太阳能电池的后制绒生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种太阳能电池的后制绒生产工艺。硅片依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在扩散工艺之后。硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区，在理想状态，希望高掺杂区的截面形状是上下宽度一致，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使硅片表面一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种太阳能电池的后制 绒生产工艺。
技术介绍
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90 %以上的份额，如何进一步提高 效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方 法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高 掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的 关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种， 最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只 能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。近 年来，也出现了用丝网印刷磷浆实现选择性发射区的方法，但由于丝网印刷带 来的污染等问题，该方法也没有得到广泛应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供一种可以提高晶体硅太阳能电池光电效率的，适用 于产业化生产的生产方法。本专利技术采用的技术方案是 一种太阳能电池的后制绒生产工艺，硅片依次 通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背 面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在扩散工艺之后。进一步的，扩散工艺后进行去磷硅玻璃，然后进行制绒，再做一次扩散， 然后再去除磷硅玻璃。本专利技术的有益效果是硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区， 在理想状态，希望高掺杂区的截面形状是上下宽度一致，但是在实际生产中， 高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒 过程中，会使硅片表面一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区 的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的 转换效率更高。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的经过后制绒工艺后得到的硅片的结构示意图。图中，l.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.绒层。 具体实施例方式如图l所示一种太阳能电池的后制绒生产工艺，工艺步骤依次是清洗， 扩散，制绒，去磷硅玻璃，刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印 刷铝背场，印刷正面电极，烧结工艺制备，制绒工艺在扩散工艺之后。如果是进行两次扩散以形成选择性发射极的扩散工艺，在第一次扩散工艺 后会在硅片1表面下形成上宽下窄的高掺杂区2，这次扩散为磷浆扩散，然后进行去磷硅玻璃的工艺，为了使高掺杂区2的截面形状是上下宽度基本一致，在这次扩散后进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区表面一薄层被去除成为绒层4，制得的硅片1还要进扩散炉再进行一次扩散，用以在硅片1上形成低掺杂区3，然后再去磷硅玻璃。自此硅片l完成选择性扩散，完成选择性扩散后硅片 l进行下面的加工，依次是刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印刷 铝背场，印刷正面电极，烧结最终得到太阳能电池。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的后制绒生产工艺，其特征在于：硅片（１）依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在扩散工艺之后。

【技术特征摘要】
1、一种太阳能电池的后制绒生产工艺，其特征在于硅片(1)依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，夏庆峰，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]