一种发射端磁芯及其制备方法技术

本发明专利技术涉及发射端磁芯的制备方法技术领域，公开一种发射端磁芯及其制备方法。其中发射端磁芯包括磁芯本体，其为扁平圆盘结构，磁芯本体一侧的端面上设有绕线中柱，绕线中柱用于绕制磁感应线圈，磁芯本体上贯穿设有绕线槽，绕线槽的一端位于绕线中柱或磁芯本体上，另一端穿过磁芯本体的边缘，磁芯本体与绕线中柱同侧的端面的边缘处环向设置有外墙，沿磁芯本体的周向的外墙的两个端部中的至少一个与绕线槽间隔设置，磁芯本体的端面与自身的侧面平滑连接。本发明专利技术公开的发射端磁芯的磁芯本体的端面与自身的侧面平滑连接，不会对导线的绝缘层造成损伤，取消了磁芯本体背面的定位凹槽，简化了发射端磁芯的加工工艺，提高了发射端磁芯的成品率。端磁芯的成品率。端磁芯的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种发射端磁芯及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发射端磁芯的制备方法
，尤其涉及一种发射端磁芯及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子通讯的发展，为了充电的便利性及时尚性，无线充电技术日益完善，绝大多数的电子产品都支持无线充电，而电子产品中最常见的手机，其厂商已经基本将无线充电作为手机的标配。现代电子产品向着小、薄、轻的方向发展，其内部结构的设计将会越来越紧凑。为了满足人们日益增长的对更方便、更快捷的消费需求，作为接收端要求要薄，目前采用最多的为非晶纳米晶材料做成的薄片；而作为发射端，允许其存在一定的体积，目前业界考虑到生产成本、稳定性通常会采用铁氧体材质的发射端磁芯。
[0003]铁氧体材质的发射端磁芯的生产流程一般为：在干粉压制机(简称压机)上装配模具，通过压机控制模具移动对粉料施加压力，使粉料获得具备形状和强度的坯体，将坯体放到具备一定温度及氧气浓度的炉体中烧结，得到熟坯，再对熟坯进行高度研磨，从而得到要求尺寸的磁芯。
[0004]专利CN112420358A公开了一种磁芯及磁芯的制作方法，这种结构的磁芯不但存在磨损导线的绝缘层的可能性，还由于存在用于与无线充电的接收端插接以对无线充电的接收端定位的定位凹槽，所以对定位凹槽的深度和宽度有一定的要求，从而影响整个磁芯的成品率。

技术实现思路

[0005]基于以上所述，本专利技术的目的在于提供一种发射端磁芯及其制备方法，具有结构简单、不会损伤导线及成品率高的优点。
[0006]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种发射端磁芯，包括磁芯本体，所述磁芯本体为扁平圆盘结构，所述磁芯本体一侧的端面上设置有绕线中柱，所述绕线中柱用于绕制磁感应线圈，所述磁芯本体上贯穿设有绕线槽，所述绕线槽的一端位于所述绕线中柱或所述磁芯本体上，另一端穿过所述磁芯本体的边缘，所述磁芯本体与所述绕线中柱同侧的端面的边缘处环向设置有外墙，沿所述磁芯本体的周向的所述外墙的两个端部中的至少一个与所述绕线槽间隔设置，所述磁芯本体的端面与自身的侧面平滑连接。
[0008]作为一种发射端磁芯的优选方案，所述磁芯本体背离所述绕线中柱的一侧的边缘处环向设置有倒角，所述倒角正对所述外墙设置。
[0009]一种如以上任一方案所述的发射端磁芯的制备方法，包括：
[0010]S1、使用发射端磁芯的设计模具，采用所述发射端磁芯的所述绕线中柱朝上的压制方式，并确定模具收缩比n；
[0011]S2、采用粉料进行压制，形成坯体，所述坯体的高度位于5.5mm
‑
8mm之间；
[0012]S3、将所述坯体放到炉体中进行烧结以形成熟坯；
[0013]S4、将所述熟坯在磨床上进行研磨，研磨时，首先将所述绕线中柱的高度研磨至第一预设高度，然后再将所述绕线中柱的高度和所述磁芯本体的厚度之和研磨至第二预设高度，同时将所述磁芯本体的厚度研磨至第三预设高度，其中，所述第一预设高度、所述第二预设高度及所述第三预设高度均为所要加工的所述发射端磁芯的对应高度。
[0014]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，在S4之后，对研磨后的所述发射端磁芯喷涂绝缘层，所述绝缘层的厚度位于5μm
‑
35μm之间。
[0015]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述设计模具包括：母模，所述母模内限定出贯通槽和定位槽，所述贯通槽和所述定位槽均沿所述母模的轴向延伸；上模，所述上模的下端伸入所述贯通槽内且其上设有与所述定位槽对应的第一定位凸、用于形成所述绕线中柱的中柱凹槽、用于形成所述绕线槽的绕线凸起及用于形成所述外墙的形成槽；下模，所述下模的上端伸入所述贯通槽内且上设有中间凸起和与所述定位槽对应的第二定位凸起，所述下模、所述上模及所述母模围成用于形成所述坯体的模腔，所述中间凸起的高度位于1.5mm
‑
4.14mm之间。
[0016]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述形成槽的深度不小于所述中柱凹槽的深度且两者的差值不小于1mm，所述绕线凸起的高度不小于研磨后的所述磁芯本体的厚度与所述模具收缩比的乘积且两者的差值小于或者等于0.6mm。
[0017]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述磁芯本体背离所述绕线中柱的一侧的边缘处环向设置有倒角，所述倒角正对所述外墙设置，所述贯通槽包括第一连通槽和第二连通槽，所述第二连通槽的直径小于所述第一连通槽的直径，所述上模的下端伸入所述第一连通槽内，所述下模的上端伸入所述第二连通槽内，所述第一连通槽和所述第二连通槽通过连接斜面连接，所述连接斜面用于形成所述倒角。
[0018]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述连接斜面的底端至所述模腔的顶端的距离＝(研磨后磁芯本体的厚度+绕线中柱的高度+熟坯的两个端面的研磨量+0.25)*n。
[0019]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述中柱凹槽的侧壁与竖直面形成的第一拔模角位于4
°‑
10
°
之间，所述形成槽的侧壁与竖直面形成的第二拔模角位于2
°‑8°
之间。
[0020]作为一种发射端磁芯的制备方法的优选方案，所述磁芯本体的密度和所述绕线中柱的密度的差值小于或者等于0.03g/cm3，所述坯体正对所述绕线凸起的部分的密度小于或者等于0.15g/cm3。
[0021]本专利技术的有益效果为：本专利技术公开的发射端磁芯的磁芯本体的端面与自身的侧面平滑连接，不会对导线的绝缘层造成损伤，取消了磁芯本体背面的定位凹槽，简化了发射端磁芯的加工工艺，提高了发射端磁芯的成品率。
[0022]本专利技术公开的发射端磁芯的发射端磁芯的制备方法具有加工工艺简单和成品率高的特点。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所
需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本专利技术具体实施例一提供的发射端磁芯在一个方向的示意图；
[0025]图2是本专利技术具体实施例一提供的发射端磁芯在另一个方向的示意图；
[0026]图3是本专利技术具体实施例一提供的发射端磁芯的剖视图；
[0027]图4是本专利技术具体实施例一提供的设计模具的母模的示意图；
[0028]图5是本专利技术具体实施例一提供的设计模具的上模的示意图；
[0029]图6是本专利技术具体实施例一提供的设计模具的上模的剖视图；
[0030]图7是本专利技术具体实施例一提供的设计模具的下模的示意图；
[0031]图8是本专利技术具体实施例一提供的坯体的示意图。
[0032]图中：
[0033]11、磁芯本体；12、绕线中柱；13、绕线槽；14、外墙；15、倒角；
[0034]2、母模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发射端磁芯，其特征在于，包括磁芯本体(11)，所述磁芯本体(11)为扁平圆盘结构，所述磁芯本体(11)一侧的端面上设置有绕线中柱(12)，所述绕线中柱(12)用于绕制磁感应线圈，所述磁芯本体(11)上贯穿设有绕线槽(13)，所述绕线槽(13)的一端位于所述绕线中柱(12)或所述磁芯本体(11)上，另一端穿过所述磁芯本体(11)的边缘，所述磁芯本体(11)与所述绕线中柱(12)同侧的端面的边缘处环向设置有外墙(14)，沿所述磁芯本体(11)的周向的所述外墙(14)的两个端部中的至少一个与所述绕线槽(13)间隔设置，所述磁芯本体(11)的端面与自身的侧面平滑连接。2.根据权利要求1所述的发射端磁芯，其特征在于，所述磁芯本体(11)背离所述绕线中柱(12)的一侧的边缘处环向设置有倒角(15)，所述倒角(15)正对所述外墙(14)设置。3.一种如权利要求1
‑
2任一项所述的发射端磁芯的制备方法，其特征在于，包括：S1、使用发射端磁芯的设计模具，采用所述发射端磁芯的所述绕线中柱(12)朝上的压制方式，并确定模具收缩比n；S2、采用粉料进行压制，形成坯体(5)，所述坯体(5)的高度位于5.5mm
‑
8mm之间；S3、将所述坯体(5)放到炉体中进行烧结以形成熟坯；S4、将所述熟坯在磨床上进行研磨，研磨时，首先将所述绕线中柱(12)的高度研磨至第一预设高度，然后再将所述绕线中柱(12)的高度和所述磁芯本体(11)的厚度之和研磨至第二预设高度，同时将所述磁芯本体(11)的厚度研磨至第三预设高度，其中，所述第一预设高度、所述第二预设高度及所述第三预设高度均为所要加工的所述发射端磁芯的对应高度。4.根据权利要求3所述的发射端磁芯的制备方法，其特征在于，在S4之后，对研磨后的所述发射端磁芯喷涂绝缘层，所述绝缘层的厚度位于5μm
‑
35μm之间。5.根据权利要求3所述的发射端磁芯的制备方法，其特征在于，所述设计模具包括：母模(2)，所述母模(2)内限定出贯通槽(21)和定位槽(22)，所述贯通槽(21)和所述定位槽(22)均沿所述母模(2)的轴向延伸；上模(3)，所述上模(3)的下端伸入所述贯通槽(21)内且其上设有与所述定位槽(22)对应的第一定位凸(31)、用于形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢飞翔，吴跃杰，陈家威，杜嘉昊，黄青春，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：