有机发光二极管制造技术

本发明专利技术所描述的技术涉及一种有机发光二极管，包括：第一电极；重叠于所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层；以及在所述第二电极上的覆盖层，其中所述覆盖层对于波长为405nm的光具有0.25或更大的吸收率，从而通过阻挡有害波长区域的光来防止所述有机发光层的劣化，并提供其中蓝色发光效率不变差的有机发光二极管。色发光效率不变差的有机发光二极管。色发光效率不变差的有机发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管
[0001]本申请是申请日为2017年4月7日，申请号为201710224996.8，专利技术名称为“有机发光二极管”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年4月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2016
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0042916号的优先权和权益，所述申请的全部内容通过引用并入本文。


[0004]本公开涉及有机发光二极管，更具体地，涉及感知来自有害波长辐射的最小损害的有机发光二极管。

技术介绍

[0005]近来，包括有机发光二极管的显示装置变得越来越受欢迎。随着更多人使用包括有机发光二极管的显示装置，显示装置相比以前在更宽范围的环境中使用。
[0006]然而，在包括有机发光二极管的显示装置中，有机发光层容易被环境要素损害。这导致不期望的短产品寿命。需要一种可用于各种环境中并且提供优异的光效率而不易受环境要素损伤的显示装置。
[0007]在
技术介绍
部分中公开的上述信息用于增强对本专利技术的背景本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：第一电极；重叠于所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及在所述第二电极上的覆盖层，其中所述覆盖层对于405nm波长的光具有0.25或更大的吸收率。2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述覆盖层在430nm波长处具有小于0.25的吸收率。3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述覆盖层满足：k1‑
k2>0.10其中k1为在405nm波长处的吸收率，并且k2为在430nm波长处的吸收率。4.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述覆盖层包括由化学式A表示的化合物：[化学式A]A1为R1至R4各自独立地选自R1至R4各自独立地选自5.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述覆盖层在430nm至470nm的波长范围处具有2.0或更大的折射率。6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述发光层包括蓝色发光层，并且
包括在所述蓝色发光层中的蓝色发光材料的发光光谱峰波长为430nm至500nm。7.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二电极在430nm至500nm的波长范围处具有20％或更大的透光率。8.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述覆盖层阻挡50％或更多的405nm波长的光。9.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述发光层与代表不同颜色的多个层组合。10.如权利要求9所述的发光二极管，其中所述多个层包括其中沉积2个层或3个层的结构。11.一种发光二极管，包括：第一电极；重叠于所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及在所述第二电极上的覆盖层，所述覆盖层在430nm波长处具有小于0.25的吸收率。12.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述覆盖层满足：k1‑
k2>0.10其中k1为在405nm波长处的吸收率，并且k2为在430nm波长处的吸收率。13.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述覆盖层包括由化学式A表示的化合物：[化学式A]A1为R1至R4各自独立地选自
14.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述覆盖层在430nm至470nm的波长范围处具有2.0或更大的折射率。15.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述发光层包括蓝色发光层，并且包括在所述蓝色发光层中的蓝色发光材料的发光光谱峰波长为430nm至500nm。16.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述第二电极在430nm至500nm的波长范围处具有20％或更大的透光率。17.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述覆盖层在405nm波长处具有1.0或更小的吸收率。18.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述覆盖层阻挡50％或更多的405nm波长的光。19.如权利要求11所述的发光二极管，其中所述发光层与代表不同颜色的多个层组合。20.如权利要求19所述的发光二极管，其中所述多个层包括其中沉积2个层或3个层的结构。21.一种发光二极管，包括：第一电极；重叠于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明淑，金成昱，秋昌雄，黄珍秀，任相薰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：