一种基于氮化镓的超级快充制造技术

本发明专利技术公开了一种基于氮化镓的超级快充，一种基于氮化镓的超级快充包括：前级PWM整流电路、电源管理模块、后级Buck

【技术实现步骤摘要】
一种基于氮化镓的超级快充


[0001]本专利技术涉及快充控制
，尤其涉及一种基于氮化镓的超级快充。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。氮化镓功率器件在开关速度上的突破是氮化镓功率器件与传统硅功率器件相比主要的差异，氮化镓功率器件具有更高的临界击穿电场，所以它不但可以承受从漏极到源极更高的电压，而且导通电阻比硅基MOSFET要小，损耗更小。此外，氮化镓电子迁移率更高，这样的器件要比硅基MOSFET体积小很多，速度却更快。
[0003]而快速充电技术是指能在1～5h内使蓄电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法，常用于牵引用蓄电池需要在较短时间内恢复完全充电状态时的充电。蓄电池的正常充电耗时约10～20h，如何能快速充电而不损害蓄电池的性能和寿命，是该领域技术人员亟待解决的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，包括：前级PWM整流电路、电源管理模块、后级Buck
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Boost变换电路、快充控制电路、充电采样电路及电池单元；所述前级PWM整流电路与所述电源管理模块电连接，所述电源管理模块分别与所述快充控制电路、所述充电采样电路及所述后级Buck
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Boost变换电路电连接，所述后级Buck
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Boost变换电路及所述充电采样电路分别与所述快充控制电路电连接，所述后级Buck
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Boost变换电路与所述充电采样电路电连接，所述后级Buck
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Boost变换电路及所述充电采样电路分别与所述充电单元电连接。2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，所述充电采样电路包括电压采样单元、电流采样单元及温度采样单元；所述电压采样单元分别与所述快充控制电路及所述电池单元电连接；所述电流采样单元分别与所述快充控制电路及所述电池单元电连接，所述温度采样单元分别与所述快充控制电路及所述电池单元电连接。3.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，所述一种基于氮化镓的超级快充还包括保护及驱动模块；所述保护及驱动模块分别与所述快充控制电路、所述电源管理模块及所述电池单元电连接。4.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，所述一种基于氮化镓的超级快充还包括LCD显示模块；所述LCD显示模块分别与所述电源管理模块及所述快充控制电路电连接。5.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，所述前级PWM整流电路为三相VSR电路，所述三相VSR电路中的晶体管为氮化镓TGBT管。6.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓的超级快充，其特征在于，所述后级Buck
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑子龙，陈然，陈来锋，崔永明，丁兰，
申请(专利权)人：深圳市雅晶源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：