【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及阴极射线管(CRT)、场致发射显示器(FED)、等离子显示器 (PDP)等显示器或荧光灯、荧光显示管等照明装置或液晶背照灯等发光器具 中使用的含有氮的荧光体及其制造方法、荧光体混合物、荧光体片、以及组 合了半导体发光元件(LED)和该荧光体的白色LED照明为代表的发光装置。
技术介绍
目前,作为照明装置使用的放电式荧光灯或白炽灯等含有水银等有害物 质,存在寿命短等各种问题。但是,近年来陆续开发了近紫外/紫外 蓝色发 光的高亮度LED,从该LED发出的近紫夕卜/紫外 蓝色的光和在其波长区域 具有激发带的荧光体发出的光混合而获得白色光,是否可以利用该白色光作 为下一代的照明的研究、开发正在广泛地进行。如果该白色LED照明被实 用化,则存在如下优点电能向光转换的效率高,产生的热量少;因为由 LED和荧光体构成,不会象以往的白炽灯那样烧完,具有长的寿命;不含有 水银等有害物质;以及照明装置可以小型化,可以得到理想的照明装置。作为LED照明的方式,提出了二种方案, 一个是使用高亮度的红色 LED、绿色LED、蓝色LED的3原色LED来发出白色光的多片型方式,另 一种是将发出近紫夕卜/紫外 蓝色光的高亮度LED和用该LED发出的近紫外/ 紫外 蓝色的光激发的焚光体组合,发出白色光的单片型方式。从用于照明 的观点比较这两种方式时,特别是和多片型方式相比,单片型方式因为使用 了发光光谱具有宽峰的荧光体,因此可以使发光光谱接近于太阳光的光谱, 并能够获得演色性优异的白色光。另外,由于具有可使驱动电路筒单化和小 型化、不需要用于混色的导光路、各LED的驱动电压 ...
【技术保护点】
一种荧光体,由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为Ⅱ价的1种以上的元素,A元素是价数为Ⅲ价的1种以上的元素,B元素是价数为Ⅳ价的1种以上的元素,O是氧,N是氮,Z是1种以上的活化剂),其中, 4.0<(a+b)/m<7.0,a/m≥0.5,b/a>2.5,n>o,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,用波长为300nm~500nm范围的光激发时,发光光谱中的峰值波长为500nm~650nm的范围。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-3-4 061627/2005;JP 2005-3-16 075854/2005;J1.一种荧光体,由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素,A元素是价数为III价的1种以上的元素,B元素是价数为IV价的1种以上的元素,O是氧,N是氮,Z是1种以上的活化剂),其中,4.0<(a+b)/m<7.0,a/m≥0.5,b/a>2.5,n>o,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,用波长为300nm~500nm范围的光激发时,发光光谱中的峰值波长为500nm~650nm的范围。2. 权利要求l所述的荧光体,其中,0.5^a/m^2.0, 3.0<b/m<7.0, (Ko/m芸4.0。3. 权利要求1或2所述的荧光体,其中,0.8^a/m〇1.5, 3.0<b/m<6.0, 0<o/m〇3.0。4. 权利要求1~3中任一项所述的荧光体,其中,l.l<a/m^l.5, 3.5^b/m^4.5, 0<o/m^l.5。5. 权利要求1~4中任一项所述的荧光体,其中,M元素是选自Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn、原子价为II价的稀土元素中的一 种以上的元素;A元素是选自A1、 Ga、 In、 Tl、 Y、'Sc、 P、 As、 Sb、 Bi中的一种以上 的元素;B元素是选自Si、 Ge、 Sn、 Ti、 Hf、 Mo、 W、 Cr、 Pb、 Zr中的一种以 上的元素;Z元素是选自稀土元素、过渡金属元素中的一种以上的元素。6. 权利要求1~5中任一项所述的荧光体,其中, M元素是选自Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn中的一种以上的元素; A元素是选自A1、 Ga、 In中的一种以上的元素;B元素是Si和/或Ge;Z元素是选自Eu、 Ce、 Pr、 Tb、 Mn中的一种以上的元素。7. 权利要求1~6中任一项所述的荧光体,其中,M元素是Sr, A元素 是A1, B元素是Si, Z元素是Eu和/或Ce。8. 权利要求1~7中任一项所述的荧光体,其中,该荧光体表示为通式 MmAaBbOoNn:Zz时,M元素和Z元素的摩尔比z/(m+z)的值为0.0001 0.5。9. 权利要求1 8中任一项所述的荧光体,其中,含有19.5重量% 29.5 重量%的Sr、 5.0重量%~16.8重量%的Al、 0.5重量%~8.1重量%的O、 22.6 重量% ~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Ce,并且以波长 350nm 500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时, 发光光谱中的峰值波长在500 600nm的范围,发光光谱的色度(x,y)的x为 0,3000~0,4500, y为0.5000~0.6000的范围。10. 权利要求1~8中任一项所述的荧光体,其中,含有19.5重量% 29.5 重量%的Sr、 5.0重量%~16.8重量%的Al、 0.5重量%~8.1重量%的O、 22.6 重量%~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Eu,并且以波长 350nm 500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时, 发光光谱中的峰值波长在550~650nm的范围,发光光谱的色度(x,y)的x为 0.4500~0.6000, y为0.3500~0.5000的范围。11. 权利要求10所述的焚光体,其中,以波长350nm 500nm范围的单 色光作为激发光进行照射时,将照射使吸收该激发光而发光的光i普中的最大 峰值的峰强度为最大的激发光时的该最大峰值的峰强度作为PH、将照射使吸 收该激发光而发光的光谱中的最大峰值的峰强度为最小的激发光时的该最 大峰值的峰强度作为PL时,(PH-PL)/PHx 100^20。12. 权利要求1 11中任一项所述的荧光体,其中,将在25。C下以波长 为300nm 500nm范围的规定的单色光作为激发光进行照射时的发光光错中 的最大峰值的相对强度值作为P25,将在200。C下以上述单色光作为激发光进 行照射时的上述最大峰值的相对强度值作为P2Q()时,(P25 _ P2Qo)/P25 x 100 S 3 5 。13. 权利要求1 12中任一项所述的荧光体,其中,包含粒径为50(im 以下的一次粒子和该一次粒子凝聚的凝聚体,并且包含该一次粒子和凝聚体 的荧光体粉末的平均粒径(D50)为1.0(im 50.0pm。14. 权利要求1 13中任一项所述的荧光体,其中,包含粒径为2(Vm 以下的一次粒子和该一次粒子凝聚的凝聚体,并且包含该一次粒子和凝聚体 的荧光体粉末的平均粒径(D50)为1.0pm~20.0|im。15. 制造权利要求1~14中任一项所述的荧光体的方法,其中,使用氮 化物制成的坩锅作为焙烧用坩锅,并且在含有选自氮气、稀有气体和氨气中 的l种以上气体的氛围气中,以1400。C 200(TC的温度进行焙烧。16. 权利要求15所述的荧光体的制造方法,其中,使上述焙烧炉内的...
【专利技术属性】
技术研发人员:永富晶,坂根坚之,
申请(专利权)人:同和电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:JP[]
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