【技术实现步骤摘要】
稳压器电路
[0001]本专利技术涉及稳压器
,尤其涉及一种稳压器电路。
技术介绍
[0002]系统级芯片(System on Chip,SOC)中模拟电路与数字电路紧密排布,寄生电流信号将通过电源传导、端口节点引入和衬底注入等方式影响各个电路模块的功能及性能。一般在大规模寄生电路中,稳压器(regulator)要独立于电路的电源管理系统单独设计,为各个电路子模块提供一定范围的电流的同时也将电源扰动过滤,使负载电路免受其干扰。在一些电路中,例如锁相环(PhaseLockedLoop,PLL),电源的噪声直接影响整个环路的性能,所以,在设计稳压器时,要特别关注其对电源噪声的抑制作用,即电源抑制比(PSRR)。现有技术中,折叠型PMOS稳压器(Folded PMOS Regulator)具有较好的PSRR性能,但是稳定性很难控制,并且空载时存在固有静态电流,电源效率较低
[0003]图1为现有技术中稳压器的电路示意图。图1中,MOS管P1的电压为Vdrop,输出的稳定电压为vreg,则PSRR≈vreg/VDD=( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种稳压器电路,其特征在于,包括:稳压器主体电路,用于输出稳定电压;以及分流电路,用于将所述稳压器主体电路流向地的电流拆分,以在空载时降低流向地的电流的大小。2.根据权利要求1所述的稳压器电路,其特征在于,所述稳压器主体电路包括运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第一NMOS管,所述运算放大器的正相输入端接参考电压,所述运算放大器的反相输入端与所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极连接,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接工作电压,所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接,所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极连接,所述第一NMOS管的栅极接第一驱动电压。3.根据权利要求2所述的稳压器电路,其特征在于,所述分流电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第四PMOS管,所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管漏极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的栅极接第二驱动电压,所述第三NMOS管的漏极与...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟佳乐,李佳明,
申请(专利权)人:上海安路信息科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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