一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片，用以解决IO接收器对输入电压进行限高处理时，会造成相关接口协议不匹配，产品适用性差的问题。本发明专利技术当IO电源电压不在预设范围内时，逻辑调整电路在偏置电压、IO电源电压、第一控制电压和第二控制电压的控制下，输出等于初级输入端口电压的次级输入端口电压，接收子电路输入次级输入端口电压，并在偏置电压和IO电源电压的控制下，输出目标电压。由于IO电源电压不在预设范围内，逻辑调整电路对初级输入端口电压进行逻辑调整后，输出的次级输入端口电压等于初级输入端口电压，从而可以不损失高压电源下的输入逻辑高的电平裕度，匹配相关接口协议，提高产品适用性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片


[0001]本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片。

技术介绍

[0002]在电路系统中，在芯片中，用于与其他芯片进行通信的电路称为输入输出(Input Output，IO)电路。在IO电路中，用于向所在的芯片输入信号的电路称为IO接收器，IO接收器输入外部信号的接口称为输入端口。
[0003]IO接收器通常包括接收电路，接收电路接收到输入信号(输入电压)后，将输入信号转换成目标信号(目标电压)。
[0004]对于低压工艺下的芯片，根据产品特性，很多情况下接收电路需兼容高压的电源和端口电压。由于接收电路中器件本身无法耐高压，相关电路结构需要特殊处理以保证高压电源和高压端口通路下器件的可靠性。对于高低压电源应用兼容的IO电路，现有结构通常只支持端口电压不高于电源电压的情况，这限制了低压电源下，端口高压输入应用的兼容性。为保证器件不过压，通常需要对输入电压进行限高处理，然而，现有技术中对输入电压进行限高处理会损失高压电源下的输入逻辑高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于输入输出IO接收器的接收电路，其特征在于，包括：逻辑调整电路和接收子电路；所述逻辑调整电路，用于当IO电源电压不在预设范围内时，输入初级输入端口电压，并在所述接收子电路的偏置电压、IO电源电压、第一控制电压和第二控制电压的控制下，输出的次级输入端口电压等于所述初级输入端口电压，其中，所述第一控制电压为与所述IO电源电压相关的电压，所述第二控制电压为所述初级输入端口电压和所述IO电源电压中的较高电压；所述接收子电路，用于输入所述次级输入端口电压，并在所述偏置电压和所述IO电源电压的控制下，输出目标电压。2.如权利要求1所述的接收电路，其特征在于，还包括控制电路；所述控制电路，用于控制所述第二控制电压为所述初级输入端口电压和所述IO电源电压中的较高电压，当所述IO电源电压不在所述预设范围内时，控制所述第一控制电压为与所述IO电源电压相关的电压；所述控制电路还用于：当所述IO电源电压在所述预设范围内时，控制所述第一控制电压随所述初级输入端口电压翻转；所述逻辑调整电路还用于：输入所述初级输入端口电压，并在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下，输出的次级输入端口电压的逻辑高电平小于所述IO电源电压。3.如权利要求1所述的接收电路，其特征在于，所述逻辑调整电路包括逻辑电路和调整电路；所述逻辑电路，用于在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下，输出第一逻辑电压和第二逻辑电压；所述调整电路，用于在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第二控制电压、所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压的控制下，输出所述次级输入端口电压。4.如权利要求3所述的接收电路，其特征在于，所述偏置电压包括NMOS管偏置电压和PMOS管偏置电压；所述逻辑电路包括第一逻辑电路和第二逻辑电路；所述第一逻辑电路，用于在所述NMOS管偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下，输出所述第一逻辑电压；所述第二逻辑电路，用于在所述NMOS管偏置电压、所述PMOS管偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下，输出所述第二逻辑电压。5.如权利要求4所述的接收电路，其特征在于，所述第一逻辑电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的源极和所述第一NMOS管的源极连接，用于输入所述NMOS管偏置电压，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极连接，用于输入所述第一控制电压，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极连接，用于输出所述第一逻辑电压，所述第一PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的衬底连接，用于输入所述第二控制电压；
所述第一NMOS管的栅极用于输入所述IO电源电压，所述第一NMOS管的衬底与接地端连接。6.如权利要求4所述的接收电路，其特征在于，所述第二逻辑电路包括第一反相器、第二NMOS管、第三NMOS管和第三PMOS管；所述第一反相器的输入端用于输入所述PMOS管偏置电压，所述第一反相器的电源端与所述第二NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极连接，用于输入所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿彦，
申请(专利权)人：上海顺久电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：