【技术实现步骤摘要】
一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路
[0001]本专利技术涉及模拟集成电路
，特别涉及一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路。
技术介绍
[0002]在数字通信系统中，信号进行传输时由于多径传输、信道衰落等因素的影响，在接收端会产生严重的码间干扰(ISI)，增大误码率。为了克服码间干扰，提高通信系统性能，在接收端就需要采用均衡技术。随着无线通信的发展，在复杂的无线系统与收发机的宽带应用中，对均衡器的设计提出了前所未有的任务与挑战，因而均衡是一种基带功能，用以补偿信号经过传播信道后所产生的失真。在这个意义上说，一个均衡器是用来抵消或补偿接收器所接收信号的ISI。通常，在均衡器系统的输入端会需要对输入信号进行检测，当有输入信号时，均衡器系统工作，以达到降低功耗的效果。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，以解决
技术介绍
中的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，包括：
[0005...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，包括：放大整形电路，对输入的差分信号的预放大和静态工作点调节；镜像电路，将经过所述放大整形电路的差分信号镜像为两对差分信号；乘法器，将输入的两对差分信号做乘法并输出；比较器，将乘法器输出的信号进行对比；带隙基准源电路，为整个输入信号检测电路提供参考电压。2.如权利要求1所述的高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，所述放大整形电路包括预放大电路和电平移位电路；其中，所述预放大电路包括电阻R11～R13、NMOS管MN11和MN12、三极管Q11～Q13、两个电容，NMOS管MN11的源端接三极管Q11的集电极，漏端通过电阻R11接VDD，栅端接NMOS管MN12的漏端；NMOS管MN12的源端接三极管Q12的集电极，漏端通过电阻R12接VDD，栅端接NMOS管MN11的漏端；NMOS管MN11的漏端通过一个电容接地，NMOS管MN12的漏端通过另一个电容接地；三极管Q11的基极接差分输入信号VIP，集电极接NMOS管MN11的源端，发射极接三极管Q13的集电极；三极管Q12的基极接差分输入信号VIN，集电极接NMOS管MN12的源端，发射极接三极管Q3的集电极；三极管Q13的基极接参考电压Vref1，发射极通过电阻R13接地；电平移位电路包括三极管Q14～Q17、电阻R14和R15；三极管Q14和Q15的集电极均接VDD，发射极分别接Q16的集电极和Q17的集电极，基极分别接预放大器电路的差分输出信号QN和QP；三极管Q16和Q17的基极均接参考电压Vref1，发射极分别通过电阻R14和电阻R15接地。3.如权利要求2所述的高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，所述镜像电路包括PMOS管MP21～MP24、NMOS管MN21～MN25、三极管Q21～Q29、电阻R21和R22；PMOS管MP21～MP24的源端均接VDD，栅端均接参考电压Vref2，漏端分别接三极管Q21～Q24的集电极，三极管Q21～Q24的发射极均接三极管Q29的集电极，三极管Q21和Q22的基极均接电平移位电路的输出信号MN，三极管Q23和Q24的基极均接电平移位电路的输出信号MP；三极管Q29的基极接参考电压Vref4，发射极通过电阻R21接地GND；NMOS管MN21和MN22的源端分别接三极管Q25和Q26的集电极，栅端共同连接参考电压Vref3，三极管Q25和Q26的基极分别接其自身集电极，发射极共同通过电阻R22接地GND；NMOS管MN23和MN24的源端分别接三极管Q27和Q28的集电极，栅端共同连接参考电压Vref3，三极管Q27和Q28的基极分别接其自身集电极，发射极接NMOS管MN25的漏端，NMOS管MN25的栅端接参考电压Vref5，源端接地GND；NMOS管MN21和MN22的漏端分别接PMOS管MP21和MP23的漏端，NMOS管MN23和MN24的漏端分别接PMOS管MP22和MP24的漏端。4.如权利要求3所述的高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，所述乘法器包括PMOS管MP31～MP34、三极管Q31～Q36和电阻R31～R32；PMOS管MP31～MP34的源端接VDD，PMOS管MP31和MP32的漏端接MP33的栅端，PMOS管MP33和MP34的漏端接MP32的栅端；三极管Q31的集电...
【专利技术属性】
技术研发人员：相立峰，王星，张国贤，徐晓斌，赵霁，崔明辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。