本发明专利技术公开了一种微功率标准光源装置及微功率标准光源生成方法，属于光电光源技术领域。一种微功率标准光源装置，其特征在于，包括：基座、射线源座、射线源、晶片安装座以及晶片；基座设有腔体，腔体延伸至基座的一端，射线源座和晶片安装座朝腔体开口所在的方向依次设置在腔体的底端，射线源和晶片分别安装在射线源座和晶片安装座上，射线源与晶片相对设置，使射线源辐射的射线激发晶片，产生稳定荧光。本发明专利技术通过射线激发晶片产生稳定荧光，从而实现标准光源的输出，具有输出光功率稳定，体积小，结构简单，无需外接电源，输出光功率及波长不受环境因素影响的优点，因此可以作为一种非常稳定的标准光源使用。种非常稳定的标准光源使用。种非常稳定的标准光源使用。
【技术实现步骤摘要】
一种微功率标准光源装置及微功率标准光源生成方法
[0001]本专利技术涉及光电光源
，具体涉及一种微功率标准光源装置及微功率标准光源生成方法。
技术介绍
[0002]光子计数器是一种微弱光检测仪器，光电倍增管是其中的关键元器件。为了使光电倍增管准确正常的工作，需要提供一种发光强度稳定的标准光源作为光电倍增管的参考标定。
[0003]当前技术中存在一些标准光源的设计方案，例如CN112903096A公布的“一种标准光源装置”，该装置包括一个底座和导光结构，底座中包含电池、发光二极管及其控制电路；导光结构中包含衰减片等机构。但装置依赖电池、发光二极管和控制电路的稳定性，电池电量的变化，发光二极管和控制电流在工作时由于温度导致的漂移，都会影响到光源发光的稳定性，这使得标准光源在使用过程中无法溯源。而且，使用发光二极管作为发光光源，普遍存在体积大，发光不稳定，还需要更换电池的缺点。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种微功率标准光源装置及微功率标准光源生成方法，以解决使用发光二极管作为发光光源时，具有体积大，发光不稳定,同时对供电存在依赖的问题。
[0005]本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0006]一种微功率标准光源装置，其特征在于，包括：基座、射线源座、射线源、晶片安装座以及晶片；基座设有腔体，腔体延伸至基座的一端，射线源座和晶片安装座朝腔体开口所在的方向依次设置在腔体的底端，射线源和晶片分别安装在射线源座和晶片安装座上，射线源与晶片相对设置，使射线源辐射的射线激发晶片，产生稳定荧光。
[0007]本专利技术通过射线源产生射线，射线经过晶片会激发晶片分子，晶片分子退激后，会产生稳定荧光，从而实现标准光源的输出，相较于采用发光二极管作为发光光源，具有输出光功率稳定，体积小，结构简单,无需供电的优点，光源的波长和其产生的光强极其稳定,不受时间、温度、湿度、震动等环境因素的影响。同时，整个装置便于携带，可以单独使用。
[0008]进一步地，上述射线源座的中部设有第一安装通孔，晶片安装座的中部设有与第一安装通孔相对应的第二安装通孔，射线源和晶片分别安装在第一安装通孔和第二安装通孔中。
[0009]进一步地，上述射线源和晶片的轴线重合。
[0010]进一步地，上述射线源为碳
‑
14β射线标准源。
[0011]本专利技术采用碳
‑
14β射线标准源作为射线源，碳
‑
14简称C14，其半衰期长达5730多年，光源的波长及其产生的光强极其稳定，在装置整个使用周期内不需要更换射线源，大大增加了装置的使用寿命以及装置单次使用时长。
[0012]进一步地，上述腔体的侧壁设有遮光泡棉。
[0013]本专利技术的遮光泡棉用于填充基座与其他部件，如PMT模块之间的间隙，在实际测试过程中起到避光的作用。
[0014]进一步地，标准光源装置还包括衰减片安装座和衰减片；衰减片安装座可拆卸设置在腔体中并位于晶片远离射线源的一侧，衰减片安装座的中部设有第三安装通孔，衰减片安装在第三安装通孔中并与晶片相对设置。
[0015]本专利技术的衰减片用于调整输出光强，而衰减片安装座与基座可拆卸连接，可以更换衰减片，用于调整出多个输出光强，以满足使用要求。
[0016]进一步地，上述基座的侧壁设有安装槽，腔体的内壁设有限位台阶，限位台阶与安装槽齐平，衰减片安装座穿过安装槽并置于限位台阶上。
[0017]进一步地，上述衰减片安装座设有把手，把手位于安装槽的外侧。
[0018]一种基于上述微功率标准光源装置的微功率标准光源生成方法，包括以下步骤：
[0019]S1：射线源发出射线经过晶片，与晶片发生相互作用，使晶片分子被激发；
[0020]S2：晶片分子退激，发射荧光光子，实现稳定的标准光源输出。
[0021]进一步地，上述步骤S2之后还包括步骤S3：荧光光子经过衰减片，调整输出光强。
[0022]本专利技术的标准光源生成过程简单，生成的光源稳定，能满足单次长时间使用，同时，整个装置的元器件少,无需电源，使得整个装置的体积小，便于携带，从而可以单独进行使用。
[0023]本专利技术具有以下有益效果：
[0024](1)本专利技术通过射线源产生射线，射线经过晶片会激发晶片分子，晶片分子退激后，会产生稳定荧光，从而实现标准光源的输出，相较于采用发光二极管作为发光光源，具有输出光功率稳定，体积小，结构简单，无需外接电源，输出光功率及波长不受时间、温度、湿度、震动等环境因素影响的优点，因此可以作为一种非常稳定的标准光源使用。
[0025](2)本专利技术采用碳
‑
14β射线标准源作为射线源，碳
‑
14半衰期长达5730多年，光源的波长及其产生的光强极其稳定，在装置整个使用周期内不需要更换射线源，大大增加了装置的使用寿命以及装置单次使用时长。
附图说明
[0026]图1为本专利技术的微功率标准光源装置的爆炸结构示意图；
[0027]图2为本专利技术的微功率标准光源装置的内部结构示意图；
[0028]图3为本专利技术的基座的结构示意图。
[0029]图中：10
‑
基座；11
‑
腔体；12
‑
安装槽；13
‑
限位台阶；20
‑
射线源座；30
‑
射线源；40
‑
晶片安装座；50
‑
晶片；60
‑
遮光泡棉；70
‑
衰减片安装座；71
‑
把手；80
‑
衰减片。
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0031]实施例
[0032]请参照图1至图3，一种微功率标准光源装置，包括：基座10，以及位于所述基座10
内的射线源座20、射线源30、晶片安装座40、晶片50、衰减片安装座70以及衰减片80。射线源30、晶片50和衰减片80分别安装在射线源座20、晶片安装座40和衰减片安装座70上，并且射线源30、晶片50和衰减片80依次设置，射线源30产生的射线经过晶片50，与晶片50发生相互作用，使晶片分子被激发，晶片分子退激后，发射荧光光子，实现稳定的标准光源输出。
[0033]基座10设有腔体11，腔体11延伸至基座10的顶端，腔体11的底端设有三个台阶，从下到上分别为第一台阶、第二台阶以及限位台阶13，依次用于放置射线源座20、晶片安装座40和衰减片安装座70。基座10的侧壁设有条形的安装槽12，安装槽12与限位台阶13齐平，衰减片安装座70从安装槽12伸入到腔体11内，并置于限位台阶13上，便于对衰减片80的更换。腔体11的侧壁粘接有遮光泡棉60，在与其他部件或装置连接时，用于填充基座10本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微功率标准光源装置，其特征在于，包括：基座(10)、射线源座(20)、射线源(30)、晶片安装座(40)以及晶片(50)；所述基座(10)设有腔体(11)，所述腔体(11)延伸至所述基座(10)的一端，所述射线源座(20)和所述晶片安装座(40)朝所述腔体(11)开口所在的方向依次设置在所述腔体(11)的底端，所述射线源(30)和所述晶片(50)分别安装在所述射线源座(20)和所述晶片安装座(40)上，所述射线源(30)与所述晶片(50)相对设置，使所述射线源(30)辐射的射线激发晶片，产生稳定荧光。2.根据权利要求1所述的微功率标准光源装置，其特征在于，所述射线源座(20)的中部设有第一安装通孔，所述晶片安装座(40)的中部设有与所述第一安装通孔相对应的第二安装通孔，所述射线源(30)和所述晶片(50)分别安装在所述第一安装通孔和第二安装通孔中。3.根据权利要求2所述的微功率标准光源装置，其特征在于，所述射线源(30)和所述晶片(50)的轴线重合。4.根据权利要求1所述的微功率标准光源装置，其特征在于，所述射线源(30)为碳
‑
14β射线标准源。5.根据权利要求1所述的微功率标准光源装置，其特征在于，所述腔体(11)的侧壁设有遮光泡棉(60)。6.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：官辉，张兴鹏，韦润聃，杨松，常乐，
申请(专利权)人：成都宜乐芯生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。