一种BMS系统的时间漂移补偿方法技术方案

技术编号:31759615 阅读:26 留言:0更新日期:2022-01-05 16:43
本发明专利技术公开了一种BMS系统的时间漂移补偿方法,包括电压基准检测电路。本发明专利技术的有益效果是:针对半导体器件易受时间漂移影响,补偿电路舍弃半导体电压基准元件,采用不易受时间漂移影响的高精度电阻作为基准元件;由于时间漂移同样会对补偿电路的采样ADC芯片造成影响,所以采用多电阻并联,并通过开关选通进行阻值选择;串联分压电阻采样,ADC检测采样电阻电压的方式,获得多组参考电压;由于所获得的的参考电压是采样ADC芯片受时间漂移后的值,所以需要多组数据联立方程组,解算出真实数据;采用继电器作为补偿电路的开关器件。继电器是由内部金属触点吸合控制电路通断,电阻极小,且不受时间漂移影响。且不受时间漂移影响。且不受时间漂移影响。

【技术实现步骤摘要】
一种BMS系统的时间漂移补偿方法


[0001]本专利技术涉及一种BMS系统,具体为一种BMS系统的时间漂移补偿方法,属于新能源锂电池储能行业


技术介绍

[0002]随着国家对新能源行业的政策倾斜,锂电池及BMS系统被大量应用在诸多领域。为精确快速采集电池电压信息,BMS系统通常采用专业的AFE芯片。但包括AFE芯片在内的半导体器件往往会随着时间的推移发生老化,因此需要进行补偿。
[0003]但对于现有的补偿措施,往往存在以下不足:
[0004]1、该过程是一个非常缓慢的过程,时间跨度往往长达十年,所以在日常工作中不易发现,不易测量,不易补偿。时间漂移是一种元器件的自然老化,对所有器件都有影响,但由于各个元件体质不同,材料不同,漂移程度也会不同,所以无法精确估计,常规方案往往是按照经验值,人工补偿;
[0005]2、由于半导体器件易受时间漂移影响,某些电路中作为电压基准的器件也会受到时间漂移影响,因此基于电压基准器件的时间漂移补偿无法做到准确;
[0006]3、在BMS系统中,每个AFE芯片所处的环境并不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BMS系统的时间漂移补偿方法,其特征在于:包括电压基准检测电路,所述电压基准检测电路布置在每个AFE芯片负责锂电池串的总负极起第一节电池两端,且所述电压基准检测电路包括:等效电阻,其由呈并联设置接入到电路中的高精度等效电阻R1、R2、R3以及R4构成;采样电阻,其由与并联设置的所述等效电阻R1、R2、R3以及R4进行串联连接的高精度采样电阻R5构成,且所述采样电阻R5与电压基准检测电路的负极相连接,所述等效电阻R1、R2、R3以及R4的阻值为采样电阻R5的四倍;采样芯片,其由与所述采样电阻R5并联,且由采样管脚分别接在所述采样电阻R5前后的ADC采样芯片U1构成;单片机,其为BMS系统pack从板控制MCU,且其用于控制AFE芯片工作、以及与BMS系统上层进行通讯,其由与所述ADC采样芯片U1通讯的单片机U2构成;其补偿方法包括以下步骤:步骤一、参数校准初始偏差标定以及校准延时,在全新设备初次运行时,各个元器件未受到时间漂移影响,且由于各元件存在体质差异,工艺安装存在误差,需要对参数进行校准,标定初始偏差参数α1,此参数为所述AFE芯片与所述ADC采样芯片U1的初始误差;由于时间漂移为长时间过程,频繁校准可能引起系统不稳定,所以需要设定校准延时,当延时结束,开始进行校准;步骤二、AFE芯片采样样本数据,开始校准时,AFE芯片需要对电池串进行采样,保留总负极起第一节电池电压数据B0作为样本数据;步骤三、电压基准电路采样,电压基准检测电路开始采样,首先设定ADC芯片时间漂移参数为β1,设定电压基准检测电路真实电压值为U,进行闭合四个并联电阻采样,将四个等效电阻R1、R2、R3以及R4全部并联接入电路,与所述采样电阻R5分压比例为1:1,此时ADC芯片测量值B1=1/2U+β1;闭合两个并联电阻采样,将四个等效电阻R1、R2、R3以及R4中的其中两个等效电阻并联接入电路,与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚德华杜鹏飞
申请(专利权)人:傲普上海新能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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