碲基室温太赫兹探测器件制造技术

本专利公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属

【技术实现步骤摘要】
碲基室温太赫兹探测器件


[0001]本专利涉及太赫兹探测领域，具体是指一种碲基室温太赫兹探测器件。

技术介绍

[0002]太赫兹(THz)覆盖0.1～10太赫兹的范围，是介于红外和微波之间的空隙波段[1]。太赫兹波具有穿透性强、使用安全性高、定向性好、带宽高等技术特性，有很大的潜在应用价值。目前红外和微波探测技术已经发展较成熟，而太赫兹波是人类迄今为止了解较少，开发较少的一个波段，亟需发展可高温工作、灵敏度高的太赫兹探测器。
[0003]碲(Te)是一种重要的p型窄带隙半导体，带隙为0.3eV，稳定性好。曾被制备成光电导型探测器，1961年理论上计算在3.4μm处的碲探测器的NEP值可以达到3.1
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W[2]。这种光电探测存在着波长(光子能量)选择性的问题，探测波段取决于带隙的大小，并且在中远红外电磁波段，由于热噪声能量的存在，热噪声激发与光学激发形成竞争机制，从而探测效率显著下降，需要低温(4.2K，77K)甚至是深低温(100
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300mK)制冷。本专利基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲基室温太赫兹探测器件，其特征在于：所述的器件采用高阻硅衬底(1)，衬底上有一层自然氧化的二氧化硅层(2)，将碲纳米片(3)转移到二氧化硅层(2)上，然后在碲纳米片上制备左右对称的蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)；所述的高阻硅衬底(1)厚度为0.5mm，电阻率10000Ω
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cm；所述的自然氧化的二氧化硅层(2)厚度25nm；所述的碲纳米片(3)是用化学气相沉积法制备的单晶材料，纳米片厚度为300
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500nm，宽度为5
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10μm，长度为10
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30微米；所述的蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)都采用30n...

【专利技术属性】
技术研发人员：高艳卿，黄志明，马万里，周炜，姚娘娟，江林，邱琴茜，李敬波，石艺，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：