【技术实现步骤摘要】
一种低触控负载的像素结构
[0001]本专利技术属于液晶显示
,具体涉及一种低触控负载的像素结构。
技术介绍
[0002]现有像素结构透光区的像素电极往往采用米字形的结构,亦即透光区由很多条状的像素电极组成,每条像素电极之间具有狭缝间隔,由于狭缝部分没有电极,因此电场强度较弱,从而引起部分穿透率的损失,降低了现实质量。
[0003]申请号为【CN201410041106.6】的中国专利,其内容为:一种像素结构及其制作方法和显示面板,所述像素结构的制作方法包括步骤:在基板上形成一图案化的第一金属层;在基板上形成一平坦化的第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙,并露出所述第一金属层表面。
[0004]上述对比文件中虽然增加金属厚度,减少走线阻值,并新增平坦绝缘层,避免厚金属的高低地形影响后制程的膜层覆盖性,但是,上述对比文件中通过增加金属厚度,使整体厚度增加,会影响实际的使用,而且上述对比文件中,并不能提升触控灵敏度喝噪声比,使用效果一般,所以,我们提出一种低触控负载的像素结构,以解决上述问题。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低触控负载的像素结构,包括半导体层(1),其特征在于:所述半导体层(1)的底面固定连接绝缘层一(2),所述绝缘层一(2)的底面固定连接金属层一(3),所述半导体层(1)的一侧设置金属层二(4),所述半导体层(1)的上表面固定连接绝缘层二(5),所述绝缘层二(5)的上表面固定连接绝缘层三(12),所述绝缘层三(12)的上表面固定连接金属层三(6),所述金属层三(6)的上表面固定连接金属层四(7),所述金属层四(7)的左右两侧及金属层三(6)的上表面分别固定连接绝缘层四(8),所述金属层四(7)的上表面固定连接ITO共电极(9),所述ITO共电极(9)和金属层四(7)的上表面固定连接绝缘层五(10),所述绝缘层五(10)的上表面固定连接ITO画素电极(11)。2.根据权利要求1所述的一种低触控负载的像素结构,其特征在于:所述半导体层(1)的上表面与绝缘层二(5)的底面固定连接,所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈廷安,郭智宇,钟慧萍,
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司,
类型:发明
国别省市:
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