电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法技术

本发明专利技术公开了电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：在衬底上依次沉积剥离层、压电层、下电极，下电极上沉积内、外环形凸起以及包裹两凸起的下牺牲层，压电层上沉积包裹下牺牲层的下保护层以及包裹下保护层的待键合层二；基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除剥离层和衬底；压电层上沉积两长条状上牺牲层，两长条状上牺牲层上沉积两桥型结构，再压电层表面沉积两侧与两个桥型结构分别相连的上电极，上电极和两桥型结构上沉积上保护层；压电层形成通孔，去除两长条状上牺牲层和下牺牲层。本发明专利技术在谐振器的下电极表面设置内、外环形凸起，上电极两侧壁均设置桥型结构，使得薄膜体声波谐振器具有更高的Q值。高的Q值。高的Q值。

【技术实现步骤摘要】
电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜体声波谐振器，具体涉及一种电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜体声波谐振器的电极结构对薄膜体声波谐振器的频率和Q值具有重要影响，现有电极结构设计往往只在电极上下表面进行，已经难以进一步突破完成更高频率和Q值的薄膜体声波谐振器设计。而且，现有电极结构设计大多只在上电极表面进行，忽略了下电极结构设计对薄膜体声波谐振器的频率和Q值影响。可见，若能同时对上电极和下电极进行结构设计，且考虑到对上电极的制备工艺相对容易实现，若还能从上电极的侧壁上进行结构设计，则有望研发出具有更高频率和Q值的薄膜体声波谐振器。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，在谐振器的下电极表面设置内环形凸起和外环形凸起，上电极两侧壁均设置桥型结构，突破常规，从上电极的侧壁上进行结构设计，使得薄膜体声波谐振器具有更高的频率和Q值。
[0004]本专利技术采用以下技术方案实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：S1：对衬底进行超声水洗，在衬底一侧表面沉积剥离层；然后在剥离层上沉积压电层；接着，在压电层表面沉积金属并图形化，形成下电极；最后，在下电极表面沉积金属并图形化，形成内环形凸起和外环形凸起；内环形凸起与外环形凸起间距设置；S2：对基底进行超声水洗，在基底一侧表面淀积待键合层一，并对待键合层一进行表面平整化；S3：在下电极表面通过淀积和图形化，形成包裹内环形凸起和外环形凸起的下牺牲层；然后，在压电层表面沉积包裹下牺牲层的下保护层；最后，在压电层表面淀积包裹下保护层的待键合层二，并对待键合层二表面进行平整化；S4：将基底上的待键合层一与待键合层二通过键合工艺连接；S5：采用激光剥离技术去除剥离层和衬底，并对压电层表面进行平整化；S6：在压电层去除剥离层和衬底的那侧表面通过淀积和图形化形成间距设置的两个长条状上牺牲层；然后，通过沉积金属并图形化在两个长条状上牺牲层上形成两个桥型结构；S7：在压电层表面位于两个长条状上牺牲层之间位置沉积金属并图形化，形成上电极；上电极的两侧与两个桥型结构分别相连；然后，在上电极和两个桥型结构表面沉积覆盖上电极和两个桥型结构表面的上保护层；S8：采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层以及下电极上形成通孔，通孔的底部开口于下牺牲层表面；然后，通过湿法腐蚀工艺或干法腐蚀工艺去除两个长条状上牺牲层，并利用通孔去除下牺牲层，从而使两个桥型结构下方形成两个空腔一，下电极和下保护层之间形成空腔二。2.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述压电层的材料为单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、单晶钽酸锂、锆钛酸铅、铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为10nm
‑
4000nm，横向宽度为180μm
‑
250μm。3.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述衬底和基底的材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种或多种按任意配比组合。4.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：轩伟鹏，张标，石林豪，董树荣，金浩，骆季奎，李文钧，孙玲玲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：