【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及抗蚀剂的灰化和在基片上形成的加工残渣的去除。技术背景在基片制备工艺中，为了形成栅极、通路孔、触点孔和互联特征的图形， 在基片上形成半导体、介电质和导电材料并对它们进行蚀刻。通常通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、氧化及氮化工艺形成这些材料。例如， 在CVD工艺中，为了在基片上沉积材料层使用反应气体，而在PVD工艺中， 为了在基片上沉积材料溅射靶材。在氧化及氮化工艺中，通过将基片暴露于适 当气体环境，形成通常分别为二氧化硅或氮化硅的氧化物或氮化物层。在蚀刻 工艺中，通过照相平版印刷法在基片上形成光致抗蚀剂的定形抗蚀掩模或硬掩 模，并且使用激发气体蚀刻基片的暴露部分。由于将要在基片上形成的电路特征尺寸持续减小并且特征几何变得更加 先进，用于覆盖互联特征的低k介电材料的使用正在日益增加。低k介电材料 具有通常小于大约3的低介电常数k。低k介电材料的示例包括硅、氧、碳、 甚至氢的化合物，诸如例如，BLACK DIAMOND , —种由CVD形成的介电 材料。低k介电层降低集成电路中的RC延迟时间，允许互联特征密度的相应 增加。然而...
【技术保护点】
一种在包含具有接收表面的基片支架的加工室中加工基片的方法，该方法包括：（ａ）将基片放置在加工室中的基片支架的接收表面上；（ｂ）将基片的前表面暴露于用于加工基片前表面的激发加工气体；以及（ｃ）通过下列步骤清洗基片背部表面的外围边缘；（１）将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起位置；以及（２）在将基片保持在该升起位置的同时，将基片背部表面暴露于用于清洗背部表面的激发清洗气体。
【技术特征摘要】
US 2007-4-3 11/695,918;US 2007-2-8 60/888,9461.一种在包含具有接收表面的基片支架的加工室中加工基片的方法，该方法包括(a)将基片放置在加工室中的基片支架的接收表面上；(b)将基片的前表面暴露于用于加工基片前表面的激发加工气体；以及(c)通过下列步骤清洗基片背部表面的外围边缘(1)将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起位置；以及(2)在将基片保持在该升起位置的同时，将基片背部表面暴露于用于清洗背部表面的激发清洗气体。2. 根据权利要求1所述的方法，其中步骤(C)包括以距离J提升基片 支架的接收表面之上的基片，根据加工室中的激发清洗气体压力选择距离。3. 根据权利要求1所述的方法，其中加工室包括能够通过基片支架中的 管道延伸的多个提升销钉，并且其中步骤(c)包括通过移动提升销钉，以使提升销钉穿过基片支架延伸而接触基片背部表面以提升基片，从而升高基片。4. 根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)至少包括下列歩骤中的一个.(1 )以从大约lmm到大约5mm的距离升高基片支架之上的基片；(2) 将基片的背部表面暴露于包含H2和H20的激发清洗气体；以及(3) 以从大约30到大约180秒的时间将基片的背部表面暴露于激发清洗气体。5. 根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)包括将基片的前表面暴露 于下列物质的激发加工气体HC1、 BC13、 HBr、 Br2、 Cl2、 CC14、 SiCl4、 SF6、 F2、 NF3、 HF、 CF3、 CF4、 CH3F、 CHF3、 C2H2F2、 C2H4F6、 C2F6、 C3F8、 C4F8、 C2HF5，、 C4F10、 CF2C12、 CFC13、 02、 N2、 He、 CO、 C4F6、 C5F8、 Ar、 Xe、 CH 、 &或C02或它们的混合物。6. 根据权利要求1所述的方法，其中基片包括在低k介电层之上的光致 抗蚀剂层，并且其中步骤(b)包括将光致抗蚀剂层暴露于用于蚀刻光致抗蚀剂层的激发加工气体；以及步骤(c)包括通过将基片保持在升起位置且将基片的背部表面暴露于用 于清洗背部表面的激发清洗气体，在同步灰化蚀刻残渣的同时执行歩骤(b)， 以清洗基片背部表面的外围边缘。7. 根据权利要求6所述的方法，其中步骤(c)包括将基片的背部表面暴 露于包含&和H20的激发清洗气体。8. —种基片加工装置，包括(a) 加工室，包括(1) 包含用于基片的接收表面的基片支架；(2) 穿过基片支架的多个提升销钉；(3) 用于在室中分布气体的气体分布器；(4) 用于激发加工气体的气体激发器；以及(5) 用于排出加工气体的气体排气装置；以及(b) 用于操作提升销钉、气体分布器、气体激发器和气体排气装置的控 制器，该控制器包括包含用于下述用途的指令的程序代码(1) 操作提升销钉，以将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起 位置；以及(2) 在将基片保持在升起位置的同时，操作气体分布器、气体激发器和气体排气装置，以将基片暴露于用于清洗基片背部表面的外围边缘的激发清 洗气体。9. 根据权利要求8所述的装置，其中程序代码包含用于操作提升销钉的指令，以便以根据加工室中激发清洗气体压力所选择的距离升高基片支架接 收表面之上的基片。10. 根据权利要求8所述的装置，其中程序代码包含至少用于执行下列步骤中的一个的指令(1) 操作提升销钉，以便以从大约lmm到大约5mm的距离升高基片支架；(2) 操作气体分布器和气体激发器，以便将基片暴露于包含H2和H20 的激发清洗气体；(3) 操作气体分布器和气体激发器，以便以从大约30到大约180秒的时间将基片暴露于激发清洗气体。 -11. 根据权利要求8所述的装置，其中程序代码包含用于操作气体分布器 和气体激发器的指令，以便在清洗基片背部表面之前将基片暴露于用于蚀刻基 片的激发加工气体。12. —种在包括第一加工室和第二加工室的装置中加工基片的方法，其中 第一加工室包括具有用于接收基片背部表面以便在第一加工室中暴露基片前 表面的第一接收表面的第一基片支架，而第二加工室包括具有用于接收基片背 部表面的第二接收表面的第二基片支架，第二基片支架的第二接收表面的直径...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰勒多A德尔加蒂诺，因德雷杰特拉海里，蒂哈廷苏，赛尤安布赖恩希尔，阿肖克辛哈，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。