一种负氢离子加速系统技术方案

本发明专利技术公开了一种负氢离子加速系统。该负氢离子加速系统包括：离子源、第一激光器、第二激光器、分光单元、反射单元和加速结构单元；所述离子源用于产生负氢离子，并用于将所述负氢离子射入所述加速结构单元；所述第一激光器和所述第二激光器用于产生用于所述负氢离子加速的激光束；所述分光单元和所述反射单元沿所述激光束出射方向依次布置；所述分光单元对所述激光束进行分光后，所述激光束的一部分先进入所述加速结构单元，所述激光束的另一部分经所述反射单元反射后进入所述加速结构单元，进而实现负氢离子加速系统的轻量化、小型化设计的目的。的目的。的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种负氢离子加速系统


[0001]本专利技术涉及粒子加速器
，特别是涉及一种负氢离子加速系统。

技术介绍

[0002]负氢离子加速是指通过电场、电磁场等方式，将低能负氢离子的运动速度进一步提高，获得高能的负氢离子。负氢离子加速器在同步加速器注入器、中性束注入装置、科学研究中广泛应用。负氢离子加速器由于缺乏高梯度加速装置和小型化加速技术，现有装置存在体积重量庞大、造价高等缺点，限制了负氢离子加速器的应用。
[0003]目前负氢离子加速的途径主要有基于微波谐振腔型的负氢离子加速器、基于高压型的负氢离子加速器两种。基于微波谐振腔型的负氢离子加速器主要包括负氢离子源、低能传输线、射频四极加速器(RFQ)、漂移管型加速器(DTL)等，利用在高频谐振腔中形成加速场对负氢离子进行加速，这类加速器的加速梯度一般在MV/m，加速器长度在米至数十米范围内，加速重量在数十吨量级。基于高压型的负氢离子加速器主要包括高压电源、加速结构，利用在加速结构中形成的高压电场对负氢离子进行加速，这类加速器由于高压击穿的限制，加速梯度小于MV/m，由于高压结构需要安置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负氢离子加速系统，其特征在于，包括：离子源、第一激光器、第二激光器、分光单元、反射单元和加速结构单元；所述离子源用于产生负氢离子，并用于将所述负氢离子射入所述加速结构单元；所述第一激光器和所述第二激光器用于产生用于所述负氢离子加速的激光束；所述分光单元和所述反射单元沿所述激光束出射方向依次布置；所述分光单元对所述激光束进行分光后，所述激光束的一部分先进入所述加速结构单元，所述激光束的另一部分经所述反射单元反射后进入所述加速结构单元。2.根据权利要求1所述的负氢离子加速系统，其特征在于，所述加速结构单元包括第一加速结构和第二加速结构；所述分光单元对所述分光速进行分光后，所述激光束的一部分进入所述第一加速结构，以形成第一加速场；所述激光束的另一部分经所述反射单元反射后进入所述第二加速结构，以形成第二加速场。3.根据权利要求2所述的负氢离子加速系统，其特征在于，所述第一加速场和所述第二加速场均与所述负氢离子的相位匹配。4.根据权利要求2所述的负氢离子加速系统，其特征在于，所述第一加速结构和第二加速结构均为DLAs加速结构。5.根据权利要求4所述的负氢离子加速系统，其特征在于，所述DLAs加速结构的材质为二氧化硅或硅。6.根据权利要求2所述的负氢离子加速系统，其特征在于，所述分光单元包括第一能量分光片和第二能...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱云亮，马喆，周洁，杨静琦，姜来，
申请(专利权)人：中国航天科工集团第二研究院，
类型：发明
国别省市：