一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，它包括支撑框、设于支撑框内的第一阶梯凹槽以及设于第一阶梯凹槽底面上的第二阶梯凹槽；所述第一阶梯凹槽底面上环设有支撑硅片四周边缘的支撑块，其平整度不能超过0.5mm。本实用新型专利技术的目的在于提供一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，在硅片在PECVD沉积中能减少绕镀，提高膜层质量。提高膜层质量。提高膜层质量。

【技术实现步骤摘要】
一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板


[0001]本技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板。

技术介绍

[0002]载板承载着硅片进入PECVD腔室进行非晶硅薄膜沉积。硅片在腔室内快速升温，使得硅片在短时间内达到工艺所需温度，是决定PECVD镀膜沉积效率的先决条件。硅片内各个点的温度、膜层厚度的均匀性以及镀膜时避免绕镀是决定电池片性能高低的关键因素。
[0003]硅片的升温速率、镀膜均匀性、不绕镀与PECVD的载板密切相关，传统的载板结构有全实心结构和全镂空结构，全实心结构一般为硅片与载板全面积接触，达到硅片与载板同步加热，因硅片热容远小于载板的热容，硅片的温度完全受控于载板，欲把硅片温度加热到工艺温度，必须先把载板的温度加热到工艺温度，严重降低了系统的升温效率，且全面积接触容易造成硅片的非晶硅膜层与载板产生不同程度的摩擦，影响电池的电气性能；而全镂空结构的优点在于硅片与载板的接触面积少，膜层与载板间摩擦少，同时温度控制可以通过气体传导方式进行，便于控制，然而全镂空结构由于硅片中间部位镂空，镀膜时，辉光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：它包括支撑框、设于支撑框内的第一阶梯凹槽以及设于第一阶梯凹槽底面上的第二阶梯凹槽；所述第一阶梯凹槽底面上环设有支撑硅片四周边缘的支撑块，其平整度不能超过0.5mm。2.根据权利要求1所述的一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：所述支撑块的上表面低于支撑框上表面。3.根据权利要求1所述的一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：所述支撑块为一体式结构，和/或，所述支撑块与第一阶梯凹槽为可拆装设计。4.根据权利要求1所述的一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：所述支撑块的材质为玻璃或陶瓷。5.根据权利要求1所述的一种带有硅片支撑块的太阳能电池载板，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锦山，廖培灿，谢志刚，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：