【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池 的选择性一次扩散方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的卯％以上的份额，如何进一步提高效 率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方 法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高 掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的 关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种， 最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只 能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供一种实现晶体硅太阳能电池选择性扩散的方法，该 方法可提高晶体硅太阳能电池的效率，适用于产业化生产。本专利技术采用的技术方案是 一种， 将磷不可渗透桨料或膜按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片表面，然后扩散， 去除磷不可渗透浆料或膜，再扩散。磷不可渗透浆料在扩散前需要进行烘干。 本专利技术的有益效果是按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性扩散结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。 附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1是本专利技术的选择性扩散结构示意图。图中l.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷不可渗透浆料或膜。具体实施例方式一种，硅片1表面首先进行清洗制绒处理，将磷不可渗透浆料或膜4按照一定间隔选择性地覆盖在硅片1表面。 磷不可渗透浆料在扩散前需要烘干...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：将磷不可渗透浆料或膜（４）按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片（１）表面，然后扩散，去除磷不可渗透浆料或膜（４），再扩散。
【技术特征摘要】
1、一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于将磷不可渗透浆料或膜(4)按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片(1)表面，然后扩散，去除...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，邓伟伟，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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