发光基板及其制备方法和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法和发光装置。用于解决相关技术中量子点发光图案中的量子点发光材料丢失对发光器件的性能造成影响的问题。一种发光基板，包括：衬底、设置在衬底上的像素界定层以及多个发光器件；像素界定层具有多个开口，每个发光器件包括设置在一个开口中的量子点发光图案；每个开口具有侧壁，侧壁包括第一部分和第二部分，第一部分为侧壁中与量子点发光图案接触的部分，第二部分为侧壁中相对于第一部分远离衬底的部分。发光基板还包括至少一个阻挡单元，每个阻挡单元包括至少一个硅氧烷链段，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键；至少一个硅氧烷链段接枝于一个侧壁的第二部分上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
发光基板及其制备方法和发光装置


[0001]本专利技术涉及照明和显示
，尤其涉及一种发光基板及其制备方法和发光装置。

技术介绍

[0002]相对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)发光器件来说，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)发光器件具有理论发光效率更高、颜色可调、色域更广、色彩饱和度和鲜艳度更好、能耗成本更低等优点。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于，提供一种发光基板及其制备方法和发光装置。用于解决相关技术中量子点发光图案中的量子点发光材料丢失对发光器件的性能造成影响的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一方面，本专利技术实施例提供一种发光基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，以及多个发光器件；所述像素界定层具有多个开口，每个发光器件包括设置在一个开口中的量子点发光图案；其中，每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于所述第一部分远离所述衬底的部分。该发光基板还包括至少一个阻挡单元，每个阻挡单元包括至少一个硅氧烷链段，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键；每个阻挡单元位于一个开口中，且每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段接枝于对应的一个侧壁的第二部分上。
[0006]可选的，每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段与所述侧壁的第二部分上的氧原子键合。
[0007]可选的，每个硅氧烷链段包括一个与侧壁的第二部分上的一个氧原子键合的第一子链段，以及至少一个第二子链段，每个第二子链段与所述第一子链段中的一个硅原子键合，所述第一子链段中硅氧键的个数为1～25个，与所述第一子链段中的同一个硅原子键合的第二子链段中的硅氧键的总个数为0～24个。
[0008]可选的，每个阻挡单元包括至少两个硅氧烷链段，至少两个硅氧烷链段之间相互交联形成至少一个第三子链段，每个第三子链段中硅氧键的个数为2～25个。
[0009]可选的，所述像素界定层的材料包括含有羟基的聚合物材料或者含硅的无机氧化物材料。
[0010]可选的，所述含有羟基的聚合物材料选自聚乙二醇、聚醋酸乙烯酯、纤维素和壳聚糖中的一种或多种。
[0011]可选的，每个阻挡单元还包括接枝于至少一个硅氧烷链段上的至少一个配位基团，每个配位基团与对应的所述量子点发光图案中的至少一个量子点结合。
[0012]可选的，每个配位基团选自含硫基团、含氮基团和含氧基团中的一种。
[0013]可选的，每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段还包括封端基团，所述配位基团形成在所述封端基团上。
[0014]可选的，所述封端基团为硅烷基团。
[0015]可选的，每个阻挡单元中的至少一个配位基团的配位原子占该阻挡单元的质量百分比为3.5％～12.7％。
[0016]可选的，所述多个发光器件包括多种发光颜色不同的发光器件；与每一种发光器件对应的侧壁的第二部分上均接枝有至少一个所述硅氧烷链段。
[0017]可选的，每个所述发光器件还包括：位于所述量子点发光图案朝向所述衬底一侧的第一电极，被配置为向所述量子点发光图案提供电子；以及，位于所述量子点发光图案背离所述衬底一侧的第二电极，被配置为向所述量子点发光图案提供空穴。
[0018]可选的，所述发光器件还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光图案之间的电子传输层；所述电子传输层的材料为无机材料。
[0019]另一方面，本专利技术实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
[0020]在衬底上形成像素界定层，所述像素界定层具有多个开口。
[0021]在所述衬底上形成多个发光器件以及至少一个阻挡单元，每个发光器件包括形成在一个开口中的量子点发光图案；每个阻挡单元包括至少一个硅氧烷链段，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键。
[0022]其中，每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于所述第一部分远离所述衬底的部分；每个阻挡单元位于一个开口中，且每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段接枝于对应的一个侧壁的第二部分上。
[0023]可选的，在衬底上形成多个发光器件；包括：
[0024]将所述多个开口划分为n个开口组；每个开口组包括至少一个开口，n为大于或等于2的正整数；在形成有所述像素界定层的衬底上形成掩膜，所述掩膜露出第i个开口组中的各个开口，且至少覆盖所述多个开口中除第i个开口组以外的其余开口，i为1至n中的一个；在形成有所述掩膜的衬底上形成量子点发光层，所述量子点发光层包括位于所述第i个开口组的每个开口中的量子点发光图案，以及覆盖在所述掩膜上的保留图案；所述第i个开口组的每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于所述第一部分远离所述衬底的部分；将至少一个硅氧烷链段接枝在所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上，所述至少一个硅氧烷链段中，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键；溶解所述掩膜，以将形成的所述保留图案一并去除。
[0025]可选的，所述掩膜包括光刻胶子掩膜；采用显影液溶解所述掩膜。
[0026]可选的，所述掩膜包括层叠设置的第一子掩膜和第二子掩膜，所述第一子掩膜相对于所述第二子掩膜更靠近所述衬底；其中，所述第一子掩膜为可溶于醇类溶剂的聚合物子掩膜，所述第二子掩膜为光刻胶子掩膜；采用醇类溶剂溶解所述掩膜。
[0027]可选的，所述像素界定层的材料选自含有羟基的聚合物材料或含硅的无机氧化物材料；将至少一个硅氧烷链段接枝在所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上；包括：使第一反应物与所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上的羟基或氧原子发生水解反应；
其中，所述第一反应物的结构通式如下式(1)所示：
[0028][0029]其中，所述R1选自烷氧基、酰氧基和酮肟基中的任一个；所述R2选自氢、烷基、烯基和芳基中的任一个；所述R3和R4分别独立地选自氢、烷氧基、羟基、酰氧基、酮肟基、烷基、烯基和芳基中的任一个。
[0030]可选的，使第一反应物与所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上的羟基或氧原子发生水解反应，包括：在pH值为8～11的范围内，使第一反应物和所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分接触，以使得所述第一反应物与所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上的羟基或氧原子发生水解反应。
[0031]可选的，所述第一反应物还包括至少一个配位基团；在使第一反应物与所述第i个开口组中每个侧壁的第二部分上的羟基或氧原子发生水解反应之前，所述制备方法还包括：采用保护基对所述第一反应物中的至少一个配位基团进行保护，以及，在接枝完成后，去除所述保护基。
[0032本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光基板，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层具有多个开口；多个发光器件，每个发光器件包括设置在一个开口中的量子点发光图案；以及至少一个阻挡单元，每个阻挡单元包括至少一个硅氧烷链段，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键；其中，每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于所述第一部分远离所述衬底的部分；每个阻挡单元位于一个开口中，且每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段接枝于对应的一个侧壁的第二部分上。2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段与所述侧壁的第二部分上的氧原子键合。3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，每个硅氧烷链段包括一个与侧壁的第二部分上的一个氧原子键合的第一子链段，以及至少一个第二子链段，每个第二子链段与所述第一子链段中的一个硅原子键合，所述第一子链段中硅氧键的个数为1～25个，与所述第一子链段中的同一个硅原子键合的第二子链段中的硅氧键的总个数为0～24个。4.根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，每个阻挡单元包括至少两个硅氧烷链段，至少两个硅氧烷链段之间相互交联形成至少一个第三子链段，每个第三子链段中硅氧键的个数为2～25个。5.根据权利要求2-4任一项所述的发光基板，其特征在于，所述像素界定层的材料包括含有羟基的聚合物材料或者含硅的无机氧化物材料。6.根据权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述含有羟基的聚合物材料选自聚乙二醇、聚醋酸乙烯酯、纤维素和壳聚糖中的一种或多种。7.根据权利要求1-4任一项所述的发光基板，其特征在于，每个阻挡单元还包括接枝于至少一个硅氧烷链段上的至少一个配位基团，每个配位基团与对应的所述量子点发光图案中的至少一个量子点结合。8.根据权利要求7所述发光基板，其特征在于，每个配位基团选自含硫基团、含氮基团和含氧基团中的一种。9.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段还包括封端基团，所述配位基团形成在所述封端基团上。10.根据权利要求9所述的发光基板，其特征在于，所述封端基团为硅烷基团。11.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，每个阻挡单元中的至少一个配位基团的配位原子占该阻挡单元的质量百分比为3.5％～12.7％。12.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述多个发光器件包括多种发光颜色不同的发光器件，与每一种发光器件对应的侧壁的第二部分上均接枝有至少一个所述硅氧烷链段。13.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，每个所述发光器件还包括：
位于所述量子点发光图案朝向所述衬底一侧的第一电极，被配置为向所述量子点发光图案提供电子；以及位于所述量子点发光图案背离所述衬底一侧的第二电极，被配置为向所述量子点发光图案提供空穴。14.根据权利要求13所述的发光基板，其特征在于，所述发光器件还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光图案之间的电子传输层；所述电子传输层的材料为无机材料。15.一种发光基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成像素界定层，所述像素界定层具有多个开口；在所述衬底上形成多个发光器件以及至少一个阻挡单元，每个发光器件包括形成在一个开口中的量子点发光图案，每个阻挡单元包括至少一个硅氧烷链段，每个硅氧烷链段包括至少一个硅氧键；其中，每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于所述第一部分远离所述衬底的部分；每个阻挡单元位于一个开口中，且每个阻挡单元中的至少一个硅氧烷链段接枝于对应的一个侧壁的第二部分上。16.根据权利要求15所述的发光基板的制备方法，其特征在于，在衬底上形成多个发光器件；包括：将所述多个开口划分为n个开口组；每个开口组包括至少一个开口，n为大于或等于2的正整数；在形成有所述像素界定层的衬底上形成掩膜，所述掩膜露出第i个开口组中的各个开口，且至少覆盖所述多个开口中除第i个开口组以外的其余开口，i为1至n中的一个；在形成有所述掩膜的衬底上形成量子点发光层，所述量子点发光层包括位于所述第i个开口组的每个开口中的量子点发光图案，以及覆盖在所述掩膜上的保留图案；所述第i个开口组的每个开口具有侧壁，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述侧壁中与所述量子点发光图案接触的部分，所述第二部分为所述侧壁中相对于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱迪，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：