柔性被动电子组件及其制造方法技术

一种柔性被动电子组件包括衬底，所述衬底包括绝缘层和任选地具有上部侧面和下部侧面的无机层，由此所述绝缘层至少部分地覆盖所述任选的无机层的所述上部侧面。所述柔性被动电子组件进一步包括至少部分地覆盖所述绝缘层的电结构。所述衬底具有至多50μm的厚度。所述柔性被动电子组件具有至多150μm的高度。柔性被动电子组件具有至多150μm的高度。柔性被动电子组件具有至多150μm的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】柔性被动电子组件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种柔性被动电子组件，尤其是涉及一种测量由例如温度、气体吸收、化学反应、粒子流、光输入和力输入等外部影响引起的电阻变化的传感器。所述柔性被动电子组件具有电结构，其中电结构的电阻通过外部输入改变。所述电结构设置在衬底上。本专利技术还涉及一种用于制造柔性被动电子组件，尤其是制造传感器的方法。

技术介绍

[0002]温度传感器是此传感器的实例。当前使用的具有正温度系数的薄膜温度传感器是基于施加到衬底的平坦金属层。随着温度变化ΔT，金属片R(T)的电阻根据R(T)＝R(0)
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(1+ξ(T)
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ΔT)而变化，其中R(0)等于T＝0时的电阻。对于许多金属，温度系数ξ(T)
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至少在温度0<T<200℃时
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是恒定的并且与温度无关。与温度无关的电阻系数是有利的，因为其有助于根据电阻测量值确定温度。
[0003]除了合适的金属选择之外，电阻对温度等的线性相关性的重要前提条件是对衬底的正确选择。理想本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种柔性被动电子组件(1)，尤其是传感器，其包括
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衬底(10)，其包括绝缘层(3)和任选地具有上部侧面(2a)和下部侧面(2b)的无机层(2)，由此所述绝缘层(3)至少部分地覆盖所述任选的无机层(2)的所述上部侧面(2a)，以及
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电结构(4)，所述电结构(4)至少部分地覆盖所述绝缘层(3)，其特征在于所述衬底(10)具有至多50μm，优选地至多35μm，尤其优选地至多20μm的厚度(t10)，并且所述柔性被动电子组件(1)具有至多150μm，优选地至多70μm，尤其优选地至多40μm的高度(h1)。2.根据权利要求1所述的柔性被动电子组件(1)，其中所述柔性被动电子组件(1)具有柔性，其可以至少5mm，优选地至少2mm，尤其优选地至少1mm的弯曲曲率半径弯曲，并且其中所述电结构(4)在弯曲之前和之后的电阻率的相对差(d R/R0)不能超过0,5％。3.根据权利要求1或2所述的柔性被动电子组件(1)，其中所述无机层(2)由无机结晶材料、尤其是由硅、碳化硅、砷化镓或蓝宝石制成，或由无机非晶材料、尤其是由石英玻璃、硼硅玻璃或玻璃制成，或优选地由绝缘体上硅(SOI)晶圆制成。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的柔性被动电子组件(1)，其中所述柔性被动电子组件(1)具有长度、宽度和所述高度(h1)，其中所述长度乘以所述宽度的乘积为至多4mm2，优选地至多2mm2，尤其优选地至多1mm2。5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的柔性被动电子组件(1)，其中所述电结构(4)包含至少一个导体迹线(4b)和至少两个电接触垫(4a)，所述至少两个电接触垫(4a)电连接到所述至少一个导体迹线(4b)，优选地其中所述至少一个导体迹线(4b)具有均一宽度，所述宽度不超过5μm并且所述宽度的标准差不超过所述宽度的5％。6.根据权利要求5所述的柔性被动电子组件(1)，其中所述导体迹线(4b)具有至少3.000ppm/K，优选地至少3.500ppm/K，尤其优选地至少3.800ppm/K的电阻温度系数。7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的柔性被动电子组件(1)，其进一步包括至少一个额外电结构，每个额外电结构包含至少一个导体迹线，其中所述电结构(4)和所述至少一个额外电结构布置在多层结构中，使得：a)所述电结构(4)和所述至少一个额外电结构的所述导体迹线(4b)以一个在另一个上方的方式布置在不同平面上；并且b)以一个在另一个上方的方式放置的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：贺利氏先进传感器技术有限公司，
类型：发明
国别省市：