【技术实现步骤摘要】
一种改善高温去胶工艺中光刻胶皱缩的方法
[0001]本专利技术涉及一种晶圆制造工艺方法，尤其涉及一种改善高温去胶工艺中光刻胶皱缩的方法。
技术介绍
[0002]在晶圆制造过程中，等离子体灰化是整个生产工艺中不可或缺的道次，这道工艺通常用于干法刻蚀之后的光刻胶去除；利用等离子体灰化反应腔，可以实现光刻胶的去除或者对光刻胶的形貌进行修正，从而实现更好的工艺控制性和稳定性。
[0003]图1显示了基本的晶圆制造流程，利用光刻胶曝光在底层薄膜上并显影的过程，可以在一片晶圆上制造成亿级数量的图案，之后利用干法刻蚀中等离子体电离得到的活性粒子，可以在光刻胶的掩护下对下层薄膜进行刻蚀，从而使得前面光刻胶上的图案可以完全转移到底层薄膜上。待刻蚀完成，在进行下一道次前，需要利用干法去胶工艺将刻蚀后残留的光刻胶去除。
[0004]从晶圆制造的时效性来讲，工艺相对不太复杂的光刻胶去除，通常要在很短时间内完成，为了达到这个目的，去胶反应腔通常要设计成高温加热载盘传导给晶e圆约200
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300度的温度，使得反应速率指...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善高温去胶工艺中光刻胶皱缩的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：晶圆在放入高温200
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300度的腔室前，首先在预热盘上缓慢升温100度至200度加热，这一步处于大气环境，起始温度100度低于PR的烘烤温度，PR材质可以完全经受住这个温度，之后逐渐升温直到200度；S2：打开腔室门，且顶针顶起，将晶圆传...
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳良，李鑫，王振，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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