巨量转移方法技术

本发明专利技术涉及一种巨量转移方法，所述巨量转移方法不受衬底上LED芯片之间的间距限制，利用酚羟基聚合物中羟基的强给氢能力(阴离子聚电解质)与叠氮聚合物中叠氮基团的给电子能力(阳离子聚电解质)，使得酚羟基聚合物与叠氮聚合物相互吸引，从而使得具有酚羟基聚合物膜层的LED芯片靶向自组装于叠氮聚合物膜层表面，酚羟基聚合物膜层与叠氮聚合物膜层形成基于氢键的组装膜层，然后通过紫外光照使酚羟基聚合物与叠氮聚合物发生叠氮化反应形成共价键，形成共价联结，从而使得LED芯片可快速准确地转移到基板相应的像素上，提升转移效率和转移精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种巨量转移方法。

技术介绍

[0002]Micro LED(微发光二极管)的巨量转移，要求把微米级大小的Micro
‑
LED芯片从施主晶圆上精准抓取，扩大阵列距离，妥善安放固定到目标衬底(如显示器背板)上。以现有的主流LED固晶速度，往往需要花费数十天时间对一块电视屏幕进行贴装，远远不能满足产业化的要求。
[0003]针对从施主晶圆上精确剥离，扩大晶片阵列距离并转移晶片这一工艺过程，目前主流方案包括：
[0004]1、激光剥离和激光加热释放技术。适应目标衬底对于Micro
‑
LED芯片放置距离的要求，激光对Micro
‑
LED芯片转移基板上相隔开一定距离晶片进行选择性的照射，使晶片剥离/释放，落到目标衬底上，实现扩大晶片阵列距离的目标。该方案不需移动Micro
‑
LED芯片转移基板即可实现多片Micro
‑
LED芯片的距离扩大和转移放置。但是，该方案实施的前提是目标衬底上相邻两片晶片放置的距离必须为Micro
‑
LED芯片转移基板上两片晶片距离的整数倍，否则无法同时对齐多片Micro
‑
LED芯片；
[0005]2、拉伸弹性薄膜扩大晶片阵列距离。先将Micro
‑
LED芯片转移到弹性薄膜上，通过拉伸弹性薄膜，使弹性薄膜均匀拉伸，同时其上的晶片间的距离也得到均匀拉伸，再转移到目标衬底上。该方案可以同时实现大量晶片的扩晶和转移放置，但是，该方案对弹性薄膜的均匀一致性要求较高，否则扩晶后晶片的距离无法适应目标衬底的要求。

技术实现思路

[0006]本专利技术目的在于，提供一种巨量转移方法，以解决现有巨量转移方法受限于衬底上Micro
‑
LED芯片之间间距的问题。
[0007]具体地，本专利技术采用的技术方案为：
[0008]一种巨量转移方法，包括：
[0009]提供衬底；
[0010]在所述衬底表面形成多个LED芯片；
[0011]在所述LED芯片表面形成酚羟基聚合物膜层；
[0012]将多个所述LED芯片从衬底上分离；
[0013]提供基板；
[0014]在所述基板表面形成阻挡层；
[0015]在所述阻挡层表面形成多个暴露所述基板至少部分表面的通孔；
[0016]在至少部分所述通孔内形成叠氮聚合物膜层；
[0017]将所述LED芯片转移至所述基板；
[0018]所述LED芯片通过所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层组装；
[0019]紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结。
[0020]为实现上述目的，本专利技术还提供另一种巨量转移方法，包括：
[0021]提供衬底；
[0022]在所述衬底表面形成多个LED芯片；
[0023]在所述LED芯片表面形成酚羟基聚合物膜层；
[0024]将多个所述LED芯片从衬底上分离；
[0025]提供基板；
[0026]在所述基板表面形成叠氮聚合物膜层；
[0027]在所述叠氮聚合物膜层表面形成阻挡层；
[0028]在所述阻挡层表面形成至少一个暴露所述叠氮聚合物膜层至少部分表面的通孔；
[0029]将所述LED芯片转移至所述基板；
[0030]所述LED芯片通过所述酚羟基聚合物膜层与暴露于所述通孔的所述叠氮聚合物膜层组装；
[0031]紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结。
[0032]可选的，所述紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结的步骤还包括采用剥离液剥离所述阻挡层。
[0033]可选的，形成所述酚羟基聚合物膜层的酚羟基聚合物包括但不限于聚苯胺、酚醛树脂、杯芳烃类化合物和4
‑
羟苯基卟啉。
[0034]可选的，形成所述叠氮聚合物膜层的叠氮聚合物包括但不限于重氮树脂及其衍生物。
[0035]可选的，所述将所述LED芯片转移至所述基板的步骤中，还包括将所述基板和所述LED芯片放置于水或极性溶液中搅拌混合。
[0036]可选的，所述将多个所述LED芯片从衬底上分离的步骤包括：通过激光剥离技术将多个所述LED芯片从衬底上分离。
[0037]可选的，通过喷墨打印在所述基板表面形成所述叠氮聚合物膜层，所述通孔的排布方式与所述基板上的像素单元排布方式相对应，露出所述叠氮聚合物膜层的所述通孔所对应的像素单元的像素颜色与所述LED芯片颜色相对应，在所述衬底表面形成的多个所述LED芯片的颜色相同。
[0038]可选的，所述阻挡层为光阻层，所述在所述阻挡层表面形成所述通孔的步骤包括：对所述阻挡层进行曝光、显影及烘烤以形成所述通孔。
[0039]可选的，所述在所述衬底表面形成多个LED芯片的步骤还包括在所述衬底表面依次外延生长形成缓冲层、非故意掺杂层和LED外延结构，所述LED外延结构包括依次外延生长形成于所述非故意掺杂层表面的N型导电层、发光层、P型导电层、透明导电层和接触层，所述接触层包括形成于所述透明导电层的P极金属层和形成于所述发光层表面的接触电极。
[0040]本专利技术的有益效果在于，本专利技术所提供的巨量转移方法，不受衬底上LED芯片之间的间距限制，利用酚羟基聚合物中羟基的强给氢能力(阴离子聚电解质)与叠氮聚合物中叠氮基团的给电子能力(阳离子聚电解质)，使得酚羟基聚合物与叠氮聚合物相互吸引，从而使得具有酚羟基聚合物膜层的LED芯片靶向自组装于叠氮聚合物膜层表面，酚羟基聚合物
膜层与叠氮聚合物膜层形成基于氢键的组装膜层，然后通过紫外光照使酚羟基聚合物与叠氮聚合物发生叠氮化反应形成共价键，形成共价联结，从而使得LED芯片可快速准确地转移到基板相应的像素上，提升转移效率和转移精度。
附图说明
[0041]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0042]图1是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法的流程示意图；
[0043]图2a是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中衬底与LED芯片的结构示意图；
[0044]图2b是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中衬底与单个LED芯片的结构示意图；
[0045]图2c是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中在多个LED芯片表面形成酚羟基聚合物膜层的结构示意图；
[0046]图2d是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中在从衬底表面剥离多个LED芯片的结构示意图；
[0047]图2e是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中在基板表面形成阻挡层的结构示意图；
[0048]图2f是本专利技术一示例性实施例所提供的巨量转移方法中在阻挡层表面形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成多个LED芯片；在所述LED芯片表面形成酚羟基聚合物膜层；将多个所述LED芯片从衬底上分离；提供基板；在所述基板表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成多个暴露所述基板至少部分表面的通孔；在至少部分所述通孔内形成叠氮聚合物膜层；将所述LED芯片转移至所述基板；所述LED芯片通过所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层组装；紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结。2.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成多个LED芯片；在所述LED芯片表面形成酚羟基聚合物膜层；将多个所述LED芯片从衬底上分离；提供基板；在所述基板表面形成叠氮聚合物膜层；在所述叠氮聚合物膜层表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成至少一个暴露所述叠氮聚合物膜层至少部分表面的通孔；将所述LED芯片转移至所述基板；所述LED芯片通过所述酚羟基聚合物膜层与暴露于所述通孔的所述叠氮聚合物膜层组装；紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结。3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述紫外光照使所述酚羟基聚合物膜层与所述叠氮聚合物膜层形成共价联结的步骤还包括采用剥离液剥离所述阻挡层。4.如权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，形成所述酚羟基聚合物膜层的酚羟基聚合物包括但不限于聚苯胺、酚醛树脂、杯芳烃类化合物和4
‑
羟苯基卟啉。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳宏，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：