一种TFT基板结构制造技术

本实用新型专利技术涉及TFT基板结构，特别涉及一种TFT基板结构，括玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间，钝化层上开设有第二过孔，第一绝缘层上开设有第三过孔，第二缓冲层上开设有第四过孔，第二绝缘层上开设有第五过孔，第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞，使得OC洞的横截面增大，这样PI液可流动扩散的道路变宽，使得PI液更容易扩散流入OC洞，从而解决因PI不沾导致Fog mura产生的问题。产生的问题。产生的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板结构


[0001]本技术涉及TFT基板结构，特别涉及一种TFT基板结构。

技术介绍

[0002]在TFT
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LCD(英文全称为Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示屏)中，涂布于CF基板和TFT基板上的配向膜，起着控制液晶分子排列方向的作用。TFT
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LCD配向膜需要有高机械强度，有配向的记忆功能，配向图案要耐得住近200度的高温。配向膜不能与液晶发生反应。工程应用上，聚酰亚胺(polyimide，PI)能同时满足以上要求。
[0003]配向膜需要进行配向处理才能有效地控制液晶分子的排列，配向技术主要有摩擦型和非摩擦型两大类。摩擦配向在LCD领域有着最广泛的应用。摩擦配向是在高分子PI表面用绒布滚轮进行接触式配向。
[0004]配向膜成膜方式有PI浸泡方式、印刷方式和喷墨方式。印刷方式有图案选择准确、印刷表面均匀等优点，因此被得到广泛应用。印刷方式基于柔性版印刷技术，PI液透过各种机构转印到基板上，转印过程中，在PI涂布在TFT侧时，由于主动笔架构有较低电容需求，故VA(绝缘层)须由一般SiNx修改为OC(缓冲层)膜层，导致OC深度由原1μm加深至2μm
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3μm，使得PI无法完全流入洞内，在滚筒滚动会导致PI被滚筒掀起，导致PI不沾在基板上，此处没有PI液，液晶没有进行预倾角，液晶杂乱无章，会有Fog mura(即圆形状灰度不均不良)现象产生。

技术实现思路
r/>[0005]本技术所要解决的技术问题是：提供一种TFT基板结构，解决因聚酰亚胺不沾在基板上而导致Fog mura产生的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0007]一种TFT基板结构，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，所述蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第一绝缘层上开设有第三过孔，所述第二缓冲层上开设有第四过孔，所述第二绝缘层上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中均填充有画素电极层，所述第一绝缘层上开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第二缓冲层，所述第六过孔中填充的第二缓冲层上开设有第七过孔，所述第七过孔中填充有共通电极层。
[0008]本技术的有益效果在于：
[0009]通过设置第二缓冲层，第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间，且在第六过孔中也填充有第二缓冲层，钝化层上开设有第二过孔，第一绝缘层上开设有第三过孔，第
二缓冲层上开设有第四过孔，第二绝缘层上开设有第五过孔，第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞，由于第二缓冲层的加入，使得OC洞的横截面增大，这样PI液可流动扩散的道路变宽，使得PI液更容易扩散流入OC洞，从而解决因PI不沾导致Fog mura(即圆形状灰度不均不良)产生的问题。本方案能够有效解决OC洞过深，因PI不沾基板而导致Fog mura产生的问题，提升产品良率，降低成本。
附图说明
[0010]图1为根据本技术的一种TFT基板结构的结构示意图；
[0011]标号说明：
[0012]1、玻璃基板；2、栅极金属层；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、蚀刻阻挡层；6、源漏极金属层；7、钝化层；8、第一缓冲层；9、第一金属层；10、第一绝缘层；11、第二缓冲层；12、共通电极层；13、第二绝缘层；14、画素电极层。
具体实施方式
[0013]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0014]请参照图1，本技术提供的技术方案：
[0015]一种TFT基板结构，括玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，所述蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第一绝缘层上开设有第三过孔，所述第二缓冲层上开设有第四过孔，所述第二绝缘层上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中均填充有画素电极层，所述第一绝缘层上开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第二缓冲层，所述第六过孔中填充的第二缓冲层上开设有第七过孔，所述第七过孔中填充有共通电极层。
[0016]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：
[0017]通过设置第二缓冲层，第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间，且在第六过孔中也填充有第二缓冲层，钝化层上开设有第二过孔，第一绝缘层上开设有第三过孔，第二缓冲层上开设有第四过孔，第二绝缘层上开设有第五过孔，第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞，由于第二缓冲层的加入，使得OC洞的横截面增大，这样PI液可流动扩散的道路变宽，使得PI液更容易扩散流入OC洞，从而解决因PI不沾导致Fog mura(即圆形状灰度不均不良)产生的问题。本方案能够有效解决OC洞过深，因PI不沾基板而导致Fog mura产生的问题，提升产品良率，降低成本。
[0018]进一步的，所述第二缓冲层的厚度范围为
[0019]由上述描述可知，在增大OC洞的横截面的同时，进一步保证PI液更容易和稳定地扩散流入OC洞中，从而解决因PI不沾导致Fog mura产生的问题，以提升产品良率。
[0020]进一步的，所述第一缓冲层的材质与第二缓冲层的材质均为SiNx。
[0021]由上述描述可知，第一缓冲层的材质与第二缓冲层的材质均为SiNx，能够进一步
提升产品良率。
[0022]进一步的，所述第二过孔中填充的画素电极层与源漏极金属层接触。
[0023]进一步的，所述第七过孔中填充的共通电极层与第一金属层接触。
[0024]请参照图1，本技术的实施例一为：
[0025]请参照图1，一种TFT基板结构，包括玻璃基板1，在所述玻璃基板1的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层2、栅极绝缘层3、有源层4、蚀刻阻挡层5、源漏极金属层6、钝化层7、第一缓冲层8、第一金属层9、第一绝缘层10、第二缓冲层11、共通电极层12和第二绝缘层13，所述蚀刻阻挡层5上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层6，所述钝化层7上开设有第二过孔，所述第一绝缘层10上开设有第三过孔，所述第二缓冲层11上开设有第四过孔，所述第二绝缘层13上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板结构，其特征在于，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，所述蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第一绝缘层上开设有第三过孔，所述第二缓冲层上开设有第四过孔，所述第二绝缘层上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中均填充有画素电极层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张桂瑜，许汉东，王强，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：