【技术实现步骤摘要】
四项三阶卢塔尔窗函数电缆本体受潮缺陷定位算法
[0001]本专利技术涉及电缆缺陷定位
，具体为一种四项三阶卢塔尔窗函数电缆本体受潮缺陷定位算法。
技术介绍
[0002]若电缆局部位置处存在缺陷(如破损、绝缘劣化、受潮等)或者制作了中间接头时，会导致电缆局部位置处的分布参数发生改变，形成阻抗不连续点，使得信号在电缆中的传输特性发生改变。为对比完好电缆和缺陷电缆其信号传输差异，因此需要对缺陷电缆的将依据含有局部缺陷的缺陷电缆模型，分析局部缺陷的存在对电缆信号传输特性的影响，并根据其与完好电缆信号传输特性的差异，以此实现对局部缺陷的定位。但是目前运用傅里叶反变换分析处理电缆首端输入阻抗谱时，会带来频谱泄露和栅栏效应，使得对电缆本体局部受潮缺陷的识别灵敏度降低，如若电缆本体局部受潮缺陷的受潮程度为轻度受潮状态且电缆为长电缆，则很难通过本体局部受潮缺陷处微弱的反射强度判断出局部受潮缺陷所在位置及受潮区域范围。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种四项三阶卢塔尔窗函数电缆本体受潮缺陷定位算法，使用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种四项三阶卢塔尔窗函数电缆本体受潮缺陷定位算法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1，测试电缆数据；步骤S2，运用离散傅里叶变换，对电缆的首端输入阻抗谱进行处理，利用计算得到的完好电缆首端输入阻抗和缺陷电缆的首端输入阻抗的数学公式模型，分别对完好电缆和缺陷电缆进行建模和定位分析，并得到电缆局部缺陷/中间接头的定位谱图；步骤S3，对本体缺陷电缆定位谱图，选取四项三阶卢塔尔窗函数对其进行加窗处理，然后对比四项三阶卢塔尔窗函数加窗处理前后的定位结果，得到本体缺陷位置；步骤S4，针对中间接头受潮缺陷电缆定位谱图，选取二阶Nuttall自卷积窗对其进行加窗处理，然后对比二阶Nuttall自卷积窗加窗处理前后的定位结果，得到中间接头受潮缺陷位置。2.根据权利要求1所述的四项三阶卢塔尔窗函数电缆本体受潮缺陷定位算法，其特征在于：步骤S2中，完好电缆的首端(x＝0)输入阻抗Z
h
(f)为：其中，Z
0h
为完好电缆的特性阻抗，γh为传播常数，ГLh为完好电缆末端(x＝...
【专利技术属性】
技术研发人员：周凯，孟鹏飞，龚薇，李泽瑞，梁钟颖，王昱皓，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。