外部存储器及电子设备制造技术

本申请涉及一种外部存储器及电子设备，其中，外部存储器包括：第一存储模块，用于通过晶体相变产生不同的阻值以进行数据存储；所述第一存储模块用于作为虚拟内存；主控模块，连接所述第一存储模块，用于与物理内存通信，以将所述物理内存的存储数据存储至所述第一存储模块，以及将所述第一存储模块的存储数据存储至所述物理内存。本申请以第一存储模块作为虚拟内存，由于第一存储模块是通过晶体相变产生不同的阻值来进行数据存储，其混合随机性能优异，写入总数据量较多，因此可提升物理内存与虚拟内存之间的数据交换速度。虚拟内存之间的数据交换速度。虚拟内存之间的数据交换速度。

【技术实现步骤摘要】
外部存储器及电子设备


[0001]本申请涉及电子设备领域，特别涉及一种外部存储器及电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子电路技术的不断发展，用户对电子设备的运行速度提出了越来越高的要求。为提升响应速度，电子设备会将运行数据存储在内部存储器(即物理内存)中，以使处理器能够在较短时间内调用运行数据。但是，考虑到运行数据较多且内部存储器的存储空间有限，因此，电子设备会对内部存储器中存储的数据进行数据交换(swap)，即将外部存储器的部分存储空间作为虚拟内存，并将物理内存中一些对用户体验影响较小的数据存储至虚拟内存(即swap out)，并在需要使用该数据的情况下将该数据重新存入物理内存(即swap in)。然而，目前的虚拟内存与物理内存进行数据交换时存在速度慢的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种外部存储器及电子设备，能够提高物理内存与虚拟内存之间的数据交换速度。
[0004]一种外部存储器，包括：
[0005]第一存储模块，用于通过晶体相变产生不同的阻值以进行数据存储；所述第一存储模块用于作为虚拟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外部存储器，其特征在于，包括：第一存储模块，用于通过晶体相变产生不同的阻值以进行数据存储；所述第一存储模块用于作为虚拟内存；主控模块，连接所述第一存储模块，用于与物理内存通信，以将所述物理内存的存储数据存储至所述第一存储模块，以及将所述第一存储模块的存储数据存储至所述物理内存。2.根据权利要求1所述的外部存储器，其特征在于，所述第一存储模块包括多个3D XPoint存储器，所述主控模块配置有多个用于传输所述存储数据的第一通道；多个所述第一通道与多个所述3D XPoint存储器一一对应连接。3.根据权利要求1所述的外部存储器，其特征在于，所述外部存储器还包括与所述主控模块相连的第二存储模块；所述第二存储模块用于通过电子捕获进行数据存储；所述主控模块还用于对所述第二存储模块进行读写操作。4.根据权利要求3所述的外部存储器，其特征在于，所述第二存储模块包括多个NAND存储器，所述主控模块配置有第二通道；所述第二通道分别连接多个所述NAND存储器，用于传输从多个NAND存储器中读取的存储数据，以及写入所述NAND存储器的存储数据。5.根据权利要求4所述的外部存储器，其特征在于，所述第二通道的数量为多个，每一所述第二通道连接相...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：