一种单柱套装的单相自耦变压器制造技术

本发明专利技术公开了一种单柱套装的单相自耦变压器,其中，包括：两个旁柱、设置在两个旁柱之间的心柱以及由内向外依次绕设在所述心柱外侧的低压线圈、公共线圈、串联线圈和调压线圈，所述旁柱不设置线圈；所述公共线圈、所述调压线圈和所述串联线圈依次串联。本发明专利技术中，将调压线圈设置在心柱的外侧，取消了激磁线圈，节约了大量的制作成本，同时，心柱两侧的旁柱上不绕设任何线圈，仅用于通磁路，两侧的旁柱对称设置，重心稳定，器身稳定。这样一来，旁柱仅用于通磁路，所以也就不受其他线圈的干扰。并且心柱对两旁柱的中心距相等，且大大缩减了整个铁心的长度，在取消了激磁线圈的同时也减少了铁心硅钢片的用量，降低了产品的空载损耗。降低了产品的空载损耗。降低了产品的空载损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种单柱套装的单相自耦变压器
[0001]应用领域
[0002]本专利技术涉及变压器设计领域，特别是一种单柱套装的单相自耦变压器。

技术介绍

[0003]500kV单相自耦变主要采用单相三柱式铁心，单相三柱式铁心包括由内向外依次套装在中间心柱上低压线圈、公共线圈和串联线圈，以及设置在铁心两侧的旁柱。为了能够让变压器最正和最负分接的阻抗与额定分接阻抗偏差较小，一般在旁柱上需设置调压线圈。设置在旁柱上的调压线圈设置在旁柱在其外围增加一个激磁线圈，来增强点击两端的感应电动势，这样才能起到相应的作用。
[0004]这种方式存在诸多问题，其一为中间心柱到两边旁柱的距离不等，重心容易偏移；其二是由于旁柱上绕设了调压线圈及激磁线圈导致磁路受到干扰；最后增加了仅用于配合调压线圈而设置的激磁线圈增加了用铜量，造成了成本的增加，性价比较低。
[0005]因此，专利技术人考虑将调压线圈从旁柱上转移到心柱上，这样不仅旁柱上的磁通不受干扰，并且可以省去激磁线圈，但这就需要解决转移后调压线圈与低压线圈、公共线圈、串联线圈设置位置、绝缘方式及出线方式等诸多问题。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单柱套装的单相自耦变压器，其特征在于，包括：两个旁柱、设置在两个旁柱之间的心柱以及由内向外依次绕设在所述心柱外侧的低压线圈、公共线圈、串联线圈和调压线圈，所述旁柱不设置线圈；所述公共线圈、所述调压线圈和所述串联线圈依次串联。2.根据权利要求1所述的一种单柱套装的单相自耦变压器，其特征在于：所述心柱的顶部固定设置有上铁轭，所述上铁轭与所述心柱电气连接；所述心柱的底部设置有下铁轭，所述心柱与所述下铁轭电气连接；所述调压线圈的顶部设置有上磁屏板，所述上磁屏板与所述上铁轭电气连接；所述线圈的底部设置有下磁屏板，所述下磁屏板与所述下铁轭电气连接。3.根据权利要求1所述的一种单柱套装的单相自耦变压器，其特征在于：所述串联线圈的顶部设置有串联静电板、若干串联分瓣角环以及串联端部绝缘结构，所述串联端部绝缘结构与所述串联分瓣角环层叠。4.根据权利要求1所述的一种单柱套装的单相自耦变压器，其特征在于：所述调压线圈的顶部设置有第一静电板、第一分瓣角环以及第一端部绝缘结构，所述第一分瓣角环与所述第一端部绝缘结构层叠设置；所述调压线圈的底部设置有第二静电板、第二分瓣角环以及第二端部绝缘结构；所述端部绝缘结构与所述分瓣角环层叠设置。5.根据权利要求4所述的一种单柱套装的单相自耦变压器，其特征在于：所述调压线圈的外侧设置有绝缘筒，所述绝缘筒的顶部与所述第一静电板之间设置有第一撑板，所述第一撑板包括若干并列设置的绝缘杆，以及用于固定所述绝缘杆且与所述绝缘杆垂直设置的连接杆，所述第一撑板的中心位置预设有第一连接孔，所述第一连接孔的一侧为所述第一静电板，所述第一连接孔的一侧为所述绝缘筒；所述绝缘筒的底部与所述第二静电板之间设置有第二撑板，所述第二撑板包括若干并列设置的绝缘杆，以及用于固定所述绝缘杆且与所述绝缘杆垂直设置的连接杆，所述第二撑板的中心位置预设有第二连接孔，所述第二连接孔的一侧为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炳光，冯弼乾，安振，冯春玲，高辉，李国旗，李杨，
申请(专利权)人：吴江变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：