显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置及其制造方法。本发明专利技术公开了一种显示装置及其制造方法，以防止由金属基板引起的寄生电容，其中该显示装置包括金属基板，所述金属基板包括设有多个存储线以提供存储电压的像素阵列，以及连接到所述存储线的电源线；以及电压源，该电压源连接到所述电源线用于产生存储电压，其中该金属基板连接到电压源的输出端子、电源线以及存储线中的任意一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地说，涉及一种防 止由金属基板引起的寄生电容的。
技术介绍
通常，薄膜晶体管(下文中称为TFT)被用于有源矩阵型平板显示 器。有源矩阵型平板显示器包括由在基板上彼此交叉的多个选通线和多 个数据线限定的多个像素。每个像素是由连接到选通线和数据线的TFT 来提供电信号。包含TFT的平板显示器的例子是液晶显示(LCD)器、 有机发光二极管(OLED)和电泳显示器。图1是例示根据现有技术的平板显示器的TFT阵列基板的剖面图。 参照图1， TFT阵列基板包括形成在基板1上的多个像素。每个像素由彼 此交叉的选通线和数据线(未示出)限定，其中每个像素包括薄膜晶体 管TFT、像素电极13和存储电容器Cst。响应于来自选通线的选通电压， 薄膜晶体管TFT使像素电极13用来自数据线的数据电压充电。存储电容 器Cst保持像素电极13中充入的数据电压。薄膜晶体管TFT包括连接到选通线的栅极3;连接到数据线的源极 9;连接到像素电极13的漏极10;以及与源极9和漏极10欧姆接触的半 导体图案8。半导体图案8由有源层6和欧姆接触层7构成。有源层6与 栅极3交叠为其间插入栅极绝缘膜5的状态，其中在源极9和漏极10之 间暴露出有源层6，由此形成半导体沟道。此外，在源极9和有源层6之 间以及在漏极10和有源层6之间交叠欧姆接触层7，以使源极9和漏极 10与有源层6欧姆接触。薄膜晶体管TFT被保护膜11保护。保护膜ll 包括用于暴露出漏极10的接触孔12。通过接触孔12，像素电极13被连 接到漏极10。存储电容器Cst由像素电极13构成，其中像素电极13与存储线4 交叠为其间插入栅极绝缘膜5和保护膜11的状态。如上所述，用于支持像素阵列的基板1通常由玻璃制成。玻璃的耐 用性差并在厚度上受到限制。在这方面，玻璃的基板可能会限制显示装 置的薄外形。最近，基板1由具有良好耐用性的金属形成，且容易实现 薄外形。金属基板1可以实现柔性显示装置，该柔性显示装置即使在显 示装置弯曲的情况下，也保持显示功能。此外，由于金属基板l是导体， 在金属基板1的整个表面上形成有基板绝缘膜2，以使金属基板1与像素 阵列绝缘。但是，在基板绝缘膜2上的金属基板1以及信号线3和4之 间产生寄生电容Cl和C2。寄生电容Cl和C2可能使数据电压失真。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于一种，其基本上消除了 由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。本专利技术的一个目的是提供一种防止由金属基板引起的寄生电容的显 示装置及其制造方法。本专利技术的其他优点、目的以及特征将在随后的说明中部分地进行阐 述，并且在由本领域的普通技术人员研究了下面的内容后将部分地变得 清楚，或者可以通过实施本专利技术而获知。本专利技术的这些目的和其他优点 可以通过在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和 获得。为了实现这些目的和其他优点并根据本专利技术的目的，并且根据这里 所具体体现和广泛描述的专利技术宗旨，提供了一种显示装置，该显示装置包括金属基板，所述金属基板包括设有多个存储线以提供存储电压的 像素阵列以及连接到所述存储线的电源线；以及电压源，所述电压源连 接到所述电源线用于产生存储电压，其中所述金属基板连接到所述电压 源的输出端子、所述电源线和所述存储线中的任意一个。同时，该像素阵列包括与所述存储线分开的选通线，以及连接到 所述选通线的薄膜晶体管的栅极；在所述薄膜晶体管的区域内与所述栅极交叠的半导体图案；在所述半导体图案上与所述选通线交叉的数据线， 薄膜晶体管的连接到所述数据线的源极，以及薄膜晶体管的漏极；以及 像素电极，其与所述存储线交叠并连接到薄膜晶体管的所述漏极。在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括位于金属基板上的第一绝缘膜；穿过所述第一绝缘膜以暴露出所述金属基板的 第一接触孔；以及通过所述第一接触孔连接到所述金属基板并形成在所 述第一绝缘膜上的存储线。在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括除金属基板边缘之外的金属基板的像素阵列区上的第一绝缘膜；提供有存储电 压并形成在所述像素阵列区外部的金属基板边缘中的电源线；以及多个 存储线，所述多个存储线连接到所述电源线并形成在所述第一绝缘膜上， 用于将所述存储电压提供到所述像素阵列区。在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括金属基 板，其包括提供有存储电压的像素阵列；用于产生所述存储电压的电压 源；以及导电电缆，其连接到所述金属基板和所述电压源的一输出端子。在另一方面中，提供了一种制造液晶显示器的方法，所述方法包括 以下步骤在金属基板上形成包括多个存储线以提供存储电压的像素阵 列，以及连接到所述存储线的电源线；以及将用于产生存储电压的电压 源的一输出端子连接到所述电源线，其中所述金属基板连接到所述电源 线、所述存储线以及电压源的所述输出端子中的任意一个。应当理解，上文对本专利技术的概述与下文对本专利技术的详述都是示例性 和解释性的，旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。附图说明所包含的附图用于提供对本专利技术的进一步理解，并且附图被并入本 申请中而构成本申请的一部分，附图例示了本专利技术的实施方式并与本说 明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中-图1是例示现有技术显示装置中的TFT阵列基板的剖面图；图2是例示根据本专利技术的显示装置的示意图；图3是例示根据本专利技术第一实施方式的显示装置中的tft阵列基板 的平面图；图4是例示沿图3的i-i'截取的tft阵列基板的剖面图；图5a是例示在制造根据本专利技术第一实施方式的tft阵列基板的方法中的第一掩模工艺的平面图，图5b是例示其中的第一掩模工艺的剖面图；图6a是例示在制造根据本专利技术第一实施方式的tft阵列基板的方 法中的第二掩模工艺的平面图，图6b是例示其中的第二掩模工艺的剖面 图；图7a是例示在制造根据本专利技术第一实施方式的tft阵列基板的方 法中的第三掩模工艺的平面图，图7b是例示其中的第三掩模工艺的剖面 图；图8a是例示在制造根据本专利技术第一实施方式的tft阵列基板的方 法中的第四掩模工艺的平面图，图8b是例示其中的第四掩模工艺的剖面 图；图9a是例示在制造根据本专利技术第一实施方式的tft阵列基板的方 法中的第五掩模工艺的平面图，图9b是例示其中的第五掩模工艺的剖面 图；图10是例示根据本专利技术第二实施方式的显示装置中的tft阵列基 板的平面图；图11是例示沿图io的n-n'和in-nr截取的tft阵列基板的剖面图；图12a是例示在制造根据本专利技术第二实施方式的tft阵列基板的方 法中的第一掩模工艺的平面图，图12b是例示其中的第一掩模工艺的剖 面图；图13a是例示在制造根据本专利技术第二实施方式的tft阵列基板的方 法中的第二掩模工艺的平面图，图13b是例示其中的第二掩模工艺的剖 面图；图14a是例示在制造根据本专利技术第二实施方式的tft阵列基板的方 法中的第三掩模工艺的平面图，图14b是例示其中的第三掩模工艺的剖面图；图15A是例示在制造根据本专利技术第二实施方式的TFT阵列基板的方 法中的第四掩模工艺的平面图，图15B是例示其中的第四掩模工艺的剖 面图；以及图16A至16C是例示根据本专利技术第三实施方式的显示装置的视图。具体实施方式下面将详细说明本专利技术的优选实施方式，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，该显示装置包括：金属基板，其包括设有多个存储线以提供存储电压的像素阵列，以及连接到所述存储线的电源线；以及电压源，其连接到所述电源线，用于产生所述存储电压，其中所述金属基板连接到所述电压源的输出端子、所述电源线以及所述存储线中的任意一个。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-13 10-2007-00246121.一种显示装置，该显示装置包括金属基板，其包括设有多个存储线以提供存储电压的像素阵列，以及连接到所述存储线的电源线；以及电压源，其连接到所述电源线，用于产生所述存储电压，其中所述金属基板连接到所述电压源的输出端子、所述电源线以及所述存储线中的任意一个。2. 根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素阵列包括 与所述存储线分开的选通线，以及薄膜晶体管的连接到所述选通线的栅极；半导体图案，其与薄膜晶体管的区域中的所述栅极交叠； 在所述半导体图案上与所述选通线交叉的数据线，薄膜晶体管的连 接到所述数据线的源极，以及薄膜晶体管的漏极；以及像素电极，其与所述存储线交叠并连接到薄膜晶体管的所述漏极。3. —种显示装置，该显示装置包括 金属基板上的第一绝缘膜；穿过所述第一绝缘膜以暴露出所述金属基板的第一接触孔；以及 存储线，其通过所述第一接触孔连接到所述金属基板并形成在所述 第一绝缘膜上。4. 一种显示装置，该显示装置包括除金属基板的边缘之外的金属基板的像素阵列区上的第一绝缘膜； 提供有存储电压并形成在所述像素阵列区外部的金属基板边缘中的 电源线；以及多个存储线，其连接所述到电源线并形成在所述第一绝缘膜上，用 于将所述存储电压提供到所述像素阵列区。5. 根据权利要求3和4中任意一项所述的显示装置，所述显示装置 还包括与所述存储线分开并形成在所述第一绝缘膜上的选通线，以及薄膜晶体管的连接到所述选通线的栅极；第二绝缘膜，其用于覆盖所述选通线、所述栅极和所述存储线； 在薄膜晶体管的区域中的所述第二绝缘膜上的半导体图案；在所述半导体图案上与所述选通线交叉的数据线，薄膜晶体管的连 接到所述数据线的源极，以及薄膜晶体管的漏极；以及第三绝缘膜，其用于覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管； 第二接触孔，穿过所述第三绝缘膜以暴露出薄膜晶体管的所述漏极；以及像素电极，其形成在所述第三绝缘膜上，与所述存储线交叠并通过 所述第二接触孔连接到薄膜晶体管的所述漏极。6. —种显示装置，该显示装置包括 金属基板，其包括提供有存储电压的像素阵列； 电压源，其用于产生所述存储电压；以及导电电缆，其连接到所述金属基板和所述电压源的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰默，金成焕，金相寿，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]