【技术实现步骤摘要】
一种具有高电流限制能力的激光器
[0001]本技术涉及激光器
,特别是涉及一种具有高电流限制能力的激光器。
技术介绍
[0002]DFB激光器,即分布式反馈激光器,是一种内置布拉格光栅的半导体激光器。随着互联网产业的不断扩张,对数据网络的要求也节节攀升,在云计算、数据中心、5G网络的建设中,作为关键器件的DFB激光器也在不断改进,在更优性能与更易实现的工艺间找寻新的平衡。
[0003]传统DFB激光器的脊波导,其两侧沟槽深度未到达有源层,电流在脊波导顶端注入后,虽受到脊波导在水平方向一定程度的限制,但在到达有源层的过程中,还是会形成发散,对电流注入效率产生一定损失。
[0004]鉴于此,克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本技术解决的技术问题是:
[0006]传统激光器的脊波导,其两侧沟槽深度未到达有源层,电流在脊波导顶端注入后,虽受到脊波导在水平方向一定程度的限制,但在到达有源层的过程中,还是会形成发散,对电流注入效率产生一定损失。r/>[0007]本本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有高电流限制能力的激光器,其特征在于,包括有源层上行结构(1)、有源层(2)、有源层下行结构(3)、第一隔离沟(4)和第二隔离沟(5);所述有源层(2)位于所述有源层上行结构(1)和所述有源层下行结构(3)之间;所述第一隔离沟(4)从有源层上行结构(1)朝有源层下行结构(3)方向延伸至有源层(2)底部,所述第二隔离沟(5)从有源层上行结构(1)朝有源层下行结构(3)方向延伸至有源层(2)底部。2.根据权利要求1所述的具有高电流限制能力的激光器,其特征在于,所述有源层上行结构(1)包括欧姆接触层(13);所述欧姆接触层(13)包括第一沟槽(131)、第二沟槽(133)和脊波导(132),其中,所述脊波导(132)位于所述第一沟槽(131)和所述第二沟槽(133)之间;所述第一隔离沟(4)从第一沟槽(131)朝有源层下行结构(3)方向延伸至有源层(2)底部,所述第二隔离沟(5)从第二沟槽(133)朝有源层下行结构(3)方向延伸至有源层(2)底部。3.根据权利要求2所述的具有高电流限制能力的激光器,其特征在于,所述第一沟槽(131)的开口宽度大于所述第一隔离沟(4)的开口宽度;所述第二沟槽(133)的开口宽度大于所述第二隔离沟(5)的开口宽度。4.根据权利要求2所述的具有高电流限制能力的激光器,其特征在于,还包括绝缘介质层(6);所述绝缘介质层(6)覆盖于所述欧姆接触层(13)、第一沟槽(131)、第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:任欣舒,胡忞远,杨帆,熊绪婧,
申请(专利权)人:武汉光迅科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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