用于减少浸入式光刻中的污染物的装置和方法制造方法及图纸

技术编号:3184331 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置,包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件,该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙,该缝隙与晶片的外边缘相邻,并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径,以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动,从而相对于半导体晶片的上表面,将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于减少浸入式光刻中的污染物的装置,包括:晶片卡盘组件,包括配置为在其支撑表面上保持半导体晶片的晶片卡盘;所述晶片卡盘中具有的缝隙,所述缝隙与所述晶片的外边缘相邻,并且所述缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体;以及液 体循环路径,配置在所述晶片卡盘中,以便促进在所述缝隙中的所述浸入式光刻液体的向外辐射运动,从而相对于所述半导体晶片的上表面,将所述浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:D施奈德黎家辉RJ贝扎马DL戈德法布
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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