阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板技术

本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板，所述阵列基板的制作方法，包括步骤提供一基板；在所述基板上沉积遮光材料；以及蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度。本申请旨在解决现有阵列基板的遮光层侧面倾斜，导致光反射，进而造成光的透过率低的问题。透过率低的问题。透过率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display，OLED)。OLED具有功耗低、响应速度快、较宽的视角等优势，而获得大规模应用。在OLED面板中，遮光层结构是不可或缺的结构，遮光层结构对应薄膜晶体管设置，防止其中半导体层出现漏电流问题。在采用Bottom Emission(底发光)结构的OLED中，在该类型的显示面板中，发光层发出的光是经过平坦层、阵列基板从玻璃基板一侧出光的，由于现有的遮光层结构的侧面是倾斜状态的，这使得发光结构发出的光在穿透阵列基板时，存在一部分光会打到遮光层结构倾斜的侧面上，光线会被反射回面板内而无法从玻璃基板一侧发出，造成显示面板光线的透过率低的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板，旨在解决现有阵列基板光穿透效率较低的问题。
[0004]本申请公开了一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
[0005]提供一基板；
[0006]在所述基板上沉积遮光材料；以及
[0007]蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度。
[0008]可选的，所述在所述基板上沉积遮光材料的步骤包括：
[0009]在所述基板上沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第一遮光材料；以及
[0010]在第一遮光材料的上方沉积铜材料或铜氧化物材料或铬材料或铬氧化物材料或铝合金材料或铝氧化物材料形成厚度为3500至6500埃米的第二遮光材料。
[0011]可选的，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：
[0012]在第二遮光材料的上方黄光曝光形成光刻胶；
[0013]对第二遮光材料进行干蚀刻形成第二遮光膜层；
[0014]对第一遮光材料进行湿蚀刻形成第一遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及
[0015]剥离所述光刻胶。
[0016]可选的，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：
[0017]在第二遮光材料的上方通过半色调掩膜形成光刻胶，形成的所述光刻胶包括相互连接的第一光刻部分和第二光刻部分，所述第二光刻部分环绕所述第一光刻部分的外围设置一圈，其中，所述第一光刻部分的厚度大于所述第二光刻部分的厚度；
[0018]对第二遮光材料进行干蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分和所述第二光刻部分的总宽度对应的第二遮光层预备膜层，同时，将所述第二光刻部分完全蚀刻；
[0019]对第一遮光材料进行湿蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分对应的第一遮光膜层，同时，对第二遮光层预备膜层的侧面进行湿蚀刻得到宽度与所述第一光刻部分对应的第二遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及
[0020]剥离所述光刻胶。
[0021]可选的，所述在所述基板上沉积遮光材料的步骤包括：
[0022]在所述基板上沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第一遮光材料；
[0023]在第一遮光材料的上方沉积铜材料或铜氧化物材料或铬材料或铬氧化物材料或铝合金材料或铝氧化物材料形成厚度为3500至6500埃米的第二遮光材料；以及
[0024]在第二遮光材料的上方沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第三遮光材料。
[0025]可选的，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：
[0026]在第三遮光材料的上方黄光曝光形成光刻胶；
[0027]对第三遮光材料进行干蚀刻形成第三遮光膜层；
[0028]对第二遮光材料进行湿蚀刻形成第二遮光膜层；
[0029]对第一遮光材料进行湿蚀刻形成第一遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及
[0030]剥离所述光刻胶。
[0031]可选的，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：
[0032]在第三遮光材料的上方通过半色调掩膜形成光刻胶，形成的所述光刻胶包括相互连接的第一光刻部分、第二光刻部分和第三光刻部分，所述第二光刻部分环绕所述第一光刻部分的外围设置一圈，而所述第三光刻部分环绕所述第二光刻部分的外围设置一圈，其中，所述第一光刻部分、所述第二光刻部分和第三光刻部分的厚度依次减小；
[0033]对第三遮光材料进行干蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分、所述第二光刻部分和所述第三光刻部分的总宽度对应的第三遮光层预备膜层，同时，将所述第三光刻部分完全蚀刻；
[0034]对第二遮光材料进行湿蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分和所述第二光刻部分的总宽度对应的第二遮光层预备膜层，同时，对第三遮光层预备膜层的侧面进行湿蚀刻得到宽度与所述第一光刻部分和所述第二光刻部分的总宽度对应的第三遮光层预备膜层，同时，将所述第二光刻部分完全蚀刻；
[0035]对第一遮光材料进行湿蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分的宽度对应的第一遮光膜层，同时，对所述第二遮光层预备膜层和所述第三遮光层预备膜层的侧面进行湿蚀刻
得到宽度与所述第一光刻部分的宽度对应的第二遮光膜层和第三遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及
[0036]剥离所述光刻胶。
[0037]本申请还公开了一种阵列基板，包括包括基板、遮光层、薄膜晶体管层，所述遮光层位于所述基板上，所述薄膜晶体管层位于所述遮光层上，其特征在于，所述遮光层的侧面与所述基板所在平面的夹角为80度至110度。
[0038]可选的，所述遮光层包括第一遮光膜层和第二遮光膜层，所述第一遮光膜层形成在所述基板上，所述第二遮光膜层形成在所述第一遮光膜层上；
[0039]或所述遮光层包括第一遮光膜层、第二遮光膜层和第三遮光膜层，所述第一遮光膜层形成在所述基板上，所述第二遮光膜层形成在所述第一遮光膜层上，所述第三遮光膜层形成在所述第二遮光膜层上。
[0040]本申请还公开了一种显示面板，包括发光结构、封装层以及如上述的阵列基板，所述阵列基板还包括色阻层、平坦层，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，所述色阻层位于所述薄膜晶体管的侧面，所述平坦层位于所述遮光层和所述薄膜晶体管层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上沉积遮光材料；以及蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积遮光材料的步骤包括：在所述基板上沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第一遮光材料；以及在第一遮光材料的上方沉积铜材料或铜氧化物材料或铬材料或铬氧化物材料或铝合金材料或铝氧化物材料形成厚度为3500至6500埃米的第二遮光材料。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：在第二遮光材料的上方黄光曝光形成光刻胶；对第二遮光材料进行干蚀刻形成第二遮光膜层；对第一遮光材料进行湿蚀刻形成第一遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及剥离所述光刻胶。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤包括：在第二遮光材料的上方通过半色调掩膜形成光刻胶，形成的所述光刻胶包括相互连接的第一光刻部分和第二光刻部分，所述第二光刻部分环绕所述第一光刻部分的外围设置一圈，其中，所述第一光刻部分的厚度大于所述第二光刻部分的厚度；对第二遮光材料进行干蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分和所述第二光刻部分的总宽度对应的第二遮光层预备膜层，同时，将所述第二光刻部分完全蚀刻；对第一遮光材料进行湿蚀刻，形成宽度与所述第一光刻部分对应的第一遮光膜层，同时，对第二遮光层预备膜层的侧面进行湿蚀刻得到宽度与所述第一光刻部分对应的第二遮光膜层，且所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度；以及剥离所述光刻胶。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积遮光材料的步骤包括：在所述基板上沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第一遮光材料；在第一遮光材料的上方沉积铜材料或铜氧化物材料或铬材料或铬氧化物材料或铝合金材料或铝氧化物材料形成厚度为3500至6500埃米的第二遮光材料；以及在第二遮光材料的上方沉积钼合金材料或钛合金材料或钼钛合金材料形成厚度为500至1500埃米的第三遮光材料。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻遮光材料形成遮光层，且形成的所述遮光层的侧面和所述基板所在平面之间的夹角为80至110度的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋一男，河雨石，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：