图1]图1是根据本公开实施例的摄像装置1的概略构造的示例的示意图。
[0011][图2]图2是示出传感器像素12和像素电路22的示例的电路图。
[0012][图3]图3是示出传感器像素12和像素电路22的另一示例的电路图。
[0013][图4]图4是示出传感器像素12和像素电路22的另一示例的电路图。
[0014][图5]图5是示出传感器像素12和像素电路22的另一示例的电路图。
[0015][图6]图6是示出多个像素电路22与多个垂直信号线24之间的连接的示例的电路图。
[0016][图7]图7是摄像装置1的在堆叠方向上的截面构造的示例的纵向截面图。
[0017][图8]图8是摄像装置1的在水平方向上的截面构造的示例的示意图。
[0018][图9]图9是摄像装置1的在水平方向上的截面构造的示例的示意图。
[0019][图10]图10是摄像装置1的在水平面内的配线布局的示例的示意图。
[0020][图11]图11是摄像装置1的在水平面内的配线布局的示例的示意图。
[0021][图12]图12是摄像装置1的在水平面内的配线布局的示例的示意图。
[0022][图13]图13是摄像装置1的在水平面内的配线布局的示例的示意图。
[0023][图14]图14是根据本公开实施例的摄像装置1的在堆叠方向上的截面构造的示例的纵向截面图。
[0024][图15]图15是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0025][图16]图16是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0026][图17]图17是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0027][图18]图18是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0028][图19]图19是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0029][图20]图20是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0030][图21]图21是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0031][图22]图22是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0032][图23]图23是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0033][图24]图24是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0034][图25]图25是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0035][图26]图26是同一实施例中的每个传感器像素12和第二半导体基板21的平面布置的变型的平面图。
[0036][图27A]图27A是根据第十三变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0037][图27B]图27B是根据第十三变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0038][图27C]图27C是根据第十三变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0039][图27D]图27D是根据第十三变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0040][图28A]图28A是根据第十四变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0041][图28B]图28B是根据第十四变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0042][图28C]图28C是根据第十四变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0043][图28D]图28D是根据第十四变型的摄像装置1的局部截面构造的示意性纵向截面图。
[0044][图29]图29是图7所示的截面构造的变形例的纵向截面图。
[0045][图30]图30是图7所示的截面构造的变形例的纵向截面图。
[0046][图31]图31是根据第三变形例的摄像装置的构造示例的在厚度方向上的截面图。
[0047][图32]图32是根据第三变形例的摄像装置的构造示例的在厚度方向上的截本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其包括：第一基板，其包括进行光电转换的传感器像素；第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；以及第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路，所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠，包括所述像素电路的半导体层由绝缘层分割，并且在所述传感器像素的与光轴方向垂直的平面上的至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的连续区域的中心位置或分割所述半导体层的区域的中心位置对应于所述传感器像素的光学中心的位置的方式分割所述半导体层。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在所述传感器像素的与所述光轴方向垂直的所述平面上的所述至少一个方向上，所述绝缘层以使得所述半导体层的所述连续区域的所述中心位置或分割所述半导体层的所述区域的所述中心位置与所述传感器像素的所述光学中心的所述位置基本一致的方式分割所述半导体层。3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，多个所述传感器像素在所述第一基板的面内方向上以矩阵状布置。4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述绝缘层在布置有所述传感器像素的行方向或列方向之中的至少一个或多个方向上分割所述半导体层。5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，在所述行方向或所述列方向之中的至少一个或多个方向上，所述半导体层的所述连续区域的所述中心位置或分割所述半导体层的所述区域的所述中心位置与所述传感器像素的所述光学中心的所述位置基本一致。6.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述绝缘层以横跨设置有所述传感器像素的像素区域的整个表面的方式分割所述半导体层。7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中所述第一基板包括对互不相同的波长带中的光进行光电转换的多个所述传感器像素，并且所述绝缘层以使得对具有最长波长的光进行光电转换的所述传感器像素的所述光学中心的位置对应于所述半导体层的所述连续区域的所述中心位置或分割所述半导体层的所述区域的所述中心位置的方式分割所述半导体层。8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中所述第一基板是通过在第一半导体基板上堆叠第一绝缘层而构成的，所述第一基板隔着所述第一绝缘层附接至所述半导体层，并且在所述半导体层的所述第一基板侧的表面上进一步设置有抗反射膜，所述抗反射膜的折射率的值在所述第一基板的折射率与所述第一绝缘层的折射率之间。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：山下浩史，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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