数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过增设混合模式标识和三阶储存单元块计数值，在接收到数据写入请求时，获取混合模式标识和三阶储存单元块计数值判断当前状态下是否能够采用混合模式进行数据写入，只有当同时满足混合模式标识为开启状态以及三阶储存单元块计数值小于或等于第一预设值时，才能将三阶储存单元块等效为单阶储存单元块进行数据写入，否则，采用常规的模式进行数据写入，从而避免一直处于混合模式下对数据进行写入，使主机反复在一片固定的地址进行擦写操作，导致NAND寿命大大降低的问题。导致NAND寿命大大降低的问题。导致NAND寿命大大降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备


[0001]本专利技术涉及存储器领域，特别是涉及一种数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]在NAND Flash(计算机闪存设备)中包括SLC(Single Level Cell，单阶储存单元)和TLC(Triple Level Cell，三阶储存单元)，虽然SLC的性能高于TLC，但TLC的数据存储量是SLC的3倍。因此，为了满足市场的性能及容量要求，整个NAND的数据区主要分为SLC Queue(数据缓存区，以下称SLCQ)和TLC Queue(数据主存区，以下称TLCQ)。
[0003]当NAND在进行数据写入时，通常将数据写入SLCQ中，由此来满足快速写入的性能要求。但由于SLCQ储存大小的限制性，在SLCQ写满后便需要进行GC(Garbage Collection，垃圾回收)。而GC的引入使得写入的速度大幅下降。
[0004]目前，为了进一步提升速度，通常采用MixMode(混合模式)进行数据写入。即将TLCQ中的TLCBlock通过特定的擦除方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据写入方法，其特征在于，包括步骤：接收数据写入请求，根据所述数据写入请求获取混合模式标识；根据所述混合模式标识判断混合模式是否为开启状态，若是，则获取三阶储存单元块计数值，判断所述三阶储存单元块计数值是否小于或等于第一预设值，若是，则采用混合模式进行数据写入，否则，采用常规模式进行数据写入。2.根据权利要求1所述的一种数据写入方法，其特征在于，若所述混合模式标识为开启状态，且所述三阶储存单元块计数值大于所述第一预设值，则重置所述混合模式标识和三阶储存单元块计数值，并执行垃圾回收步骤。3.根据权利要求1所述的一种数据写入方法，其特征在于，所述采用混合模式进行数据写入包括：将数据写入区域切换为三阶储存单元区；获取三阶储存单元块，并更新所述三阶储存单元块计数值；将数据写入所述三阶储存单元块直至写满当前所述三阶储存单元块或完成全部数据写入。4.根据权利要求3所述的一种数据写入方法，其特征在于，所述写满当前所述三阶储存单元块之后还包括步骤：判断是否全部数据均完成写入，若否，则返回执行所述判断所述三阶储存单元块计数值是否小于或等于第一预设值的步骤直至全部数据均完成写入。5.根据权利要求3所述的一种数据写入方法，其特征在于，所述全部数据均完成写入之后包括：进入空闲状态，并进行垃圾回收；完成所述垃圾回收后，重置所述混合模式标识和三阶储存单元块计数值。6.根据权利要求1至5中任一项所述的一种数据写入方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，贺子豪，黄裕全，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：