制造三维结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造三维结构的方法，所述方法包括：绘制为了获得三维结构而需要从坯材上去除和/或沉积的部分的三维模型；在切片软件中对三维模型进行切片，从而将三维模型分解成多个切片层；将多个切片层的数据导入到加工软件中，在坯材上逐层地去除和/或沉积多个切片层，从而获得三维结构。本发明专利技术中，采用对三维模型进行切片的方式将三维模型分解成多个切片层，通过逐层地去除和/或沉积切片层来获得三维结构，从而能够以简单可靠的方式制造精准的三维结构。准的三维结构。准的三维结构。

【技术实现步骤摘要】
制造三维结构的方法


[0001]本专利技术涉及光学和加工
，具体而言，涉及一种制造三维结构的方法。

技术介绍

[0002]聚焦离子束(Focused Ion Beam，FIB)是一种利用聚焦离子束(Ga+、He+等)作用到样品上，在样品表面实现刻蚀和沉积加工的设备。因为聚焦离子束具有一定的能量，当聚焦离子束轰击到样品表面时，样品表面的原子获得能量从表面逃逸，从而实现对样品表面进行刻蚀的功能。在进行刻蚀的时候，因为离子束是聚焦的，所以可以在指定区域按照设计的图形进行刻蚀加工。当离子束作用到样品表面，同时还有不同的化学前驱体时，离子束激发的粒子(二次电子)和这些前驱体发生反应，实现不同材料(如Pt、C、SiO2、W、Au等等)的图形沉积。
[0003]目前常见的聚焦离子束设备是双束结构，两束能量束成一定角度。此外，还有三束结构(例如，He、Ne、Ga三束离子)的聚焦离子束设备。
[0004]聚焦离子束是一种垂直作用于样品表面的加工方式，其刻蚀或者沉积的形状侧壁都只能垂直于样品表面。如果想要加工非垂直侧壁的三维结构，聚焦离子束实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造三维结构的方法，其特征在于，所述方法包括：绘制为了获得三维结构而需要从坯材上去除和/或沉积的部分的三维模型，在切片软件中对所述三维模型进行切片，从而将所述三维模型分解成多个切片层，将所述多个切片层的数据导入到加工软件中，在坯材上逐层地去除和/或沉积所述多个切片层，从而获得所述三维结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用能量束在坯材上逐层地去除和/或沉积所述多个切片层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述能量束包括以下至少之一：激光束、电子束、等离子和离子束。4.根据权利要求1所述的方法，其中，切片层的数量能够被调节。5.根据权利要求1所述的方法，其中，每两个相邻的切片层之间的间隔能够被调节。6.根据权利要求1所述的方法，其中，切片层的数据以矢量文件的形式从所述切片软件中被导出并且被导入到所述加工软件中。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述三维结构为半球形凹槽，则所述方法具体包括：绘制半球形凹槽的三维模型，在切片软件中沿着垂直于所述三维模型的对称轴的方向进行切片，从而将所述三维模型分解成具有不同直径的多个圆形的切片层，利用能量束在坯材上逐层地去除所述多个圆形的切片层，从而获得所述半球形凹槽。8.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述三维结构为形成在平截圆锥形凹槽中的半球体，则所述方法具体包括：绘制半球体以及以所述半球体的底面为小圆、以所述半球体的从底面到顶点的距离为高的平截圆锥体，所述平截圆锥体与所述半球体不重合的部分为需要从坯材上去除的部分的三维模型，在切片软件中沿着垂直于所述三维模型的对称轴的方向进行切片，从而将所述三维模型分解成具有不同的内径和外径的多个同心圆环形的切片层，其中，各切片层的外径从最大值开始逐渐减小，各切片层的内径从基本上为0开始逐渐增大，直到最后一个切片层的外径和内径都基本上等于半球体的直径，利用能量束在坯材上逐层地去除所述多个同心圆环形的切片层，从而获得形成在平截圆锥形凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：史为，王贤浩，邱婷婷，
申请(专利权)人：卡尔蔡司显微镜有限责任公司，
类型：发明
国别省市：