【技术实现步骤摘要】
一种离面检测陀螺仪
[0001]本技术涉及微机械系统
,尤其涉及一种具有高检测精度的离面检测陀螺仪。
技术介绍
[0002]陀螺是用于测量角速率的传感器,是惯性技术的核心器件之一,在现代工业控制、航空航天、国防军事及消费电子等领域发挥着重要作用。
[0003]传统的离轴陀螺仪为单质量块结构,驱动时驱动框架带动敏感质量块运动,检测时,敏感质量块发生离面运动,用来检测X/Y轴角速率;常见的双框架结构陀螺仪多为面内检测,少有用来检测离轴角速率。参见中国专利技术专利CN109737943A和CN108507555A,均公开了一种双框架MEMS陀螺仪,公开的微陀螺结构设计精巧,驱动时沿X方向运动,当敏感到哥氏力时,敏感质量块沿Y方向运动,该结构主要用于检测面内Z轴角速率;继续参考中国专利技术专利 CN109059893A,主要公开了一个单片双轴陀螺仪,该结构设计巧妙,驱动时所述驱动模块会带动所述正方形框架和纵向条形X轴检测板沿Y轴发生运动,当敏感到X轴有角速率输入时,所述纵向条形X轴检测板沿Z轴发生运动,其通过X轴检测疏齿电容变化可得到X轴角速率;当敏感到Z轴有角速率输入时,所述正方形框架沿Y轴发生运动,其通过Z轴检测疏齿电容变化可得到Z轴角速率。但是,该陀螺仪结构离轴角速率检测精度较低。
[0004]因此,亟需提出一种新的技术方案来解决离轴陀螺仪检测精度低的问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的之一在于提供一种离面检测陀螺仪,其采用双框架结构,一方面,其结构设计新颖,通过 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种离面检测陀螺仪,其特征在于,其包括:左框架结构,其位于中心点A的左侧,其内定义有第一空间,所述左框架结构能够沿X轴进行谐振运动;右框架结构,其位于所述中心点A的右侧,其内定义有第二空间,所述右框架结构与所述左框架结构平行且间隔预定距离,其能够沿X轴进行与所述左框架结构反向的谐振运动;左移动质量块,其位于所述左框架结构的第一空间内,其通过第一倾斜挠性梁与所述左框架结构相连;左敏感质量块,其位于所述左框架结构的第一空间内,其通过第一敏感挠性梁与所述左移动质量块相连;右移动质量块,其位于所述右框架结构的第二空间内,其通过第二倾斜挠性梁与所述右框架结构相连;右敏感质量块,其位于所述右框架结构的第二空间内,其通过第二敏感挠性梁与所述右移动质量块相连。2.根据权利要求1所述的离面检测陀螺仪,其特征在于,其还包括:中心耦合梁锚点,其位于所述左框架和右框架结构之间;中心耦合梁,其与所述中心耦合梁锚点相连,且所述中心耦合梁连接于所述左框架结构和右框架结构之间,所述中心耦合梁设置的促使所述左框架结构和右框架结构沿X轴反向运动,其中,X轴和Y轴相互垂直并且定义了所述离面检测陀螺仪所在的平面,Z轴垂直于X轴和Y轴所定义的平面,X轴沿左右方向,Y轴沿上下方向,坐标原点为所述中心点A。3.根据权利要求2所述的离面检测陀螺仪,其特征在于,其还包括:左框架结构锚点;左框架结构支撑梁,其连接于所述左框架结构锚点和所述左框架结构之间;右框架结构锚点;右框架结构支撑梁,其连接于所述右框架结构锚点和所述右框架结构之间;分别设置于所述左框架结构的上下两侧的第一驱动电极组和第二驱动电极组;分别设置于所述右框架结构的上下两侧的第三驱动电极组和第四驱动电极组;通过在所述第一驱动电极组和第二驱动电极组上施加驱动电压驱动所述左框架结构沿X轴进行谐振运动;通过在所述第三驱动电极组和第四驱动电极组上施加驱动电压驱动所述右框架结构沿X轴进行与所述左框架结构反向的谐振运动。4.根据权利要求3所述的离面检测陀螺仪,其特征在于,所述左框架结构锚点位于所述左框架结构的周围,所述左框架结构支撑梁位于所述左框架结构的周围,其中,每个左框架结构锚点通过对应的一个左框架结构支撑梁与所述左框架结构相连;所述右框架结构锚点位于所述右框架结构的周围,所述右框架结构支撑梁位于所述右框架结构的周围,其中,每个右框架结构锚点通过对应的一个右框架结构支撑梁与所述右框架结构相连。5.根据权利要求3所述的离面检测陀螺仪,其特征在于,
所述第一驱动电极组、第二驱动电极组、第三驱动电极组和第四驱动电极组固定设置于基底上;所述左框架结构和左框架结构支撑梁悬置于所述基底上方;所述右框架结构和右框架结构支撑梁悬置于所述基底上方;所述左框架结构锚点固定设置于基底上;所述右框架结构锚点固定设置于基底上;所述左移动质量块、右移动质量块、左敏感质量块和右敏感质量块悬置于所述基底上方;所述第一倾斜挠性梁、第二倾斜挠性梁、第一敏感挠性梁和第二敏感挠性梁悬置于所述基底上方;所述中心耦合梁锚点固定设置于所述基底上;中心耦合梁悬置于所述基底上方。6.根据权利要求2所述的离面检测陀螺仪,其特征在于,所述左移动质量块为两个,分别为第一移动质量块和第二移动质量块,其中,所述第一移动质量块位于所述左框架结构的第一空间内的上部,其通过所述第一倾斜挠性梁与所述左框架结构相连;所述第二移动质量块位于所述左框架结构的第一空间内的下部,其通过所述第一倾斜挠性梁与所述左框架结构相连;所述左敏感质量块通过所述第一敏感挠性梁连接于所述第一移动质量块和第二移动质量块之间;所述右移动质量块为两个,分别为第三移动质量块和第四移动质量块,其中,所述第三移动质量块位于所述右框架结构的第二空间内的上部,其通过所述第二倾斜挠性梁与所述右框架结构相连;所述第四移动质量块位于所述右框架结构的第二空间内的下部,其通过所述第二倾斜挠性梁与所述右框架结构相连;所述右敏感质量块通过所述第二敏感挠性梁连接于所述第三移动质量块和第四移动质量块之间。7.根据权利要求2
技术研发人员:丁希聪,凌方舟,蒋乐跃,金羊华,
申请(专利权)人:美新半导体天津有限公司,
类型:新型
国别省市:
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