【技术实现步骤摘要】
一种具有高适应性的电池检测系统及方法
[0001]本专利技术涉及电池测试
,具体而言,涉及一种具有高适应性的电池检测系统及方法。
技术介绍
[0002]测试是锂电池生产的最后一个环节,也是电池化成的关键步骤。目前的电池测试系统包含对广泛范围内的单一电池、电池模组及高压电池包进行电池化成及测试功能。测试设备要求包含精确的测试控制电路、数据采集系统。但是在不同应用场合下的电池,在尺寸、电压及外形上会有比较大的区别,因此制造商必须购买维护对应电池类型的测试系统,也就增加了生产成本。所以需要提供一种方案以更方便地对各种类型的电池进行检测以降低生产成本。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种具有高适应性的电池检测系统及方法,用以实现更方便地对各种类型的电池进行检测以降低生产成本的技术效果。
[0004]第一方面,本专利技术提供了一种具有高适应性的电池检测系统,包括电源输入端口和检测接口;与所述检测接口连接的BUCK电路;与所述BUCK电路连接的电压检测电路和电流检测电路;与所述电压检测电路连接的第一A/D转换器;与所述电流检测电路连接的第二A/D转换器;与所述第一A/D转换器和所述第二A/D转换器连接的控制器;与所述电源输入端口连接的反相降压转换电路;与所述电源输入端口连接的DC/DC转换器;以及与所述控制器连接的MOS管驱动电路;所述电流检测电路的负极与所述反相降压转换电路的输出端连接;所述电压检测电路的正极、所述电流检测电路的正极以及所述MOS管驱动电路的正极均与所述DC/D ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有高适应性的电池检测系统,其特征在于,包括电源输入端口和检测接口;与所述检测接口连接的BUCK电路;与所述BUCK电路连接的电压检测电路和电流检测电路;与所述电压检测电路连接的第一A/D转换器;与所述电流检测电路连接的第二A/D转换器;与所述第一A/D转换器和所述第二A/D转换器连接的控制器;与所述电源输入端口连接的反相降压转换电路;与所述电源输入端口连接的DC/DC转换器;以及与所述控制器连接的MOS管驱动电路;所述电流检测电路的负极与所述反相降压转换电路的输出端连接;所述电压检测电路的正极、所述电流检测电路的正极以及所述MOS管驱动电路的正极均与所述DC/DC转换器的输出端连接;所述MOS管驱动电路与所述BUCK电路连接,用于为所述BUCK电路提供PWM控制信号。2.根据权利要求1所述的电池检测系统,其特征在于,所述BUCK电路包括第一LC滤波电路、第一NMOS管、第二NMOS管、采样电阻、稳压滤波电路、电流检测滤波电路、电压检测滤波电路、电流检测端口和电压检测端口;所述第一LC滤波电路的输入端与所述检测接口连接;所述第一NMOS管的漏极与所述第一LC滤波电路的输出端连接;所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极连接;所述第二NMOS管的源极接地;所述稳压滤波电路的输入端与所述第一NMOS管的源极连接;所述采样电阻的第一端和所述电流检测端口的正极均与所述稳压滤波电路的输出端连接;所述电压检测滤波电路的输入端和所述电流检测端口的负极均与所述采样电阻的第二端连接;所述电流检测滤波电路设置在所述电流检测端口的正负极之间;所述电压检测端口的正极与所述电压检测滤波电路的输出端连接;所述电压检测端口的负极接地;所述第一NMOS管的栅极与所述MOS管驱动电路的第一输出端口连接;所述第二NMOS管的栅极与所述MOS管驱动电路的第二输出端口连接;所述第二NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极均与所述MOS管驱动电路的转换控制端口连接。3.根据权利要求2所述的电池检测系统,其特征在于,所述稳压滤波电路包括稳压二极管、第一电阻、第一电容和和第一电感;所述稳压二极管的负极、所述第一电阻的第一端和所述第一电感的第一端均与所述第一NMOS管的源极连接;所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第一端连接;所述第一电容的第二端和所述稳压二极管的正极均接地;所述采样电阻的第一端和所述电流检测端口的正极均与所述第一电感的第二端连接。4.根据权利要求2所述的电池检测系统,其特征在于,所述电压检测滤波电路包括设置在所述采样电阻的第二端和所述电压检测端口的负极之间的若干个滤波电容,以及设置在所述采样电阻的第二端与所述电压检测端口的正极之间的熔断器。5.根据权利要求2所述的电池检测系统,其特征在于,所述电流检测滤波电路为多阶RC滤波电路。6.根据权利要求2所述的电池检测系统,其特征在于,所述MOS管驱动电路包括驱动器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一接地电阻、第二接地电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第二电容和第三电容;所述驱动器的电源引脚、所述第一二极管的正极和所述第二电容的第一端均与所述DC/DC转换器的输出端连接;所述第二电容的第二端接地;所述驱动器的HB引脚和所述第三电容的第一端均与所述第一二极管的负极连接;所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端均与所述第一NMOS管的栅极连接;所述第二电阻的第二端、所述第三电容的第二端、所述第一NMOS管的源极和...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨平,王雨,黄旭芳,
申请(专利权)人:四川化工职业技术学院,
类型:发明
国别省市:
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