一种改善AAhole横向mura的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善AA hole横向mura的方法，包括如下步骤：S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二，区域二gamma单独控制；S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差<2%，即判定OK，若>2%，则返回步骤S2；S5：记录区域一及区域二的gamma寄存器值，记录两者的差值，烧录区域一的寄存器值和区域二的差值，对区域二进行offset补偿。本发明专利技术标记区域二位置，分开调试区域一和二的gamma，达到区域二和区域一亮度一致的效果，有效解决AA hole横向mura，并节省存储空间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种改善AA hole横向mura的方法


[0001]本专利技术属于AA hole面板
，具体涉及一种改善AA hole横向mura的方法。

技术介绍

[0002]目前屏下挖孔处于主流阶段，但是在AA hole区（如图1中的
②
所示）存在明显mura问题，一般存在比正常显示区（如图1中的
①
所示）偏暗的问题。目前市面上主流的AA hole面板，由于在AA hole的区域需要绕线，RC loading相较于正常显示区域大一些，data的充电较慢，如图2
‑
3所示，像素充电较慢，在TFT关闭前无法达到预定的data准位，则挖孔区对应的横向区域二会出现偏暗mura现象。为此，我们提出一种改善AA hole横向mura的方法，以解决上述
技术介绍
中提到的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种改善AA hole横向mura的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]目前屏下挖孔处于主流阶段，但是在AA hole区（如图1中的
②
所示）存在明显mura问题，一般存在比正常显示区（如图1中的
①
所示）偏暗的问题。
[0005]目前市面上主流的AA hole面板，由于在AA hole的区域需要绕线，RC loading相较于正常显示区域大一些，data的充电较慢，如图2
‑
3所示，像素充电较慢，在TFT关闭前无法达到预定的data准位，则挖孔区对应的横向区域二会出现偏暗mura现象。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种改善AA hole横向mura的方法，包括如下步骤：S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二，区域二gamma单独控制；S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差<2%（通过实验测试<2%人眼不易察觉亮度差），即判定OK，若>2%，则返回步骤S2；S5：记录区域一及区域二的gamma寄存器值，记录两者的差值，烧录区域一的寄存器值和区域二的差值，对区域二进行offset补偿。
[0007]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的一种改善AA hole横向mura的方法，本专利技术标记区域二位置，分开调试区域一和二的gamma，达到区域二和区域一亮度一致的效果，解决因AA hole处区域RC loading较大造成的横向区域偏暗mura问题，有效解决AA hole横向mura，并节省存储空间。
附图说明
[0008]图1为AA hole示意图；
图2为Pixel电路简图；图3为图2对应pixel充电波形图；图4为本专利技术一种改善AA hole横向mura的方法的流程示意图。
具体实施方式
[0009]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0010]目前屏下挖孔处于主流阶段，但是在AA hole区（如图1中的
②
所示）存在明显mura问题，一般存在比正常显示区（如图1中的
①
所示）偏暗的问题。
[0011]目前市面上主流的AA hole面板，由于在AA hole的区域需要绕线，RC loading相较于正常显示区域大一些，data的充电较慢，如图2
‑
3所示，像素充电较慢，在TFT关闭前无法达到预定的data准位，则挖孔区对应的横向区域二会出现偏暗mura现象。
[0012]本专利技术提供了如图4的一种改善AA hole横向mura的方法，包括如下步骤：S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二，区域二gamma单独控制；S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差<2%（通过实验测试<2%人眼不易察觉亮度差），即判定OK，若>2%，则返回步骤S2；S5：记录区域一及区域二的gamma寄存器值，记录两者的差值，烧录区域一的寄存器值和区域二的差值，对区域二进行offset补偿。
[0013]综上所述，与现有技术相比，本专利技术标记区域二位置，分开调试区域一和二的gamma，达到区域二和区域一亮度一致的效果，解决因AA hole处区域RC loading较大造成的横向区域偏暗mura问题，有效解决AA hole横向mura，并节省存储空间。
[0014]最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善AA hole横向mura的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：标记AA hole横向mura的pixel位置，此位置为区域二；S2：调节区域一gamma并抓取调节后的各灰阶绑点的亮度；S3：将抓取到的各个灰阶绑点的亮度设置为区域二的目标亮度，并调节区域二的gamma；S4：抓取区域二各灰阶亮度并与区域一的亮度进行对比，若亮度相差<2%，即判定OK，若>2%，则返回步...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑剑花，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：