一种铝电解电容器用光箔及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种铝电解电容器用光箔及其应用，属于电解电容器材料技术领域。光箔组织中C织构、R织构、B织构和S织构的总占比≥70％，Cube织构的占比＜2％，Goss织构占比＜2％，C织构、R织构、B织构和S织构的总占比在70％以上可以有效发孔扩孔，Cube织构的占比在2％以下，避免了成产品腐蚀过深，保证了芯层厚度和产品强度，Goss织构的占比在2％以下，避免了产品表面剥蚀，可以进一步加深扩孔深度，通过织构组织控制可以有效提升产品比容，且保证产品强度。产品强度。产品强度。

【技术实现步骤摘要】
一种铝电解电容器用光箔及其应用


[0001]本专利技术涉及电解电容器材料
，更具体地，涉及一种铝电解电容器用光箔及其应用。

技术介绍

[0002]铝电解电容器用电极箔通常是以光箔为原材料，经过电化学方法蚀刻，化成得到。现有关于电解电容器用铝箔的研究多从腐蚀化成工艺上改善相关电极箔的比容，即便有涉及相关铝箔的发孔扩孔方向的研究也是从扩孔腐蚀工艺方面进行控制，并未针对用于交流电化学腐蚀和化学腐蚀的铝电解电容器用光箔的发孔方向进行判断和研究。
[0003]CN1850428A电解电容器高压阳极用铝箔的制造方法公开了一种提高铝箔组织中立方织构的含量的铝箔制备方法，按照如下步骤进行：一、按照电解电容器高压用铝箔的比例配料；二、原料配好后在720～750℃的温度条件下熔炼5～12h，然后在720～730℃的温度条件下精炼10～15min，最后按半连续铸造法制成合金铸锭；三、在480～530℃的温度条件下均火处理22～27h；四、均火后进行热轧；五、冷轧至中间厚度，然后在380～420℃的温度条件下进行退火，冷轧至成品厚度0.09～0.11mm，最后剪切至成品宽度。本专利技术提高了铝箔组织中立方织构的含量，从而提高了电解电容器的额定电压和电容量，提高了产品质量，进而取代进口料。上述技术只是为了提高立方织构的含量，也并不涉及到对光箔织构组成对发孔方向的判断，也并非从铝箔的发孔扩孔方向优化后续的腐蚀形貌和材料比容的提升。且铝电解电容器高压阳极用铝箔时采用直流电腐蚀，无法对采用交流电化学腐蚀和化学腐蚀的铝电解电容器用铝箔的织构组成形成指导性意见。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服现有电解电容器用铝箔的制备只是单纯考虑腐蚀化成工艺，并未从腐蚀化成原料光箔层面考虑对电解电容器用铝箔发孔扩孔方向的影响，进而提升铝箔产品的比容的缺陷和不足，提供一种铝电解电容器用光箔，该光箔具有特定的织构结构，通过该特定织构结构的光箔可以得到特定腐蚀形貌，得到更合适的扩孔效果，进而有效改善电解电容器用铝箔的比容。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供一种铝电解电容器用铝箔的制备方法。
[0006]本专利技术的再一目的在于提供一种铝电解电容器用铝箔。
[0007]本专利技术上述目的通过以下技术方案实现：
[0008]一种铝电解电容器用光箔，所述光箔组织中C织构、R织构、B织构和S织构的总占比≥70％，
[0009]且所述光箔组织中C织构的占比＞25％，所述光箔组织中R织构的占比＞5％，所述光箔组织中B织构的占比＞5％，所述光箔组织中S织构的占比＞5％，
[0010]所述Cube织构的占比＜2％，Goss织构占比＜2％，
[0011]所述光箔组织中Rotating Cube织构占比＜30％。
[0012]其中需要说明的是：
[0013]本专利技术的铝电解电容器用光箔的铝质量含量≥99.90％。
[0014]织构是按照数量计算的，占比为数量百分比，即为一种织构的数量占总织构数量的百分比。
[0015]其中，织构的检测可以通过EBSD进行检测，将铝箔沿轧制方向和轧制垂直方向裁减成10mm*10mm大小的样品，观察面为法相2轧向(ND2RD)，步长5um对样品进行检测，EBSD可以自动计算出各种不同取向的织构的比例和角度。
[0016]对相关涉及的名词具体说明如下：
[0017]织构：在某些情况下多晶体的晶粒在不同程度上围绕某些特殊的取向排列，就称为织构。通常用晶粒的某晶面、晶向在参考坐标系中的排布方式来表达晶粒的取向，常以{HKL}<UVW>表示，其中{HKL}晶面平行于轧面，<UVW>平行于轧向。织构取向如下：
[0018]C织构：{112}<111>
[0019]R织构：{124}<211>
[0020]S织构：{123}<634>
[0021]B织构：{110}<211>
[0022]Cube织构：{001}<100>
[0023]Goss织构：{110}<100>
[0024]Rotating Cube织构：{001}<110>
[0025]腐蚀特性：指铝电解电容器用铝箔腐蚀后的容量、强度、折弯。
[0026]本专利技术的铝电解电容器用光箔由铝锭通过加工制备得到。由于铝箔在进行腐蚀时沿晶界腐蚀，由织构的定义可知，晶界正是不同织构组成的结果，因此光箔的织构直接决定光箔的发孔扩孔行为，由于电化学腐蚀和化学腐蚀后得到的腐蚀结构是“海绵状”的(如附图1)，因此可以通过研究铝电解电容器用阴极光箔中C织构、R织构、B织构和S织构组成来判断铝箔是否在后续的腐蚀过程中可以得到合适的腐蚀特性；当光箔组织中C织构、R织构、B织构和S织构的总占比不足70％时，会导致有效发孔扩孔不足，造成比容偏低、强度不足。
[0027]Cube织构的占比影响扩孔的深度和扩孔的数量，当光箔组织中Cube织构的占比超过2％时，会造成产品腐蚀过深和扩孔数量不足，芯层厚度不足和比表面积不足，导致强度不足和比容偏低。
[0028]同样，Goss织构的占比也会影响产品腐蚀后的厚度，当光箔组织中Goss织构的占比超过2％时，会造成产品表面剥蚀，腐蚀后贡献比容的厚度不足，导致比容不足。
[0029]在腐蚀箔的制备方法中多采用交流电化学腐蚀和化学腐蚀，交流电化学腐蚀和化学腐蚀后铝箔表面和截面的图像显示其发孔扩孔多是沿多方向发孔扩孔，形成的是类似海绵状的孔，而不是直孔。而光箔组织中Goss织构的占比超过2％就会造成产品表面剥蚀，表面剥蚀即在厚度方向的扩孔深度不足，导致海绵状孔的深度(厚度方向)不足，生长无法形成海绵状的孔，进一步，海绵状孔的深度不足最终导致产品的比容不足。
[0030]优选地，Cube织构占比＜1％。
[0031]优选的，Goss织构占比＜0.5％。
[0032]优选地，当所述光箔厚度为0.040
‑
0.060mm，光箔组织中C织构的占比为35％～55％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中C织构的占比为25％～35％。
[0033]优选地，当所述光箔厚度为0.040～0.060mm，光箔组织中R织构的占比为5％～15％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中R织构的占比为15％～25％。
[0034]优选地，当所述光箔厚度为0.040～0.060mm，光箔组织中B织构的占比为5％～15％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中B织构的占比为10％～20％。
[0035]优选地，当所述光箔厚度为0.040～0.060mm，光箔组织中S织构的占比为5％～25％；当所述箔厚为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝电解电容器用光箔，其特征在于，所述光箔组织中C织构、R织构、B织构和S织构的总占比≥70％，且所述光箔组织中C织构的占比＞25％，所述光箔组织中R织构的占比＞5％，所述光箔组织中B织构的占比＞5％，所述光箔组织中S织构的占比＞5％，所述Cube织构的占比＜2％，Goss织构占比＜2％，所述光箔组织中Rotating Cube织构占比＜30％。2.如权利要求1所述铝电解电容器用光箔，其特征在于，当所述光箔厚度为0.040
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0.060mm，光箔组织中C织构的占比为35％～55％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中C织构的占比为25％～35％。3.如权利要求2所述铝电解电容器用光箔，其特征在于，当所述光箔厚度为0.040～0.060mm，光箔组织中R织构的占比为5％～15％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中R织构的占比为15％～25％。4.如权利要求3所述铝电解电容器用光箔，其特征在于，当所述光箔厚度为0.040～0.060mm，光箔组织中B织构的占比为5％～15％；当所述箔厚为0.020～0.035mm，光箔组织中B织构的占比为10％～20％。5.如权利要求4所述铝电解电容器用光箔，其特征在于，当所述光箔厚度为0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：池国明，廖孝艳，李刚，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：