射频器件试验方法及装置制造方法及图纸

技术编号:31706000 阅读:47 留言:0更新日期:2022-01-01 11:08
本发明专利技术公开了射频器件试验方法及装置,涉及器件可靠性试验领域,所述方法包括:将待试验射频器件1至待试验射频器件n按照其编号顺序依次连接,将射频激励信号复用,编号相邻的2个所述待试验射频器件之间的连接方式为:编号排序在前的所述待试验射频器件的射频输出端与编号排序在后的所述待试验射频器件的射频输入端连接;将射频信号激励源的输出端与所述待试验射频器件1的射频输入端连接;将所述待试验射频器件n的射频输出端与负载连接;开启所述射频信号激励源产生射频激励信号进行试验;本发明专利技术能够有效降低射频器件试验的成本。本发明专利技术能够有效降低射频器件试验的成本。本发明专利技术能够有效降低射频器件试验的成本。

【技术实现步骤摘要】
射频器件试验方法及装置


[0001]本专利技术涉及器件可靠性试验领域,具体地,涉及射频器件试验方法及装置。

技术介绍

[0002]根据国际JEDEC标准,射频器件或模块的可靠性试验中的HTOL试验,通常将待验证器件工作在最大DC偏置条件下,将环境温度提升到最高工作温度条件,进行1000小时的高温带直流偏置的可靠性测试。
[0003]同时根据JESD226标准的要求,对于一些射频器件,还需要进行带射频信号激励的RFBL试验。一些高可靠性的器件,每颗器件都需要做高温带射频信号激励的筛选试验。带射频信号激励的可靠性试验RFBL成本高昂,主要是因为试验需要多个(通常为11个到77个不等)器件同时长时间(通常为1000小时)验证,产生射频激励信号所需的射频信号设备,通常由射频信号源、射频放大器、射频功分器、射频线缆等构成,导致产生所需的射频激励信号成本高昂。
[0004]传统的单个待验证器件RFBL试验,输入由独立的射频激励信号供给,输出接50Ohm负载,因此宝贵的射频激励信号在通过单级待验证器件后,就完全耗散在50Ohm负载上,存在对宝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.射频器件试验方法,其特征在于,所述方法包括:将待试验射频器件1至待试验射频器件n按照其编号顺序依次连接;其中,编号相邻的2个所述待试验射频器件之间的连接方式为:编号排序在前的所述待试验射频器件的射频输出端与编号排序在后的所述待试验射频器件的射频输入端连接;所述待试验射频器件包括至少一个射频输入端和至少一个射频输出端,且所述待试验射频器件自身的所述射频输入端与所述射频输出端能够互相切换,n为大于或等于2的整数;将射频信号激励源的输出端与所述待试验射频器件1的射频输入端连接;将所述待试验射频器件n的射频输出端与负载连接;开启所述射频信号激励源产生射频激励信号进行试验。2.根据权利要求1所述的射频器件试验方法,其特征在于,所述射频信号激励源包括互相连接的射频信号源和射频放大器。3.射频器件试验方法,其特征在于,所述方法包括:将m*n个待试验射频器件进行连接,获得m组互相独立的待试验射频器件组;其中,每组所述待试验射频器件组均包括按照编号顺序依次连接的待试验射频器件1至待试验射频器件n;编号相邻的2个待试验射频器件之间的连接方式为:编号排序在前的所述待试验射频器件的射频输出端与编号排序在后的所述待试验射频器件的射频输入端连接;所述待试验射频器件包括至少一个射频输入端和至少一个射频输出端,且所述待试验射频器件自身的所述射频输入端与所述射频输出端能够互相切换,m和n均为大于或等于2的整数;射频信号激励源具有m个射频激励信号输出端,将每个所述射频激励信号输出端对应连接一个所述待试验射频器件组的输入端,每个所述待试验射频器件组的输出端均连接对应的负载;开启所述射频信号激励源产生m路射频激励信号分别输入m组所述待试验射频器件组中进行试验。4.根据权利要求3所述的射频器件试验方法,其特征在于,所述射频信号激励源包括依次连接的:射频信号源、射频放大器和功分器,或所述射频信号激励源包括依次连接的:射频信号源、射频放大器和开关。5.根据权利要求1或3所述的射频器件试验方法,其特征在于,所述方法还包括:根据待试验射频器件的数目调整所述射频激励信号的功率大小,使得输入所述待试验射频器件n的输入射频激励信号的功率大小满足所述待试验射频器件n的工作需求。6.根据权利要求1或3所述的射频器件试验方法,其特征在于,所述方法还包括:将所述负载更换为射频激励信号检测装置,所述射频激励信号检测装置用于检测所述待试验射频器件n的输出射频激励信号是否正常。7.根据权利要求1或3所述的射频器件试验方法,其特征在于,所述试验为可靠性测试,且所述射频器件试验方法的试验条件为:待试验射频器件工作在最大偏置电压下,试验环境温度为待试验射频器件的额定最高工作温度,试验时长为预设时长。8.射频器件试验装置,其特征在于,所述装置包括:射频信号激励源、若干射频连...

【专利技术属性】
技术研发人员:章策珉
申请(专利权)人:成都仕芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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