一种热收缩反应型屏蔽膜及其制备方法和应用技术

一种热收缩反应型屏蔽膜及其制备方法和应用，属于屏蔽膜制备技术领域。本发明专利技术提供了一种热收缩反应型屏蔽膜，包括热收缩反应型屏蔽胶层，离型膜和离型膜保护膜，热收缩反应型屏蔽胶层涂敷于离型膜上。热收缩反应型屏蔽胶层包括以下质量百分比组分：1％～10％热收缩树脂、1％～15％反应型树脂、0.1％～5％交联剂、0.5％～3％促进剂、30％～75％无机屏蔽填料、0.1～3％功能助剂和20～65％溶剂。还提供了该热收缩反应型屏蔽膜的制备方法和应用。本发明专利技术热收缩反应型屏蔽膜具有一定的延展性和热收缩性，可实现对屏蔽器件的完美包裹，同时还具有一定反应性和疏水性，提高了胶膜的粘结强度和耐湿热性。强度和耐湿热性。

【技术实现步骤摘要】
一种热收缩反应型屏蔽膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于屏蔽膜制备
，具体涉及一种热收缩反应型屏蔽膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]PCB(Printed Circuit Board)，中文名称为印制电路板，又称印刷线路板、PCB板，作为电子元器件电气连接的载体和电子元器件的支撑体，是重要的电子部件。贴片式PCB板是指通过SMT(Surface Mounted Technology)将无引脚或短引脚的电子元器件安装到PCB板上。随着电子设备的不断发展，电子设备的功能需要也越来越多，电子设备内的电子元器件也越来越多，并且分布密集，电子元器件在工作的过程中会向外辐射电磁信号，密集分布的电子元器件之间的电磁信号会互相干扰，影响电子设备的性能，同时，外界的电磁信号同样会影响电子元器件的正常工作。
[0003]目前常见EMI屏蔽技术方案即是使用金属盖或罩着覆盖目标区域或组件。然而，由于金属罩/盖需要过多空间，因此该技术方案不能满足持续增加的对电子组件的微型化、更小占用空间及更高封装密度的需求。因此，需要研究和开发高效、易于使用、高性价比的新型电磁屏蔽材料及技术。尤其是近几年，为了符合产品的超薄要求，与产品的超薄厚度保持一致，新一代的共形屏蔽技术越来越受到人们的重视。
[0004]共形屏蔽技术，即在EMC和器件表面制备超薄屏蔽层，目前行业制备超薄屏蔽层领先的技术主要是通过溅射、电镀和喷涂三种工艺实现。溅射技术是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。其制备的涂层致密度均匀，与基材的结合力强，膜厚可控重复性好，但是其靶材利用率低，设备比较复杂，成本高昂。电镀技术是指在含有预镀金属的盐类溶液中，以被镀基体金属为阴极，通过电解作用，使镀液中预镀金属的阳离子在基体表面沉积出来，形成镀层的技术。该法不受基体材料形状和大小的限制，镀层均匀附着力强，可批量生产且成本低。缺点是适宜电镀的塑料品种较少，塑料电镀前必须经过特殊的活化和敏化处理。更关键的是该工艺需将SIP器件浸泡在电解液中，这可能增加器件后期失效的潜在风险。另外，由于环境等方面的要求，电镀技术也不被认可。喷涂技术是指借助于压缩空气的气流把液体雾化成雾状，喷射于物体的表面形成薄膜的涂覆技术。该技术相对以上两种技术则资金投入相对较低，操作简便，涂膜质量好，涂装效率高等。在共形屏蔽制程中可以灵活满足单层芯片的多种需求，并具有优秀的粘结性能和可靠性，制程简单清洁，投资成本低。但是，该法对于对高密度PCB板则无法实现窄间距、大深宽比器件的侧壁涂覆。
[0005]最近新提出一种屏蔽膜的方案，直接贴合在PCB器件表面。对于PCB板级屏蔽，由于板上器件比较多，形状大小各异，且器件有一定的间距形成很多缝隙，因此需要屏蔽膜具有一定的形变从而实现很好的贴合。然而，传统的屏蔽膜多是由绝缘层、金属薄膜层及粘合性树脂来构成，其金属层通过沉积或印刷的方法来形成。这种电磁波屏蔽膜由于金属层的刚硬性质无法满足柔性弯折，因此电磁波屏蔽膜弯折或拉伸形变后会导致屏蔽效能下降。此
外，对于屏蔽膜常用的粘合树脂多是压敏树脂，其耐湿热性和黏附力均比较差，难以满足小型化封装工艺高可靠性要求。因此，有必要开发一种可拉伸收缩形变的电磁波屏蔽膜，即在固化前具有良好的柔软性和贴合性，固化后则具有优异导电性、机械强度、结合力的电磁波屏蔽膜。

技术实现思路

[0006]针对上述现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于设计提出一种热收缩反应型屏蔽膜及其制备方法和应用。本专利技术热收缩反应型屏蔽膜可以直接贴合在器件的表面，不仅快捷方便利于施工，而且厚度均一，侧壁和上表面的屏蔽层厚度一致，显著提升了产品的一致性。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩反应型屏蔽膜包括热收缩反应型屏蔽胶层，离型膜和离型膜保护膜，所述热收缩反应型屏蔽胶层涂敷于离型膜上。
[0009]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩反应型屏蔽胶层包括以下质量百分比组分：1％～10％热收缩树脂、1％～15％反应型树脂、0.1％～5％交联剂、0.5％～3％促进剂、30％～75％无机屏蔽填料、0.1～3％功能助剂和20～65％溶剂。
[0010]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述离型膜包括PET离型膜、PE离型膜、PC离型膜、PVC离型膜、PS离型膜、BOPP离型膜、TPS离型膜中的一种，所述离型膜的厚度为10μm～75μm。
[0011]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩树脂包括丙烯酸改性聚烯烃树脂、马来酸酐改性聚烯烃、改性氯丁橡胶中的至少一种；例如美国杜邦2022乙烯丙烯酸共聚物、50E739马来酸酐接枝聚丙烯、法国阿科玛18300马来酸酐改性线性低密度聚乙烯LLDPE树脂、日本制纸AUROREN 350S、930S丙烯酸改性聚烯烃树脂、易塑
TM
马来酸酐接枝聚丙烯之PP
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G
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MAH、日本电化公司PS
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40和A
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90氯丁橡胶及其改性聚合物等。
[0012]所述反应型树脂包括丙烯酸改性聚酯树脂(例如：日本亚细亚SE
‑
100、SK6528、LR
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6363等)、丙烯酸改性聚氨酯树脂(例如：日本三本化学PUA2800、仕全兴2318)、丙烯酸改性有机硅树脂、含氟丙烯酸树脂(例如：湖北优世达YF
‑
FB001/YF
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FB002)、环氧型甲基丙烯酸缩水甘油酯(例如：GMA)、烯丙基缩水甘油酯中的至少一种。
[0013]所述交联剂包括氨基树脂(例如：美国湛新CYMEL 303LF/304)、异氰酸酯(例如：日本亚细亚EXCELHARDENER HX、日本瑞安MILLIONATE MR
‑
200)、四异丙氧基钛、二
‑
(叔丁基过氧化异丙基)苯、线型酚醛树脂(例如：东材化工D992、大晖2402)中的至少一种。
[0014]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述促进剂包括二苯胍、三苯基膦、二硫代氨基甲酸盐、噻唑类促进剂、秋兰姆类促进剂中的至少一种，所述二硫代氨基甲酸盐包括二乙基二硫代氨基甲酸锌、二丁基二硫代氨基甲酸锌、二甲基二硫代氨基甲酸锌中的至少一种，所述噻唑类促进剂包括2
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硫醇基苯骈噻唑、二硫化二苯并噻唑中的至少一种，所述秋兰姆类促进剂包括一硫化四甲基秋兰姆、二硫化四乙基秋兰姆、四硫化双五亚甲基秋兰姆中的至少一种。
[0015]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述无机屏蔽填料包括银粉、铜粉、
镍粉、坡莫合金、铁硅铬粉、羰基铁粉、Ag@Cu、Ag@Ni和Ag@玻璃微珠中的至少一种。
[0016]所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述功能助剂包括消泡剂、分散剂、流平剂、偶联剂和触变剂中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩反应型屏蔽膜包括热收缩反应型屏蔽胶层，离型膜和离型膜保护膜，所述热收缩反应型屏蔽胶层涂敷于离型膜上。2.如权利要求1所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩反应型屏蔽胶层包括以下质量百分比组分：1％～10％热收缩树脂、1％～15％反应型树脂、0.1％～5％交联剂、0.5％～3％促进剂、30％～75％无机屏蔽填料、0.1～3％功能助剂和20～65％溶剂。3.如权利要求1所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述离型膜包括PET离型膜、PE离型膜、PC离型膜、PVC离型膜、PS离型膜、BOPP离型膜、TPS离型膜中的一种，所述离型膜的厚度为10μm～75μm。4.如权利要求2所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述热收缩树脂包括丙烯酸改性聚烯烃树脂、马来酸酐改性聚烯烃、改性氯丁橡胶中的至少一种；所述反应型树脂包括丙烯酸改性聚酯树脂、丙烯酸改性聚氨酯树脂、丙烯酸改性有机硅树脂、含氟丙烯酸树脂、环氧型甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油酯中的至少一种；所述交联剂包括氨基树脂、异氰酸酯、四异丙氧基钛、二
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(叔丁基过氧化异丙基)苯、线型酚醛树脂中的至少一种。5.如权利要求2所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述促进剂包括二苯胍、三苯基膦、二硫代氨基甲酸盐、噻唑类促进剂、秋兰姆类促进剂中的至少一种，所述二硫代氨基甲酸盐包括二乙基二硫代氨基甲酸锌、二丁基二硫代氨基甲酸锌、二甲基二硫代氨基甲酸锌中的至少一种，所述噻唑类促进剂包括2
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硫醇基苯骈噻唑、二硫化二苯并噻唑中的至少一种，所述秋兰姆类促进剂包括一硫化四甲基秋兰姆、二硫化四乙基秋兰姆、四硫化双五亚甲基秋兰姆中的至少一种。6.如权利要求2所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述无机屏蔽填料包括银粉、铜粉、镍粉、坡莫合金、铁硅铬粉、羰基铁粉、Ag@Cu、Ag@Ni和Ag@玻璃微珠中的至少一种。7.如权利要求2所述的一种热收缩反应型屏蔽膜，其特征在于所述功能助剂包括消泡剂、分散剂、流平剂、偶联剂和触变剂中的一种或多种，消泡剂包括TEGO900、TEGO
‑
B1484、TEGO
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410、TEGOBYK
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A530、BYK
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R605中的一种或几种的混合物，流平剂包括BYK
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【专利技术属性】
技术研发人员：张保坦，张小飞，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：