存储器设备及其操作方法技术

一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。验证操作的至少两个编程循环。验证操作的至少两个编程循环。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2020年7月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0085683号和于2020年11月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0154579号的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。


[0003]本专利技术构思涉及存储器设备，并且更具体地，涉及具有提高的写入操作速度的存储器设备及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器是用于数字数据存储的数字电子半导体存储器。半导体存储器可以包括即使在断电后也能保持存储的信息的非易失性存储器设备。闪存是非易失性存储器设备的示例。例如，闪存可用于手机、数码相机、便携式数字助理(PDA)、移动计算机设备和固定计算机设备。
[0005]可以执行多个编程循环(program loop)来将数据写入非易失性存储器设备。可以在编程循环的每一个中执行编程操作(program operatio本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于所述存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向所述存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一编程循环至第N编程循环，并且当所述第N编程循环的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环，其中，N是等于或大于1的整数。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少两个编程循环包括：第(N+1)编程循环，包括使用正常编程电压对所述存储器单元当中的第一存储器单元的正常编程操作，以及使用强制编程电压对所述存储器单元中的第二存储器单元的强制编程操作；以及第(N+2)编程循环，包括使用强制编程电压的、对所述第一存储器单元的强制编程操作。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述控制逻辑被配置为：控制所述电压生成器生成用于所述第一编程循环至第N编程循环中的编程操作和验证操作的电压，并且控制所述电压生成器选择性地生成在所述至少两个编程循环中的编程操作中使用的电压。4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述验证操作包括：用于基于第一阈值电压确定粗略导通单元和粗略截止单元的操作，以及用于基于第二阈值电压确定精细导通单元和精细截止单元的操作，并且所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，具有低于所述第一阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第一存储器单元，并且具有大于所述第一阈值电压且小于所述第二阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第二存储器单元。6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，通过对具有低于所述第一阈值电压的阈值电压电平的存储器单元的数量或具有低于所述第二阈值电压的阈值电压电平的存储器单元的数量进行计数来执行所述通过/失败确定。7.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括页面缓冲器，所述页面缓冲器通过多条位线连接到所述存储器单元阵列，其中，所述页面缓冲器接收通过位线从所述存储器单元阵列读取的、与所述第一编程循环至第N编程循环中的验证操作相关的数据，并且在所述至少两个编程循环中，跳过通过位线向所述页面缓冲器提供数据的操作。8.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：执行包括编程操作和验证操作的第N编程循环，其中，N是等于或大于1的整数；通过对具有低于预定阈值电压的阈值电压电平的存储器设备的存储器单元的数量进行计数来确定所述编程操作是通过还是失败；当确定所述编程操作是通过时，执行第(N+1)编程循环，所述第(N+1)编程循环包括使用正常编程电压对所述存储器单元当中的第一存储器单元的正常编程操作，以及使用强制编程电压对所述存储器单元当中的第二存储器单元的强制编程操作；以及
执行第(N+2)编程循环，所述第(N+2)编程循环包括使用强制编程电压对所述第一存储器单元的强制编程操作，其中，在所述第(N+1)编程循环和所述第(N+2)编程循环的每一个中跳过验证操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第N编程循环中执行的验证操作包括：用于基于第一阈值电压确定粗略导通单元和粗略截止单元的操作，以及用于基于第二阈值电压确定精细导通单元和精细截止单元的操作，并且所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：金佳林，金炯坤，李知尚，张俊锡，郑原宅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：