一种新型MOS管输出保护电路制造技术

本实用新型专利技术适用于电子电路技术改进领域，提供了一种新型MOS管输出保护电路,所述新型MOS管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器MCU及MOS模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述MOS模块的输入端，所述MOS模块的输出端连接所述微处理器MCU的输入端。该电路结构简单、使用方便，有效的保护的MOS管，减少的损害，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型MOS管输出保护电路


[0001]本技术属于电子电路技术改进领域，尤其涉及一种新型MOS管输出保护电路。

技术介绍

[0002]mos管是金属(metal)
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氧化物(oxide)
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半导体(semiconductor)场效应晶体管。是电子电路中非常常用的一种控制电路开关的器件，而且属于功率器件，能够通过大电流。
[0003]微硕半导体的一款MOS管芯片，WSP2982。该型号的MOS管，标称通过漏极和源极的电流是7安培。
[0004]目前，常规的使用方式，如图1
‑
2所示，MCU通过控制引脚，控制MOS管的G极（栅极），那么MOS管的源极和漏极就会导通，电流就会从电源正极，流经负载，再经过MOS管，最终回到电源负极，形成一个回路。但是上述电路，是存在一个很致命的问题。
[0005]如果在接线，或者负载存在损坏的情况的时候，当MCU控制MOS管导通的时候，电流就会从电源正极出发，绕过了负载，直接流经MOS管，回到电源负极，这样整个回路就没有负载了，会出现很大的电流，持续时间的大电流，电流一旦超过MOS管额定电流，就会将MOS管损毁。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种新型MOS管输出保护电路，旨在解决上述的技术问题。
[0007]本技术是这样实现的，一种新型MOS管输出保护电路，所述新型MOS管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器MCU及MOS模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述MOS模块的输入端，所述MOS模块的输出端连接所述微处理器MCU的输入端。
[0008]本技术的进一步技术方案是：所述恢复模块采用的是自恢复保险管F24。
[0009]本技术的进一步技术方案是：所述MOS模块包括MOS管Q7及电阻R238，所述MOS管Q7的栅极连接所述电阻R238的一端，所述MOS管Q7的源极连接所述自恢复保险管F24的一端。
[0010]本技术的进一步技术方案是：所述自恢复保险管F24采用的型号是SMD1812P050TF/30V
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0.5A。
[0011]本技术的进一步技术方案是：所述微处理器MCU包括芯片U29、电阻R239、电容C109、电容C108及电容C109，所述芯片U29的第4脚分别连接所述电阻R239的一端及电容C109的一端，所述芯片U29的第9脚分别连接所述电容C107的一端及电容C108的一端。
[0012]本技术的进一步技术方案是：所述微处理器MCU采用的型号是N76E003TSSOP20。
[0013]本技术的有益效果是：该电路结构简单、使用方便，有效的保护的MOS管，减少
的损害，降低了成本。在常规MOS管电路的基础上，进行最小的改动，只是增加一个自恢复保险管即可以实现对MOS管电路的过流保护。是一个可实施度非常高的方案。
[0014]可靠性非常高。自恢复保险管属于热敏器件，基于材料的热敏特性工作的，本身功能很简单，而且作为常规电子元器件，在使用过程中，损坏的概率很低很低，这也为整个电路的可靠运行提供保障。
附图说明
[0015]图1是现有技术框图一。
[0016]图2是现有技术框图二。
[0017]图3是本技术实施例提供的新型MOS管输出保护电路的结构框图。
[0018]图4是本技术实施例提供的新型MOS管输出保护电路的电气原理图。
具体实施方式
[0019]通过分析电路特点，对电路进行改进，常规MOS管使用电路，存在损毁MOS管的原因是在负载短路的情况下，会有大电流经过，导致MOS管损毁。那么如果能将电路中的电流进行限制，就可以起到就算负载短路的情况下，也能够起到保护MOS管不被损毁的情况。
[0020]如图3
‑
4所示，本技术提供的新型MOS管输出保护电路，所述新型MOS管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器MCU及MOS模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述MOS模块的输入端，所述MOS模块的输出端连接所述微处理器MCU的输入端。
[0021]所述恢复模块采用的是自恢复保险管F24。所述自恢复保险管F24采用的型号是SMD1812P050TF/30V
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0.5A。
[0022]所述MOS模块包括MOS管Q7及电阻R238，所述MOS管Q7的栅极连接所述电阻R238的一端，所述MOS管Q7的源极连接所述自恢复保险管F24的一端。
[0023]所述微处理器MCU包括芯片U29、电阻R239、电容C109、电容C108及电容C109，所述芯片U29的第4脚分别连接所述电阻R239的一端及电容C109的一端，所述芯片U29的第9脚分别连接所述电容C107的一端及电容C108的一端。所述微处理器MCU采用的型号是N76E003TSSOP20。
[0024]当负载存在短路的时候，电流会直接越过负载流经自恢复保险管，然后流经MOS管，最后回到电源负极。
[0025]当电流比较大的时候，自恢复保险管就会因为发热导致其内阻急剧增大，最终在整个电路中起到等效断路的效果，截断电路电流，一旦阻止了大电流的经过，MOS管也就可以得到保护，而且也起到了对电源的保护。
[0026]因为output_port会接感性负载，比如继电器，在MOS管切断的时候，因为继电器是一个电感线圈，有维持电流保持不变的特性。在MOS管切断的时候，还是会有电流从output_port流入，因为MOS管已经切断，需要留有让电流返回的通道。电流会流经D32，再回到+24VEX电源部分。R238用于消除信号振铃效应。
[0027]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本
技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型MOS管输出保护电路，其特征在于：所述新型MOS管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器MCU及MOS模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述MOS模块的输入端，所述MOS模块的输出端连接所述微处理器MCU的输入端。2.根据权利要求1所述的新型MOS管输出保护电路，其特征在于，所述恢复模块采用的是自恢复保险管F24。3.根据权利要求2所述的新型MOS管输出保护电路，其特征在于，所述MOS模块包括MOS管Q7及电阻R238，所述MOS管Q7的栅极连接所述电阻R238的一端，所述MOS管Q7的源极连接所述自恢复...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟东，刘德权，
申请(专利权)人：深圳市恒控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：