场离子显示屏制造技术

本发明专利技术公开一种场离子显示屏，由场离子发射板、微通道板和荧光显示板相隔一定间隙平行面对设置，周边密封内充稀薄气体，用Ｘ－Ｙ编码选址，当信号加于某一选址点时，发射板上，该点依信号强度发射正场离子，当正离子流穿入微通道孔并撞击到孔壁上时，引起多重二次电子发射倍增，并被加速极加速转换为强电子流，由微通道孔的另一端飞出，再被屏极加速轰击到荧光屏上选址点的象素上发光成象，其有图象质量好、效率高、造价低等优点。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗恩泽，罗宏，罗伟，
申请(专利权)人：北京新世纪德恩科技发展有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]