高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其组成表达式为aMgSiO3‑

【技术实现步骤摘要】
高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术属于电子陶瓷及其制备
，具体地，涉及一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着近几十年来的发展，微波介质陶瓷已成为一种新型的功能陶瓷材料，其在微波频段电路中作为介质材料完成一种或多种功能。微波介电性能是微波介质陶瓷应用的决定因素，而相对介电常数ε
r
、品质因数Q
×
f和谐振频率温度系数τ
f
是微波介电性能的三个主要参数。
[0003]随着5G移动通信系统产业的快速发展，作为通信设备中的重要器件，微波元器件特别是滤波器、谐振器受到研发人员的广泛关注。为了进一步提升微波元器件的性能、适应通讯领域越来越高的通信频率，对微波介电材料的要求主要有以下几点：(1)低介电常数ε
r
；(2)尽可能高的品质因数Q
×
f；(3)近零的谐振频率温度系数τ
f
；(4)所选材料价格便宜且无毒环保。从目前5G
‑/>6G通讯领域的需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其特征在于：其组成表达式为aMgSiO3‑
bMgTiO3‑
cZnTiO3‑
dLiNdTi2O6‑
eCaTiO3，其中，a、b、c、d和e分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：10mol％≤a≤20mol％，65mol％≤b≤75mol％，2mol％≤c≤10mol％，2mol％≤d≤10mol％，5mol％≤e≤10mol％，a+b+c+d+e＝100mol％。2.根据权利要求1所述的高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其特征在于：该组成表达式中，a＝15mol％，b＝70mol％，c＝5mol％，d＝5mol％，e＝5mol％。3.根据权利要求1所述的高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷的相对介电常数为19～21，Q
×
f值大于60000GHz，谐振频率温度系数为
±
3ppm/℃以内。4.一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照组成表达式aMgSiO3‑
bMgTiO3‑
cZnTiO3‑
dLiNdTi2O6‑
eCaTiO3中各元素的摩尔百分比分别称量MgO、SiO2、CaCO3、Li2CO3、ZnO、Nd2O3、TiO2，将所称取的物料混合充分后球磨，球磨后烘干、过筛，然后放入刚玉坩埚中进行保温预烧，得到粉料基材；其中，在组成表达式aMgSiO3‑
bMgTiO3‑
cZnTiO3‑
dLiNdTi2O6‑
eCaTiO3中，a、b、c、d和e分别独立表示摩尔百分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉岸，王晓慧，金镇龙，
申请(专利权)人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司，
类型：发明
国别省市：